Способ регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов

 

О П И С А Н,И Е ()982088

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистически к

Республик (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22)Заявлено 18 ° 05.81 (21) 3286g81/18-24 с присоединением заявки М(23) Приоритет (51)М. Кл.

G 11 С 11/14

Гоо аоротееккыИ комитет

СССР во далек esodperesIIit и открытки (5Ç) УДИ681. 2У..66(088.8) Опубликовано 15. 12. 82. Бюллетень № 46

Дата опубликования описания 15. 12. 82 (72) Авторы изобретения

А.В.Маркялис и Г.А.Зубаускас (71) Заявитель

Каунасский политехнический институт им. Антанаса Снечкуса (54 ) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПОЛЯ КОЛЛАПСА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис пользовано при построении устройств хранения ипереработки дискретной информации на цилиндрических маг" нитных доменах (,ЦМД ).

Поле коллапса ЦИД является одним из наиболее важных статических параметров, величину которого необходимо регулировать при изготовлении эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов, применяемых в устройствах на

Цг(Д. В запоминающем устройстве много ,различных .эпитаксиальных структур, устанавливаются в одном узле со смещающим магнитом, и наилучшим расположением всех структур является идентичное. Однако, как показывает опыт, поле коллапса изменяется от одной со пленки к другой, иногда в существенных пределах, даже если условия выращивания пленок номинально идентичны.

Известен способ регулирования поля коллапса ЦМД путем химического травления, обеспечивающий плавную регулировку величины поля коллапса I.1 ).

Однако химическое травление грана", товой пленки является "мокрым" технологическим процессом, применение которого затруднено в случае локального воздействия на управляемый параметр.

Причиной этого является подтравливание, которое имеет место у краев, маски, защищающей не подвергающиеся травлению области гранатовой пленки.

При малых размерах областей метод химического травления становится неприменимым.

Наиболе близким техническим решением к изобретению является способ регулирования полл коллапса ЦМД, основанный на ионной имплантации доме," носодержащей пленки. Степень управления полем коллапса зависит от плотности дефектов, индуцированных ионной имплантацией. Изменение плотности

3 98208 дефектов, а вследствие этого и регулирование поля коллапса ЦИД осуществляется варьированием дозы внедренных ионов (2 ).

Однако применение данного способа становится затруднительным, когда необходимо легировать эпитаксиальную гранатовую пленку определенной (фиксированной) дозой ионов.

Цель изобретенил - упрощение ре- 1î гулирования поля коллапса ЦИД.

Поставленная цель достигается тем, что согласно .способу регулирования поля коллапса ЦИД, основанному на ионной имплантации доменосодержащей 15 пленки, ионную имплантацию доменосодержащей пленки проводят путем изменения плотности, ионного тока в пределах 0,01-4 мкд/см при по Z стоянной дозе имплантированных ионов. рв

Имплантацию проводят при Фиксированной дозе внедряемых ионов, а изменение поля коллапса осуществляют варьированием плотности ионного тока.

Согласно существующим теоретическим 2s представлениям изменение плотности иойного тока существенно влияет на кинетику возникновения и коническую плотность дефектов в облучаемом

- кристаллическом материале. 30

Тип ионов выбирают в соответствии с целью имплантационного легирования данного гранатового материала. Энергию имплантируемых ионов определяют в соответствии с требуемой толщиной легированного материала. Требуемую дозу определяют экспериментальным путем. Плотность ионного тока не рекомендуется выбирать более 5 мкИ/см, так как при более высоких значениях имеет место повышение температуры образца.

На чертеже изображена экспериментально полученная зависимость разностного значения. поля коллапса 4 Н к.ол . 4З от плотности ионного тока j.

Пример . Исследованию подвергается эпитаксиальная гранатовая структура, состоящая из эпитаксиальной пленки состава (ЧЬяСа). (FeGe)g 0j и немагнитнОЙ пОДЛОжки типа Gd> ia<0 . Исходные параметры пленки: толщина h 5,2 мкм, период

Pe = 11,3 мкм, поле коллапса ЦИД.

- Н11, „ 95,2 3. С целью проведения -, имплантации с различными плотностями ионного тока из этой структуры вырезают образцы размерами .10Х10 мм.

8 4

Имплантацил осуществляется на установке ионного внедрения "Везувий-l

Имплантируют ионы Йе+ с фиксированной энергией, равной l00 кэВ, и дозой 2.. 1014 ионов/см . Плотность ионного тока варьируется в пределах

0,01-4 мкА/см, Измерения проводятся с использованием магнитооптического эффекта Фарадел. ЦИД генерируются воздействием на локальную область пленки короткими импульсами, ; = 0,1 мкс) магнит-: ного поля, направление которого перпендикулярно поверхности исследуемо-!

ro образца. Измеряют значения полей коллапср ЦИД в имплантированной и неимплантираванной пленках с последующим определением разностного зна= чения ДН .Приведенная на чертеже зависимость указывает на то, что а данном случае регулировку поля коллапса осуществляют в пределах 0,72,6 Э.

Предлагаемый способ дает положи- тельный эффект: регулирование поля коллапса ЦМД осуществляют при постоянном значении одного из основных параметров ионного внедрениядозе. Это позволяет при регулировке величины поля коллапса с заведомо заданной дозой модифицировать химический состав имплантированного слоя.

В процессе регулирования поля коллапса измеритель дозы не нуждается в перестройке режима работы, что упрощает .регулирование поля коллапса ЩМД.

Формула изобретения

Способ регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, основанный на ионной имплантации доменосодержащей пленки, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упроще" ния регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, ионную имплантацию доменосодержащей пленки проводят путем изменения плотности ионного тока в пределах 0,014 мкА/см при постоянной дозе имплантированных ионов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе, 1. "Electronsñ Иайег1а1в", 1975, ч.4, h 4, р 757 .

2. lEEE Trans. Изыдь, 1975, MAG-11, Р 5, р.1082 (прототип). 982088

Составитель 6.Розенталь

Редактор Е.Лазуренко Техред А.бабинец Корректор И.Шароши

Заказ -9721/73 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

)13035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4