Патенты автора Глухов Александр Викторович (RU)

Изобретение относится к области молекулярной биологии. Описан способ ранней диагностики онкологического заболевания на основе нанопроводной биосенсорной детекции с применением нанопроводного чипа (НП-чипа). Он включает анализ и подбор последовательности ДНК–олигонуклеотидных зондов (о-ДНК-зондов), комплементарных к участкам малых ядрышковых РНК, ассоциированных с развитием онкологического заболевания, ковалентную иммобилизацию указанных зондов на поверхности НП-чипа на базе полевого нанотранзистора. Способ также включает регистрацию ассоциированных с онкологическим заболеванием малых ядрышковых РНК, циркулирующих в крови пациентов, по изменению уровня тока, проходящего через сенсорный элемент НП-чипа, при образовании в процессе инкубации НП-чипа в образце крови диагностируемого пациента комплекса между о-ДНК-зондами и комплементарными им участками малых ядрышковых РНК. Техническим результатом предлагаемого способа ранней диагностики онкологического заболевания является обеспечение надежности диагностики при быстродействии на уровне нескольких минут. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств, использующих функции ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ и(или) ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ-НЕ, например, в схемах контроля четности и(или) нечетности и других многоразрядных цифровых устройств. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия 4-входового вентиля ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ, и повышение надежности за счет уменьшения его динамического тока потребления. Четырехвходовой КМОП логический вентиль ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ/ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ-ИЛИ-НЕ содержит МОП транзисторы P-типа первый, второй и с семнадцатого по двадцать восьмой, МОП транзисторы N-типа с третьего по шестнадцатый, вывод питания высокого уровня напряжения VDD, вывод питания низкого уровня напряжения GND, прямые входы А, В, С, D, инверсные входы выход Y и выход . 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к области медицинской диагностики. Предложен способ ранней диагностики глиомы, включающий выбор последовательности ДНК-олигонуклеотидных зондов, комплементарной к участкам кольцевой РНК, ассоциированной с развитием глиомы, и последующую регистрацию кольцевой РНК, циркулирующей в крови пациента, с помощью биосенсора нанопроволочного чипа. По образованию комплексов между указанными последовательностями ДНК-олигонуклеотидных зондов и комплементарными им участками кольцевой РНК диагностируют глиому. Изобретение обеспечивает надежность диагностики при повышении чувствительности и быстродействия на уровне нескольких минут. 1 ил., 3 табл., 1 пр.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств, использующих функции ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и (или) ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ, например в схемах контроля четности и (или) нечетности и многоразрядных сумматорах. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия известного трехвходового вентиля ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ/ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ и повышение надежности за счет уменьшения динамического тока потребления. Трехвходовой КМОП логический вентиль ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ/ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ содержит первый и второй и с тринадцатого по двадцатый МОП транзисторы Р-типа, МОП транзисторы N-типа с третьего по двенадцатый, вывод питания высокого уровня напряжения VDD, вывод питания низкого уровня напряжения GND, прямые входы А, В и С и инверсные входы выход XOR и выход XNOR. 1 ил.

Изобретение относится к области вычислительной техники. Техническим результатом является повышение надежности схемы управления элементом манчестерской цепи переноса и снижение ее массогабаритных показателей. Раскрыта схема формирователя управляющих сигналов, содержащая двухвходовый логический элемент И-НЕ, выход которого является выходом сигнала Генерация-НЕ , двухвходовый логический элемент ИЛИ-НЕ, выход которого является выходом сигнала Удаление D, вход операнда А, соединенный с первыми входами двухвходовых логических элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, вход операнда В, соединенный со вторыми входами двухвходовых логических элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, первый инвертор, вход которого соединен с выходом двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ, второй инвертор, выход которого является инверсным сигналом Распространение-НЕ , а вход прямым - Распространение Р, при этом в нее введены два МОП транзистора Р-типа, затвор одного из которых соединен с выходом двухвходового логического элемента И-НЕ, а другого - с выходом первого инвертора, стоки обоих МОП транзисторов Р-типа - с входом второго инвертора, а истоки - с шиной источника питания высокого уровня напряжения VCC, и МОП транзистор N-типа, затвор которого соединен с выходом двухвходового логического элемента И-НЕ, исток - с выходом двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ, а сток - с входом второго инвертора. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении быстродействия Цифровой КМОП схемы сдвига. Технический результат достигается за счёт схемы Высоковольтного преобразователя уровня напряжения, которая содержит: семь полевых транзисторов Р-типа (1-7) и семь транзисторов N-типа (8-14), вход сигнала IN, входы источников опорного напряжения VDD и VDD, инверсный выход , выводы питания высокого уровня напряжения VCC и VDD и низкого уровня напряжения VSS. 1 ил.

