Патенты автора Терентьев Сергей Александрович (RU)
Изобретение относится к области изготовления бета-вольтаических батарей. Способ включает изготовление преобразователей энергии путём формирования на одной из сторон алмазной подложки жертвенного и остаточного слоев, синтеза поверх остаточного слоя эпитаксиального слоя алмаза, удаления жертвенного слоя и отделения эпитаксиального слоя алмаза с остаточным слоем от основной части подложки. Для полученных преобразователей измеряют напряжение холостого хода и ток короткого замыкания. Формируют группы преобразователей таким образом, что внутри каждой группы напряжение холостого хода отличается не более чем на 20%. Оставляют в каждой группе такое количество преобразователей, чтобы при их параллельном электрическом подключении внутри группы, все группы выдавали ток короткого замыкания с разницей не более 20%. Каждую полученную группу преобразователей прикрепляют к проводящей подложке, изолированной от подложек других групп, и электрически параллельно соединяют преобразователи внутри группы. Затем устанавливают группы преобразователей на подложках внутри корпуса батареи, электрически соединяют эти группы между выводами корпуса последовательно друг с другом и устанавливают поверх преобразователей источник бета-излучения в виде пластины. Техническим результатом является повышение эффективности получения электрической энергии при снижении количества отбракованных преобразователей за счет использования преобразователей с различными значениями напряжений холостого хода и токов короткого замыкания. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к области сушки сыпучих материалов с применением ультразвуковых колебаний. Высушиваемый материал размещают в барабанной сушилке вертикального типа на поверхностях спирального лотка, внутренний диаметр которого увеличивается от нижней части барабана к верхней. Перемещение материала вверх по спиральному лотку обеспечивают за счет вибрации и вращения спирального лотка. При достижении высушиваемым материалом верхнего витка спирального лотка его пересыпают на нижний виток. Воздействие ультразвуковыми колебаниями на материал осуществляют непрерывно на частоте не менее 20 кГц с уровнем силы ультразвука не менее 145 дБ при многократном прохождении колебаний от дискового излучателя до отражателей, выполненных на внутренней поверхности спиралей лотка под углом в 45 градусов, и далее между двумя последовательно расположенными на расстоянии не менее 15 мм витками спирального лотка и отражении от внутренней поверхности цилиндрического барабана. Изобретение должно обеспечить повышение производительности сушки за счет увеличения количества единовременно высушиваемого материала при сохранении затрат на энергетическое воздействие ультразвуковыми колебаниями и повышение качества конечного продукта за счет обеспечения равномерности ультразвукового воздействия на больший по размерам объем (массу) высушиваемого материала. 1 ил.
Изобретение относится к области сушки различных материалов с применением ультразвуковых колебаний. Способ ультразвуковой сушки сыпучих материалов предполагает размещение сыпучего материала, по крайней мере в одном цилиндрическом технологическом барабане, пересыпание его в процессе вращения барабана, воздействие ультразвуковыми колебаниями при помощи излучателя дисковой формы, установленного перед одной из торцевых стенок барабана так, что ось вращения барабана совпадает с акустической осью излучателя. Ультразвуковое воздействие осуществляют одновременно на высушиваемый материал, размещенный на внутренних и внешних поверхностях нескольких цилиндрических барабанов, вращающихся синхронно с одинаковой скоростью, все барабаны со стороны, противоположной излучателю, имеют общую торцевую стенку, расположенную на расстоянии, кратном половине длины волны используемых ультразвуковых колебаний в газовой среде, на внутренней стороне барабана максимального диаметра, а также на внешней и внутренней поверхностях каждого последующего барабана, вдоль каждой его цилиндрической образующей, выполнены лопасти, обеспечивающие при вращении барабана удержание материала на цилиндрических поверхностях при движении лопастей вверх, и высыпание материала при движении лопастей вниз, в каждом из барабанов, - кроме барабана максимального диаметра, - выполнены продольные пазы, обеспечивающие возможность засыпания материала из каждого внешнего барабана во внутренний при перемещении паза вверх и для высыпания материала из каждого внутреннего барабана во внешний - при перемещении паза вниз. Изобретение обеспечивает повышение производительности и качества конечного продукта за счет обеспечения равномерного распределения сыпучего материала и эффективного ультразвукового воздействия внутри барабанной сушилки. 6 ил.
