Элемент памяти

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ рв983754

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.07. 81 (21) 3321481/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 233.2.82 "Бюллетень ¹ 47

Дата опубликования описания 23. 12. 82 ($1)hA К з

G 11 С 11/34

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий ($3) УДК б81. 327. . б (088. 8) Х. Э. Азимходжаев и К. А. Адилов (72) Авторы изобретения

1

Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к вьтчислительной технике, в частности к оперативным запоминающим устройствам (ОЭУ) на основе МОП- или МНОП-структур. 5

Известны элементы памяти, представляющие собой структуру металлдиэлектрик — полупроводник (МОП и

МНОП), в которых запись и стирание запоминаемой информации осуществляется электрическим полем (1).

Недостатком этого элемента памяти является отсутствие оперативного управления длительностью сохранения информации.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположен слой фоточувствительного-монокристал- ла CdS с двумя параллельно размещенными электродами сток-исток, выполненными, например, из индия, над которыми размещен изолирующий слой, выполненный, например, из слюды, на поверхности которой расположен третий электрод перпендикулярно относительно электродов сток-исток (2J.

Недостаком известного элемента памяти является малая длительность сохранения информации при комнатной . температуре, которая не превышает десятков минут.

Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти.

Указанная цель достигается тем, что элемент памяти содержит дополнительный изолирующий слой, выполненный, например, из непрозрачной слюды, и размещенный над третьим электродом в месте расположения электрода сток.

На фиг. 1 представлен предлагаемый элемент памяти; на фиг. 2 — элект рическая схема включения элемента памяти; на Фиг. 3 — динамика записи, длительность хранения и стирания информации в известном (а) элементе памяти и в предлагаемом (в).

Элемент памяти содержит фоточувствительный монокристалл Сс15. 1, электроды сток — исток 2, диэлектрическую подложку 3, третий электрод 4, изолирующий слой 5, дополнительный изолирующий слой б, источник питания 7, нагрузочное сопротивление 8, выход схемы 9-10 включения, с которого производится опрос элемента памяти, входы 11 и 12 схемы, куда подается запоминаемый сигнал — импульс постоянногп электрического напряжения .iln .

983754

Элемент памяти получают следующим образом.

На Фоточувствительном высокоомном. монокристалле Г>ЙЯ 1, со средними размерами 0,5хО 15м0,005 см 3, расположенном на диэлектрической подложке 3 из относительно толстой (cl ) 300 мкм) слюды, создаются два токовых (омических) электрода 2 из индия, которые ,являются цепью сток-исток, и третий однороднополупрозрачный, изолирован- 10 ный от Фоточувствительного монокрис- талла 1 тонким (d 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из слюдяной пластинки, перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученный катодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1).

На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая является третьим электродом 4, над электродом . сток 2 наклеивают специальным клеем светонепропускающую диэлектрическую пластину — полоску из непрозрачной слюды шириной с1 500 мкм, которая является дополнительным изолирующим слоем б.

Аналогичные результаты дает и другой вариант исполнения, заключающийся в. образовании более толстого светонепро. пускающего слоя из платины (шириной

d 500 мкм), 30

Принцип-работы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.

На входы 11 и 12 элемента памяти, равномерно освещаемого монохроматическим светом(Х = 0,48 нм) при комнатной температуре (Т = 300 К) подается запоминаемый П-импульс постоянного поперечного электрического напряжения длительностью порядка миллисекунд и больше и амплитудой поряд- 40 ка U = 100 В и выше. После действия

П-импульса постоянного напряжения (записываемый сигнал) происходит резкое, практически до нуля, уменьшение фототока в течение некоторого 45 промежутка времени (фиг. За) . Это время намного раз превышает длительность П-импульса и соответствует времени запоминания. Таким образом, запоминаемый сигнал поступает в эле- 50 мент памяти в виде П-импульса электрического напряжения и отсутствие стационарного фототока в цепи сток — исток соответствует хранению записанной информации, а наличие фототока ее отсутствию. При наличии дополнительного изолирующего слоя б, при тех же условиях, при которых производилась запись и стирание информации в известном элементе памяти увеличивается в несколько раз и достигает часа и больше (фиг. Зб). Данная длительность времени 2э соответствует определенной величине запоминаемого напряжения, подаваемого на вход 11 и 12 элемента памяти, и интенсивности освещения. Увеличение интенсивности освещения в 2 раза уменьшает 3 в 10 раз .и наоборот,. а увеличение амплитуды поступающего сигнала U> в 2 раза увеличивает в несколько раз и наоборот. Эти времена колеблются от 2 мкс до 100 мин

Таким образом, в данном элементе памяти длительность хранения информации оперативно управляема. Это свойство качественно отличает предлагаемый элемент памяти от элемента памяти на основе МНОП-структур, он более надежен в работе по .сравнению с известным элементом.

Формула изобретения

Элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположен слой фоточувствительного монокристалла Ы$ с двумя параллельно размещенными электродами сток-исток, выполненными, например из индия, над которыми размещен изолирующий слой, выполненный, например из слюды, на поверхности которой расположен третий электрод перпендикулярно относительно электродов сток-.исток, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит дополнительный изолирующий слой, выполненный, например из непрозрачной слюды, и размещенный над третьим электродом в месте расположения электрода сток.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 4090258, кл. 340-173, 1978.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 193157, кл. G 11 С 11/34, 1967

{прототип).

983754

10 А ж

Составитель В. Вакар

Редактор Н. Лазаренко Техред З.Палий Корректор Л. Бокшан

Заказ 9933/61 Тираж 622 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 .

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4