Способ включает смешивание сухих компонентов согласно рецептуре, при этом в состав композиции в качестве частичной замены рыбной муки и других источников животного белка вводят гидролизат тушек пушных зверей. Готовый корм содержит до 1% свободного лизина, а также до 0,5% свободных цистеина и метионина (суммарно), что составляет не менее 1/3 от оптимального содержания данных аминокислот в кормах для осетровых и лососевых рыб. Изобретение обеспечивает обогащение кормовой композиции легко усваиваемыми свободными незаменимыми аминокислотами. 4 з.п. ф-лы, 5 табл., 3 пр.

Изобретение относится к формирователю импульсного сигнала. Технический результат заключается в увеличении мощности МДП-транзисторов при низком уровне питания формирователя широтно-импульсных сигналов. Формирователь импульсных сигналов содержит МДП-транзисторы с каналом n-типа, резистор и конденсатор нагрузки, бутстрепный конденсатор и диод, где по линии 13 подается напряжение питания элементов формирователя импульсных сигналов, а по линии 14 поступает входной сигнал управления. В формирователь импульсных сигналов введен дополнительно резистор для увеличения постоянной цепи заряда бутстрепного конденсатора, один конец которого соединен с линией питания, другой подключен к аноду бутстрепного диода. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области конструирования и производства силовых полупроводниковых приборов и, преимущественно, кремниевых ограничителей напряжения. Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления кристаллов силовых полупроводниковых приборов с плоским р-п-переходом, исключающего использование драгоценных и токсичных металлов, а также осаждение атомов металлов омических контактов на р-п-переход при травлении нарушенного слоя кремния с боковой поверхности кристалла, образовавшегося после разделения кремниевых пластин с р-п-структурами на кристаллы, т.е. снижение паразитного тока утечки р-п-перехода. В предложенном способе создаются условия для полной изоляции, как по поверхности, так и по боковому срезу слоев металлизации, металлов омических контактов кристаллов при травлении нарушенного слоя кремния. 1 табл., 6 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно технологии изготовления КМОП-структур, используемых в преобразовательных и цифровых устройствах. Техническим результатом является формирование единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного высоковольтного силового транзисторов с целью получения интеллектуального силового ключа любой сложности на одном кристалле. Благодаря внесению поправок в базовые операции, возможно совершенствование параметров КМОП-структур и характеристик изготавливаемых интегральных схем на более ранних производственных этапах, что повышает рабочие параметры МОП-транзисторов и надёжность, улучшает характеристики интегральных схем и расширяет их функциональные возможности. В базовую КМОП-технологию единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного силовых транзисторов внедрены технология изготовления «карман в кармане» для создания р- МОП-транзисторов с изолированным карманом n-типа и технология вертикального N-MOSFET, где исходным материалом служат эпитаксиальные структуры. Используются следующие операции: первое окисление, плазмохимическое травление SiO2, «I» фотолитография, травление SiO2, ионное легирование «р-карман», перераспределение «р-карман», «II» фотолитография, травление SiO2, ионное легирование «n-карман», перераспределение «n-карман», «III» фотолитография, травление SiO2, окисление термическое, ионное легирование «Подлегирование», «IV» фотолитография, травление SiO2, тонкое окисление, нанесение поликремния Si*, «V» фотолитография, травление Si*, «VI» фотолитография, ионное легирование «Область n++», «VII» фотолитография, ионное легирование «Область р++», отжиг, формирование SiO2 (нелегированный), осаждение борофосфоросиликатного стекла, отжиг, «VIII» фотолитография, травление борофосфоросиликатного стекла, напыление металла, «IХ» фотолитография, травление металла, осаждение SiO2, «X» фотолитография, травление SiO2. 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат – повышение надежности и уменьшение массогабаритных показателей. Схема формирователя управляющих сигналов содержит двухвходовой логический элемент И-НЕ, выход которого является выходом сигнала Генерация-НЕ (), двухвходовой логический элемент ИЛИ-НЕ, выход которого является выходом сигнала Удаление (D), вход операнда (А), соединенный с первыми входами двухвходовых логических элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, вход операнда (В), соединенный со вторыми входами двухвходовых логических элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, первый инвертор, вход которого соединен с выходом двухвходового логического элемента И-НЕ, второй инвертор, выход которого является прямым сигналом Распространение (Р), а вход инверсным - Распространение-НЕ (), отличается тем, что в нее введены МОП транзистор Р-типа, затвор которого соединен с выходом двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ, исток - с выходом двухвходового логического элемента И-НЕ, а сток - с входом второго инвертора, и два МОП транзистора N-типа, затвор одного соединен с выходом двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ, а другого - с выходом первого инвертора, стоки обоих МОП транзисторов N-типа - с входом второго инвертора, а истоки - с шиной источника питания низкого уровня напряжения (GND). 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области разработки и производства радиационно стойких полупроводниковых приборов, преимущественно, низковольтных термокомпенсированных стабилитронов, применяющихся в качестве источников опорного напряжения, т.е. базовых электронных компонентов, в электронных системах высокоточной аппаратуры, в т.ч. в системах управления летательными аппаратами. Технический результат изобретения - создание способа повышения радиационной стойкости термокомпенсированных стабилитронов (ТКС), конструкция которых содержит два включенных навстречу друг другу p-n-перехода - "основной", включенный в обратном направлении, с положительным знаком температурного коэффициента обратного напряжения, и "компенсирующий", включенный в прямом направлении, с отрицательным знаком температурного коэффициента прямого напряжения, обеспечивающего радиационный уход напряжения стабилизации ТКС при воздействии предельных доз радиации не более нескольких мВ. Технический результат достигается тем, что ТКС изготавливается в двухкристальном исполнении, т.е. основной и компенсирующий p-n-переходы формируются в отдельных кристаллах, причем кристалл с компенсирующим p-n-переходом дополнительно легируют золотом. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода. Изобретение обеспечивает создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе одиночных кремниевых p-n-структур с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм. Способ изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, содержащих базовые кристаллы кремния с созданными в них p-n-переходами, состоящими из p-слоев, легированных примесью p-типа проводимости, и n-слоев, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов и металлических омических контактов, металлических теплоотводов, металлических выводов и герметичных корпусов, по которому согласно изобретению базовые кристаллы выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а p-n-переходы в базовых кремниевых кристаллах формируют длительной высококонцентрационной диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°С в течение времени от 8 до 48 часов. 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения быстродействующих преобразователей уровня напряжения, в том числе при сопряжении элементов электронных систем с несколькими источниками питания. Схема преобразователя уровня напряжения содержит: семь полевых транзисторов P-типа (1-7) и пять N-типа (8-12), входы прямого IN и инверсного входных сигналов, вывод питания высокого уровня напряжения VDD, вывод питания низкого уровня напряжения (GND) и выход OUT. Предложенный преобразователь уровня напряжения имеет более высокое быстродействие преобразования напряжения высокого уровня и возврата к низкому уровню напряжения. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в стабилизированных источниках вторичного электропитания, системах управления электрическими машинами, устройствах измерительной техники и автоматики. Технический результат заключается в повышении качества стабилизации напряжения и тока за счет повышения температурной стабильности. Поставленная цель достигается тем, что формируется широтно-модулированный сигнал управления, пропорциональный величине постоянной составляющей тока обратной связи, который изменяет угол наклона пилообразного напряжения на конденсаторе. Ширина импульсного сигнала определяется длительностью нарастания пилообразного напряжения до момента достижения значения эталонного напряжения. Устройство формирования двухканального широтно-модулированного сигнала состоит из преобразователя напряжения обратной связи в ток, выполненного на операционном усилителе, резисторе, МДП-транзисторе, которые обеспечивают высокий коэффициент усиления и термостабильность. 5 ил.

