Элемент памяти

 

ОПИСАНИ1Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ вЂ” К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«Ii997099

Союз СоветскикСоциалистических

Республик г ",1

// е . " .е. (6f) ДопОлнительное к авт. сеид-ву(22) Заявлено 130781 (2f) 3317157/18-24

Р М К, з

G 11 C 11/34 с присоединением заявки HP—

Государственный комитет

СССР оо делам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 150283. Бюллетень HP 6 Щ УДК 681 ° 327 ° .б{088.8) Дата опубликования описания 150283

1 (72) Автор изобретения

С.д. Савранский

Ъ а

" f,/

" -ч. (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

1. Р

Изобретение относится к вычисли=

:тельной технике, в частности к постоянным запоминающим устройствам.

Известен элемент памяти, представ ляющий собой подложку с нанесенным на нее слоем стеклообразного полупроводника, чувствительного к электрическому полю и расположенного между . двумя электродами, к.которым прикла..Иинаекся няек*рическсе напряжение (1) Эти элементы памяти, выполняемые в виде "сэндвич" .или планарной структуры, характеризуются наличием двух устойчивых состояний — высокоомного и низкоомного, которые сохраняются без затраты энергии. Переход из высокоомного в низкоомное состояние совершается при достижении на элементе памяти порогового напряжения U>, Низ коомное состояние запоминается сколь угодно долго. Элемент памяти может быть возвращен в высокоомное состояние подачей на электроды электрического импульса-. Подобные элементы 25 памяти обладают симметричной вольтамперной характеристикой (ВАХ) и поэ тому способны запомнить прохождение электрического импульса произвольной аюцлярности. : . - 30

Недостатком в работе элементов памяти является их чувствительность к изменениям температуры.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является элемент памяти, содержащий изолируквгую подложку с электродами, между которыми расположен слой из стеклообразного полупроводника 2 ) .

Недостатком известноГо элемента памяти является резкая зависимость порогового напряжения от температуры окружающей среды, что приводит к неустойчивости в работе элемента и к появлению ложных срабатываний.

Цель изобретения — повышения надежности элемента памяти.

Цель достигается тем, что известный элемент памяти содержит резистивный слой, выполненный, напрймер, из LGp<038ао 9т Т10 ° расположенный между электродами параллельно слою . из стеклообразного полупроводника с двух его сторон.

На фиг. 1 представлена конструкция предложенного элемента памяти, выполненного в виде "сэндвич" структуры; на фиг. 2 — предложенный элемент памяти.в виде планарной структурыр на фиг. 3 — температурные за997099 висимости порогового напряжения U при введении в структуру резистивного слоя (кривая 1) и без него (кривая 2); на фиг. 4 — динамическая BAX предложенного элемента памяти; на фиг. 5 — температурные зависимости удельных сопротивлений слоя с резистинными свойствами,(кривая 1) и слоя стеклообразного полупроводника (кривая 2), Элемент памяти (фиг. 1 и 2) содержит изолирующую подложку 1, элек-, троды 2 и 3, резистивный слой 4, слой из стеклообразного полупроводника 5.

Изолируюцая подложка 1 может выполняться из ситалла, стекла и других материалов. Электроды 2 и 3 могут быть выполнены из молибдена, танта» ла и др. В качестве стеклообразного полупроводника 5 возможно использование различных халькогенидных и вана- . диено-фосфатных полупроводниковых 20 стекол. Резистивный слой 4, расположенный параллельно слою стеклообразного полупроводника 5, ныполняется из материалов на основе BaTi0> или (Ваза) т оЗ например а,оэВа09щт(0 . 25

Элемент памяти работает следующим образом.

На электроды 2 и 3 подается синусоидальное напряжение, которое создает падение напряжения на слое стек- 30 лообразного полупроводника 5 и,резистивном слое 4. Когда при температуре окружаюцей среды Т, (фиг. 3) на слое стеклообразного полупроводника 5 падение напряжения равно пороговому 35 напряжению 0„, то элемент памяти переходит из нысокоомного состояния в низкоомное (фиг. 4). При изменении температуры окружаюцей среды, например при ее увеличении, элемент памяти, в котором отсутствует резистивный слой 4, переходит в низкоомное состояние при меньшей амплитуде напряжения йа электродах 2 и 3, чем в случае более низкой температуры окружающей среды (фиг. 3, кривая 2).

При изменении температуры окружаюцей среды удельные сопротивления резистинного слоя 4 и слоя из стекло образного полупроводника 5 изменяются. Причем, н случае роста температуры окружающей среды, удельное сопротивление резистивного слоя 4 возрастает, а слоя из стеклообразного полупроводника 5 уменьшается (фиг. 5).

Поэтому соотношение падений напря- 55 жений между слоями 4 и 5 при изменении температуры среды также изменяется. Так при возрастании температуры окружаюшей среды на резистивном слое 4 падает большее напряжение go и при постоянной амплитуде напряжения, подаваемого на электроды 2 и 3, на слое стеклообразного полупроводника 5 падение напряжения остается равным пороговому Up при данной температуре, а следовательно, элемент памяти переходит н низкоомное состояние. Снятие избыточного перенапряжения со .слоя стеклообразного полупроводника 5 при увеличении температуры окружающей среды повышает устойчивость работы элемента памяти (фиг. 3 ), При снижении температуры окружающей среды по сравнению с первоначальной на электродах 2 и 3 элемента памяти, н котором отсутствует резистинный слой 4, .окажется напряжение U(U

3 при Т<Тн ц и элемент памяти не перейдет в низкоомное состояние. В элементе памяти, имеющем резистивный слой 4, из-за разного изменения удельных сопротивлений слоев 4 и 5 соотношение падений напряжений между слоями 4 и

5 также изменяется. Поэтому при уменьшении температуры окружающей среды элемент памяти перейдет в низкоомное состояние, когда на электродах 3 и 2 поддерживается напряжение постоянной амплитуды (фиг. 3). Низкоомное состояние запоминается сколь угодно долго, а в высокоомное состояние элемент памяти может быть возвращен подачей на электроды 2 и 3 сигнала, равного критическому напряжению.

Данное предложение позволяет повысить надежность работы элемента памяти, сделав ее независимой от окружающей среды.

Формула изобретения

Элемент памяти, содержащий изолирующую подложку с. электродами, между которыми расположен слой из стеклообразного полупроводника, о тл и ч а ю ц и и с я тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит резистивный слой, выполненный, например, из -аоООЪВао,997 Т103, расположенный меж ду электродамй параллельно слою из стеклообразного полупроводника, с двух его сторон.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Калыгин В.М. и др. Элементы памяти на основе тонких пленок нанадиево-фосфатного стекла. "Известия

ВУЗов . Физика, 1978, Р 8, с. 80 85.

2. Авторское свидетельство СССР

N 483709, кл. G 11 С 11/34, 1975(прототип).

997099

7нач

Pica. Я

Составитель В. ВакарРедактор М. Дылын Техред N.Tenep Корректор М. Коста

Заказ 942/70 Тираж 592 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий .113035, Москва, Ж-35, Рауиская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4