Накопитель для полупроводникового запоминающего устройства

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

C оцмвлксткческкх

Республик

<111955202 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву— (22) Заявлено 26. 11. 80 (21) 3235364/18-24 с присоединением заявки Ио— М Кп 3

G ..11 С 11/40

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет— (53) УДК 681. 327. .66(088.8) Опубликовано 300882. бюллетень Мо 32

Дата опубликования описания 30,08.82

d В. В. Баринов, В. И. Кимарский, Д. E. Ковалд у, .

Ю. И. Кузовлев, A. A. Орликовский и И. В. Чей@як

1 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Московский институт электронной техники (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть испольа зовано при построении накопителей полупроводниковых запоминающих устройств болыаой информационной емкос5 ти.

Известен полупрОводниковый накопитель, содержащий четырехтранзисторные элементы памяти с инжекционным питанием, инжекторы р-и-р транзисторов соединены с адресной шиной, базы р-и-р транзисторов подключены к противоположным переключающим и-р-и ,транзисторам, эмиттеры и-р-п транзис торов соединены с разрядными шинами. 15 .Информация считывается в виде разности токов или разности потенциалов 313, Известен. накопитель для полупроводникового запоминающего устройства на основе четырехтранзисторных элементов памяти с инжекционным питанием, использующий три шины выборки.

В этой накопителе для считывания информации используется фиктивный тран зистоо, база и коллектор которого подключены к нижней адресной шине, а эмиттер к фиктивной, четвертой шине выборки. Информация считывается в виде разности потенциалов между разрядной и фиктивной шинами t2i.

Однако эти устройства обладают недо-статочным быстродействием.

Иэ известных полупроводниковых накопителей наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является полупроводниковый накопитель, содержащий элементы памяти, установленные в пересечении адресных и разрядных шин, генераторы тока, подключенйые к разрядным шинам, управляющие элементы, выполненные на транзисторах, эмиттеры которых подключены к шине питания, коллекторы— к соответствующим разрядным шинам, а базы являются управляющими входами накопителя (3). о

К недостаткам устройства следует отнести схемотехническое построение накопителя, при котором возможен выход транзисторов разрядных ключей из режима насыщения при обращении к . разряду, что ухудшает быстродействие накопителя. Кроме того, протекание в разрядных шинах емкостного тока перезаряда через выбранный элемент памяти в режиме считывания информации-приводит к ухудшению помехозащищенности накопителя и разрушению информации в выбранном элементе памяти.

955202

Пель изобретения — повьыение быстродействия накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается введением шунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых подключены к соответствующим разрядным шинам, а катоды являются дополнительным управляющим входом наКопи= теля.

На чертеже представлена блок-схема Я накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.

Накопитель содержит массив элементов 1 памяти, соединенных адресными

2 и разрядными 3 шинами, генераторы

4 тока, управляющие элементы 5, выполненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах.

Схема работает следующим образом.

В режиме хранения ток, задаваемый генераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всех элементов памяти. В режиме считывания выбор строки осуществляется понижением потенциала соответствующей адресной шины, при этом токи io в разряд- . ных шинах 3 невыбранных раэрядов отключаются. В выбранном разряде равные токи разрядных шин ie втекают в инжекторы выбранного элемента 1 памяти, разность потенциалов на разрядных шинах возникает за счет разности. токов коллекторов р-и-р транзисторов.

Ток в инжекторах невыбранных элементов памяти в выбранном разряде прая"35 тически отсутствует вследствие более высокого потенциала адресных шин 3.

Но информация в невыбранных элементах памяти сохраняется на емкостях ячеек в течение относительно короткого пе- .4О риода выборки. Перезаряд емкостей разрядных шин в выбранном разряде осуществляется с помощью диодной цепочки, диоды которой открываются понижением потенциала в общей точке. . 45

Режим записи аналогичен режиму считывания с тем лишь отличием, что ток одной из.разрядных шин в выбранном разряде подключается на землю через управляющий элемент. 5, управляемый сигналом записи, поступающим на его базу.

Использование новых элементов шунтирующих элементов для перезаряда емкостей разрядных шин выгодно. отличает предлагаемый полупроводниковый накопитель от известного, так как позволяет повысить помехозащищенность и быстродействие накопителя особенно при и.пользовании диодов Шоттки.

Формула изобретения

Накопитель для полупроводникового запоминающего устройства, содержащий элементы памяти, установленные в пересечении адресных и разрядных шин, генераторы тока, подключенные к разрядным шинам управляющие элементы, выполненные на транзисторах, эмиттеры которых подключены к шине питания, коллекторы - к соответствующим разрядным шинам, а базы являются управляющими входами накопителя, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повы-: шения быстродействия накопителя, в него введены шунтирующие элементы, выполненные на диодах, аноды которйх подключены к соответствующим разряд-. ным шинам, а катоды являются дополнительным управляющим входом накопителя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Патент СЕА Р 4158237, кл. 365-154, опублик. 1979.

2. Патент США Р 4112511, кл. 365-188, опублик. 1979.

3. IEEE ISSCC "Digest of. Technial Papers", 1970, р. 222, 223, 276 (прототип).

955202

BuidopZu

Составитель В. Рудаков

Редактор Н. Гришманова Техред М.Надь Корректор М. Демчик

Заказ 6448/61 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4