Изобретение относится к стабилизированным источникам вторичного питания и может быть использовано для питания различных радиотехнических устройств. Технический результат - повышение надежности введением схемы защиты от коротких замыканий выходов или в момент подключения источника входного напряжения; повышение качества стабилизации посредством применения термостабильного источника опорного напряжения; снижение потерь мощности уменьшением выходного тока драйвера и расширение диапазона входных напряжений при помощи вольтдобавки в схеме управления между затвором и стоком регулирующего МДП-транзистора. В стабилизаторе постоянного напряжения, подключаемом к источнику входного напряжения постоянного тока, содержащем регулирующий транзистор, LDC-фильтр, дополнительный источник питания, триггер Шмитта, драйвер, источник опорного напряжения, дифференциальный усилитесь и делитель выходного напряжения, согласно изобретению введен дополнительный транзистор, обеспечивающий блокировку подачи сигналов управления на регулирующий транзистор, что обеспечивает его защиту от высоких уровней токов, которые возникают при коротком замыкании выходов или в начальный момент времени. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Пироэлектрический детектор миллиметрового излучения выполнен на основе пироэлектрической пленки с системой считывания сигнала, в котором на поверхности пироэлектрической пленки размещен ультратонкий резонансный поглотитель, состоящий из диэлектрической пленки, с одной стороны которой, обращенной к падающему излучению, выполнен металлизированный топологический рисунок, образующий частотно избирательную поверхность и обеспечивающий поглощение на заданной длине волны миллиметрового излучения, а с обратной стороны нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, который имеет с пироэлектрической пленкой надежный физический контакт, обеспечивающий эффективную передачу тепловой волны от поглотителя к пироэлектрической пленке. Технический результат заключается в повышении быстродействия детектора. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области электронной техники. Техническим результатом является повышение надежности, снижение потерь и улучшение динамических показателей, таких как уровень перенапряжения и интервал переходного процесса, при деструктивных воздействиях и в момент подключения светодиодов. Это достигается тем, что в излучающем устройстве, подключаемом к источнику электрической энергии, содержащем преобразователь электрической энергии, включающий выпрямитель с емкостным фильтром, стабилизатор напряжения, блок защиты с параллельным силовым ключом и катушкой индуктивности, соединенные последовательно, и параллельно-последовательные цепочки излучающих элементов, новым является то, что силовой ключ с катушкой индуктивности подключены последовательно ко всем светоизлучающим элементам, а алгоритм управления обеспечивает защиту устройства от всех деструктивных воздействий. Алгоритм управления силовым ключом заключается в том, что на интервале включения ограничивается максимальный коэффициент заполнения импульсов на уровне 0,5, а после выхода на установившийся режим работы сигнал управления формируется методом широтно-импульсной модуляции. 7 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения надежных, портативных, многоразрядных, быстродействующих сумматоров, построенных по схеме «Манчестерская цепь переноса» (Manchester Carry Chain). Технический результат заключается в повышении надежности и уменьшении массогабаритных показателей. Схема управления элементом манчестерской цепи переноса содержит входы операндов А и В, инверсный выход сигнала Генерация G ¯ , выход сигнала Удаление D, прямой выход сигнала Распространение Р и инверсный выход сигнала Распространение-НЕ P ¯ , первый 1 и второй 2 инверторы, двухвходовой логический элемент ИЛИ-НЕ 3, первый 4 и второй 5 двухвходовые логические элементы И-НЕ. 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения надежных, портативных, многоразрядных, быстродействующих сумматоров, построенных по схеме «Манчестерская цепь переноса» (Manchester Carry Chain). Техническим результатом является повышение надежности и уменьшение массогабаритных показателей. Устройство содержит первый и второй инверторы, двухвходовой логический элемент И-НЕ, первый и второй двухвходовые логические элементы ИЛИ-НЕ. 1 ил., 1 табл.