ПЛАЗМОТРОН // 2702512
Изобретение относится к области плазменной обработки металлов, а именно к плазмотрону для наплавки, сварки, черных и цветных металлов. Корпус состоит из двух частей, соединенных с помощью винтов. Одна из частей выполнена из изолирующего материала, а другая из токопроводящего. Часть корпуса из изолирующего материала снабжена кольцом из теплопроводящего материала и связана с ним резьбовым соединением, а между ними с помощью уплотнений образована полость, соединенная с помощью отверстий, выполненных в части корпуса из изолирующего материала, и фитингов с источником охлаждающей жидкости. Анод выполнен в виде втулки из меди и соединен резьбовым соединением с частью корпуса из токопроводящего материала. Между корпусом и соплом выполнен кольцевой канал, соединенный с помощью отверстия в корпусе из изолирующего материала и фитинга с источником защитного газа. Электродный узел состоит из стержня с отверстием, выполненным по оси, и соединенного с частью корпуса, выполненного из изолирующего материала, с помощью резьбового соединения и наконечника, выполненного в виде медной трубки. Стержень и наконечник соединены с помощью резьбового соединения, а между наконечником и анодом в виде втулки образован кольцевой канал, соединенный с осевым отверстием стержня с помощью радиальных отверстий, выполненных в стержне. Между стержнем и частью корпуса, выполненного из изолирующего материала, с помощью уплотнений образована полость, соединенная отверстиями, выполненными в этой же части корпуса, с источником охлаждающей жидкости. Технический результат состоит в повышении эффективности охлаждения теплонагруженных деталей плазмотрона, упрощении конструкции, уменьшении габаритных размеров, снижении трудоемкости при обслуживании и ремонте, повышении надежности и расширение возможности по регулировке параметров плазменной дуги. 4 ил.
Устройство для идентификации алмаза // 2679928
Изобретение относится к области исследования природных и синтетических алмазов и может быть использовано для выявления и отделения природных алмазов от алмазных симуляций, для отделения природных алмазов от синтетических и для выявления спорных алмазов типа IIа, которые, возможно, были подвергнуты термобарической обработке с целью улучшения цвета. Заявленное устройство для идентификации алмаза содержит два источника излучения: дейтериевой лампы и лазера с длиной волны 405 нм. Излучение этих источников, прошедших через неограненный или ограненный алмаз, регистрируют спектрометром. Устройство также снабжено механизмом ввода-вывода нотч- фильтра между коллимирующими линзами приемного оптоволокна, направляющего излучения, прошедшие через образец алмаза и вышедшие из него, в спектрометр, который соединен с микропроцессорным контроллером, производящим анализ и интерпретацию полученных данных. Технический результат - разработка компактного мобильного устройства, обеспечивающего эффективную идентификацию ограненных и неограненных алмазов. 2 ил.
Изобретение относится к получению монокристаллов алмазов, в частности, легированных азотом и фосфором, при высоких давлениях и температурах, которые могут быть использованы в устройствах электроники. Способ выращивания легированных азотом и фосфором монокристаллов алмаза в области высоких давлений 5,5-6,0 ГПа и температур 1600-1750°С осуществляют на затравочном кристалле, который предварительно запрессовывают в подложке из хлорида цезия и отделяют от источника углерода, азота и фосфора металлом-растворителем, в качестве которого используют сплав железа, алюминия и углерода. Между источником углерода, азота и фосфора и затравочным кристаллом создают разность температур 20-50°С. Сплав железа, алюминия и углерода в металле-растворителе берут при следующем соотношении компонентов, вес.%: железо 92,5-95,0; алюминий 2,5-0,5; углерод 5,0-4,0. Смесь источника углерода, азота и фосфора берут при следующем соотношении компонентов, вес.%: углерод (графит) 95,0-97,0; фосфор 5,0-3,0; адсорбированный азот 0,001±0,0005. Нагрев осуществляют до начальной температуры в зоне роста на 100-250°С выше температуры плавления сплава металла-растворителя, производят выдержку при этой температуре от 50 до 150 ч. Массовая скорость роста кристаллов составляет более 2 мг/ч. Технический результат заключается в контролируемом легировании выращиваемого на затравке монокристалла алмаза примесями фосфора и азота в условиях воздействия высоких давления и температуры. Полученные крупные монокристаллы алмаза (весом более 0,6 карат) содержат примесь азота в концентрации 0,1-17,8 частей на миллион атомов углерода и фосфор в концентрации 0,5-5 частей на миллион атомов углерода. 2 ил., 3 пр.
ДАТЧИК КООРДИНАТ ОЧАГА ВОЗГОРАНИЯ // 2597466
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к устройствам пожарной сигнализации, и предназначено для обнаружения очага возгорания в газодисперсных системах (сплошная фаза-газ) и определения его двумерных координат по тепловому излучению источника. Техническим результатом изобретения является увеличение чувствительности, что позволяет повысить эффективность системы пожаротушения или взрывоподавления. Предлагаемый датчик содержит последовательно установленные входную сферическую линзу, разделитель светового потока, две цилиндрические линзы, каждая в своем оптическом канале, светофильтры с разными спектрами пропускания, однокоординатные приемники излучения, расположенные перпендикулярно друг другу и оптической оси датчика, дополнительно содержит две пары зеркал, причем каждая пара расположена после каждой цилиндрической линзы. 1 ил., 1 табл.
Изобретение может быть использовано в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию включает изготовление полупроводникового материала, состоящего из областей с р- и n-типами проводимости в области р-n перехода, нанесение на поверхность полупроводникового материала в разных его областях слоев различных металлов, присоединение к ним проводников и воздействие на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза ионизирующим излучением с одновременным снятием электричества с помощью проводников, при этом в качестве ионизирующего излучения используют высокоэнергетические источники альфа-излучения мощностью не менее 0,567 Вт/г, а в качестве полупроводникового материала изготавливают синтетический алмаз р-типа с содержанием бора 1014-1016 атомов на см3 и на его поверхностях в разных областях с р- и n-типами проводимости в вакууме наносят неразрывные металлические контакты, один из которых трехслойная система металлизации вида титан-платина-золото для съема положительного заряда и другой с потенциальным барьером Шоттки - из платины, золота или иридия для снятия отрицательного заряда, на который воздействуют ионизирующим излучением, в результате чего внутри алмаза создают область пространственных зарядов, последние в электрическом поле разлетаются на отрицательные заряды, собираемые на металле контакта Шоттки, и положительные, собираемые на контакте из титана-платины-золота, и с них снимают электричество. Техническим результатом изобретения является создание способа преобразования ионизирующего излучения в электрическую энергию, обладающего более простой схемой изготовления полупроводниковой структуры, более высокой радиационной стойкостью, а также более высоким сроком службы полупроводникового материала. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
СПОСОБ ДВУХСТУПЕНЧАТОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ЭНЕРГИЮ // 2564116
Изобретение относится к способу преобразования энергии ионизирующего излучения в ультрафиолетовое излучение. В заявленном способе предусмотрено использование диссоциирующего газа и преобразование ультрафиолетового излучения в электрическую энергию с помощью полупроводникового алмаза. Источник альфа-излучения испускает альфа-частицы, которые в диссоциирующем газе превращаются в ультрафиолетовое излучение. На пути ультрафиолетового излучения располагается синтетический полупроводниковый алмаз р-типа с контактом Шоттки и омическим контактом так, чтобы ультрафиолетовое излучение полностью или частично попадало на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза. При этом электрический ток снимается с контактов при помощи проводников и передается потребителю. Техническим результатом изобретения является исключение сложной, многостадийной схемы изготовления полупроводниковой структуры с возможностью использования только низкоэнергетических бета-источников, повышение электрофизических характеристик (радиационная стойкость, напряжение пробоя, подвижность электронов и дырок, теплопроводность) при преобразовании энергии ионизирующего излучения различных видов (альфа-излучение, бета-излучение, ультрафиолетовое излучение) в широком диапазоне энергий в электрическую энергию. 4 з. п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Изобретение относится к СВЧ электроакустике и является основой для создания стабилизированных генераторов сетки частот, узкополосных фильтров, высокочувствительных сенсоров и других СВЧ частотозадающих элементов для средств связи, автоматики и радиолокации. Технический результат - обеспечение высокой стабильности частоты генерации и минимального значения фазовых шумов в широком частотном диапазоне. Многочастотный резонатор на объемных акустических волнах содержит звукопровод и источник акустических колебаний, который включает в себя пьезоэлектрик, верхний и нижний металлические электроды , при этом источник акустических колебаний размещен на одной из поверхностей звукопровода, звукопровод выполнен из ориентированного монокристалла алмаза с кристаллографическими плоскостями срезов(100), или (110), или (111), соответствующих направлениям распространения чистых продольных мод. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО АЛМАЗА // 2537491
Изобретение относится к технологическим процессам получения легированных алмазов, которые могут быть использованы в электронике и приборостроении, а также в качестве ювелирного камня. Легированный алмаз получают методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на подложку в реакционной камере 2. Легирующий компонент 7 берут в твердом состоянии и размещают в камере легирования 3, в которой выполнено не менее трех присоединительных фланцев, два из которых служат для присоединения камеры легирования 3 к линии подачи рабочего газа 1, а третий - для прохождения лазерного излучения 8 в импульсном режиме через прозрачное окно 5 внутрь камеры легирования 3 для распыления легирующего компонента 7, причем концентрацию легирующего компонента 7 в алмазе регулируют путем варьирования параметров лазера: тока накачки лазерного диода, частоты лазерных импульсов, расстояния от фокуса лазерного излучения до поверхности легирующего компонента. В качестве рабочего газа может быть использована смесь водорода и метана в объемных соотношениях от 98:2% до 90:10%. Дополнительно в рабочий газ может быть введен кислород. Изобретение позволяет прецизионно и в широком диапазоне концентраций (от 1014 атом/см3 до 9×1019 атом/см3) легировать алмаз различными элементами, такими как бор, сера, кремний в процессе его роста путем ХОГФ. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 4 табл., 4 пр.
Изобретение относится к технологии изготовления термолюминесцентных дозиметров и может быть использовано в исследованиях воздействия радиации на вещества и биологические объекты, а также в аппаратуре дозиметрического контроля. Способ изготовления чувствительного элемента термолюминесцентного дозиметра включает изготовление кристаллического синтетического алмаза при температуре 1480°C и давлении 50 ГПа. Полученный кристаллический синтетический алмаз дополнительно отжигают при температуре 1400-2000°C и давлении 4,5-7,0 ГПа и охлаждают до комнатной температуры. Далее кристаллический синтетический алмаз подвергают термообработке повышением температуры до 470-530°C в течение 1,5-2,5 часов и плавно охлаждают до комнатной температуры. Алмаз содержит примеси бора и азота в концентрации менее 0,1 ppm и не более 1 ppm соответственно. Технический результат - расширение диапазона регистрируемых чувствительным элементом термолюминесцентного детектора доз облучения, особенно в области доз, близких к природным фоновым излучениям, обеспечение простоты, безопасности подготовки детектора к работе и увеличение времени хранения накопленной дозы облучения. 1 табл., 1 пр.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ // 2488912
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых диодов с барьером Шоттки на основе синтетического алмаза, широко применяющихся в сильнотоковой высоковольтной и твердотельной высокочастотной электронике
СПОСОБ ПОЛИРОВКИ АЛМАЗНЫХ ПЛАСТИН // 2483856
Изобретение относится к обработке поликристаллических алмазных пластин и изделий из них и может быть использовано для производства элементов микроэлектроники, оптики инфракрасного, видимого и рентгеновского диапазонов
Изобретение относится к области систем предупреждения об опасности, в частности к устройствам пожарной сигнализации, и предназначено для обнаружения очага возгорания в газодисперсных средах
ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА // 2390879
Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использовано в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД (ВАРИАНТЫ) // 2386193
Изобретение относится к области микроэлектронных источников света, более конкретно к светоизлучающим диодам ультрафиолетовой и видимой области спектра, и может быть использовано в оптоэлектронике, автоматике, микросистемной технике и других областях
ПРИБОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ // 2383969
Изобретение относится к электронным приборам на основе поверхностных акустических волн
УСТРОЙСТВО ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ // 2343969
Изобретение относится к строительству, а именно к устройствам для тепловой обработки возводимых в условиях построечной площадки конструкций из железобетона с использованием автоматического управления тепловыми процессами
УСТРОЙСТВО ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ // 2321449
Изобретение относится к устройствам для создания высокого давления и температуры и может быть использовано для синтеза сверхтвердых материалов, таких как алмаз и кубический нитрид бора, а также для термобарической обработки различных материалов
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА // 2320404
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза и может быть использовано для получения монокристаллов, предназначенных для изготовления наковален алмазных камер высокого давления
Изобретение относится к области систем предупреждения об опасности, в частности к устройствам пожарной сигнализации, и предназначено для обнаружения очага возгорания в газодисперсных средах
ЗОНДОВОЕ УСТРОЙСТВО // 2313776
Изобретение относится к технике контроля материалов и изделий и может быть использовано при наноиндентировании, или в сканирующем зондовом микроскопе, для измерения электрических свойств поверхности материала с нанометровым разрешением
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано для создания автоматических регуляторов возбуждения мощных синхронных двигателей
МЕШАЛКА // 2288029
Изобретение относится к технологическим процессам, а именно к устройствам для осуществления смешивания различных сред, в частности к вращающимся в неподвижных резервуарах рабочим органам смесителей лакокрасочных смесей