Предлагаемое изобретение относится к области контроля и регулирования искусственного освещения с применением мощных светодиодов при питании от внешних источников постоянного тока. Технический результат - увеличение срока службы светодиодов и точности регулирования силы тока за счет регулирования по среднему значению тока, что достигается формированием щиротно-модулированного сигнала управления встроенным транзисторным ключом посредством интегрирования сигнала с датчика тока и сравнения его с синхронным пилообразным напряжением, где для защиты от понижения входного напряжения, тока короткого замыкания и перегрева элементов используются RS-триггер, логические элементы и источник опорного термостабильного напряжения. Проверка устройства проведена путем имитационного моделирования в среде OrCAD и экспериментальных измерений. Результаты исследований доказали, что предлагаемое устройство позволяет повысить точность стабилизации тока до 3%, линейность характеристик и повторяемость источника тока для светодиодов, позволяет использовать более низкие индуктивности (50…500 мкГн) и предоставит возможность диммирования внешним сигналом. Преимуществом данного устройства является высокая стабильность тока, что не позволяет отдельному светодиоду в последовательном ряду быть перегруженным и обеспечивает большой срок службы. В случае пробоя одного из излучателей оставшиеся в работе светодиоды будут продолжать функционировать с корректным током. 6 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-n-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. При управлении и стабилизации скорости последиффузионного охлаждения низковольтных кремниевых р-n-структур ампулы с пластинами структур после высокотемпературного диффузионного отжига принудительно охлаждают потоком определенного количества воды, находящейся при определенной температуре. В этом случае достигается воспроизводимость количества легирующей примеси в диффузионном слое, находящейся в активном состоянии, что, в свою очередь, обеспечивает воспроизводимость значений напряжения пробоя низковольтных р-n-переходов и, соответственно, существенное увеличение выхода годных приборов. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-п-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. Кварцевая ампула для диффузии легирующих примесей в кремний методом закрытой трубы состоит из кварцевой колбы 3, в которую загружаются кремниевые пластины 1 и источник диффузии 2, кварцевой шлиф-пробки 4, служащей для герметизации ампулы со стороны загрузки ее кремниевыми пластинами 1 и источником диффузии 2, и кварцевого штенгеля 6, через который происходит вакуумирование ампулы с последующей отпайкой ампулы от вакуумной системы. Шлиф-пробка 4 выполнена в виде открытой полости 13, что позволяет извлеченную из диффузионной печи 8 после высокотемпературного диффузионного отжига кварцевую ампулу принудительно охлаждать определенным объемом холодной воды, заливая ее в полость 13 с помощью специального устройства 14, находящегося над ампулой. Изобретение обеспечивает управление и стабилизацию режима охлаждения кварцевой ампулы с кремниевыми планарными р-п-структурами непосредственно после высокотемпературного отжига. 6 ил., 1 табл.

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх