Патенты автора Беспалов Владимир Александрович (RU)

Изобретение относится к области вакуумной фотоэмиссионной электроники и касается приемника изображений объектов, излучающих в ультрафиолетовом диапазоне. Приемник выполнен в архитектуре электронно-оптического преобразователя и включает входную оптическую систему, вакуумно-плотный корпус, входное окно, расположенный на торцевой поверхности входного окна фотокатод на основе поликристаллической алмазной пленки, легированной бором, микроканальную пластину, катодолюминесцентный экран и волоконно-оптическое стекло. Дополнительно в систему включен фотокатод на основе германия со сквозными отверстиями, поверхность которого располагается в фокальной плоскости инфракрасных изображений местности, формируемой общей оптической системой. При этом фотокатод на основе германия расположен либо на поверхности микроканальной пластины или на поверхности дополнительно введенной кремниевой мембраны. Технический результат заключается в обеспечении возможности регистрации излучающих в ультрафиолетовом диапазоне объектов в привязке к местности их расположения. 2 ил.

Изобретение относится к способам формирования структур данных канального уровня с использованием кадров переменной длины и динамическим интервалом отправки данных в системах автоматизированного мониторинга окружающей среды. Технический результат - уменьшение времени передачи информационного сообщения за счет формирования структуры кадров канального уровня переменной длины с поддержкой динамического интервала отправки данных в системах автоматизированного мониторинга окружающей среды. Формируют структуры данных канального уровня переменной длины с инкапсуляцией данных, полученных с применением селективного опроса сенсоров и, опционально, отладочной информации, расчета контрольной суммы сообщения, также в процедуре изменения интервала получения первичных данных с сенсоров устройства на основе индивидуальных предварительно сконфигурированных параметров доверительного интервала для каждого сенсора устройства и процедуры передачи данных с изменяемым интервалом. На приемной стороне вычисляют контрольную сумму, сравнивают принятую и расчетную контрольную сумму, и осуществляют поэтапное раскрытие содержимого полей кадра канального уровня для получения исходных данных. 3 ил.

Изобретение относится к области защиты информации. Техническим результатом является повышение достоверности обработки информации при ее защите от утечки по каналам ПЭМИН. Раскрыт способ повышения достоверности обработки информации, в котором при обработке информации в виде цифровых сигналов тракт обработки информации дополняют дополнительным трактом обработки и синхронно вместе с обработкой информации в защищаемом тракте обработки обрабатывают информацию в дополнительном тракте обработки, при этом обработку в дополнительном тракте обработки осуществляют в виде сигналов, амплитудные и частотно-временные параметры которых подобраны таким образом, чтобы портрет ПЭМИН от обоих трактов в целом, возникающий в окружающем пространстве при обработке информации, был идентичен для каждого такта обработки, при этом при завершении обработки информации в защищаемом тракте обработки и в дополнительном тракте обработки информации результаты обработки информации в обоих трактах обработки сравнивают на предмет соответствия друг другу, в случае обнаружения соответствия принимают решение о достоверной обработке информации, в случае обнаружения несоответствия принимают решение о недостоверной обработке информации. 1 ил.

Изобретение относится к области технической защиты информации, в частности к средствам для обнаружения факта попытки получения несанкционированного доступа к речевой информации. Технический результат заключается в обеспечении возможности обнаружения факта попытки получения несанкционированного доступа к речевой информации с использованием лазерных акустических систем, функционирующих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн. Устройство для обнаружения факта попытки получения несанкционированного доступа к речевой информации с использованием лазерных акустических систем разведки, функционирующих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн, включает светопропускающе-рассеивающее перекрытие оконного стекла. Указанное перекрытие представляет собой пленку-штору с флуоресцентными пигментными пятнами. Размер каждого по площади равен не менее одного квадратного сантиметра, а максимально возможный линейный размер светопропускающе-рассеивающей поверхности пленки, свободной от пятен с флуоресцентным пигментом, не превышает одного сантиметра, за счет чего и обеспечивается возможность обнаружения факта попытки получения несанкционированного доступа к речевой информации. 1 ил.

Настоящее изобретение относится к технологии изготовления мощных интегральных схем. Задача настоящего изобретения - уменьшение токов утечки нитридгаллиевых НЕМТ транзисторов и интегральных схем на их основе до единиц наноампер при напряжениях до 600 В. Предлагаемый способ заключается в следующем: расположенный на подложке буферный слой GaN легируется углеродом; по границам транзистора формируются изолирующие области с помощью имплантации ионов азота; перед проведением операции ионной имплантации наносится пассивирующий слой нитрида кремния. 4 ил.

Изобретение относится к исследованиям прочностных свойств пленок и мембран, анализу работы изделий на их основе. Изобретение может быть использовано для анализа зависимости прогиба от избыточного давления при проведении испытаний пленок и мембран и последующих расчетов параметров датчиков давления, изготовленных на их базе. Сущность: подготовка образцов при проведении испытаний включает в себя закрепление кристалла с мембраной на держателе, фиксируется исходное положение и форма мембраны при свободном размещении образца на поверхности стола, рассчитывается площадь поверхности мембраны S - для простой формы мембраны путем аналитического расчета, а для сложной формы мембраны численно посредством наложения треугольной сетки, вычисляется исходный эффективный прогиб мембраны w0=wэ на основе анализа общей площади поверхности мембраны S и площади ее основания S0=πа2, где а - радиус отверстия в подложке, над которым сформирована мембрана, из соотношения после чего производится закрепление держателя с образцом в экспериментальной установке для создания избыточного давления таким образом, чтобы форма мембраны и ее эффективный прогиб не отличались от формы и эффективного прогиба свободно расположенной на поверхности стола мембраны на кристалле. При подаче на образец одностороннего избыточного давления производится фиксация текущей топографии поверхности мембраны и определяется значение текущего вертикального перемещения вершины образовывающегося купола мембраны относительно первоначального положения - изменение величины прогиба мембраны w относительно w0. Производится анализ изменения топографии поверхности мембраны при увеличении одностороннего избыточного давления, в том числе фиксируется момент изменения положения мембраны относительно поверхности подложки для хлопающих мембран. Для расчета механических свойств и анализа зависимости между величиной приложенного избыточного давления Р и соответствующим максимальным прогибом мембраны w, наблюдающимся в центре мембраны, используются величины, определенные на нелинейном участке зависимости w(P) - вблизи высоких давлений, при этом в качестве прогиба w используется разница между текущим прогибом мембраны при наличии избыточного давления Р и исходным эффективным прогибом w0 при отсутствии приложенного избыточного давления. Технический результат: повышение точности исследования пленочных материалов и изделий на их основе, в частности однослойных и многослойных мембран толщиной порядка единиц микрометров и менее, в том числе имеющих начальный прогиб при отсутствии избыточного давления, в том числе мембран со сложной исходной формой топографии поверхности, в том числе хлопающих мембран; повышение наглядности, удобства и чувствительности анализа зависимости прогиба мембран от избыточного давления. 2 ил.

Изобретение относится к термоэлектрическому оборудованию и может быть использовано при производстве термоэлектрических генераторов. Сущность: способ изготовления высокотемпературного термоэлемента с рабочими температурами от 300 до 1000°С, состоящего из двух полупроводниковых ветвей n- и p-типа проводимости, верхние грани которых соединены общей коммутирующей шиной, а к каждой нижней грани ветвей подсоединена своя индивидуальная коммутирующая шина, включает подготовку поверхностей верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание контактных систем, состоящих из контактных слоев, между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами. Ветви термоэлемента изготавливают из полупроводниковых материалов, представляющих собой твердые растворы SiGe n-типа проводимости, легированного Р, и SiGe p-типа проводимости, легированного В. Поверхности граней ветвей с помощью механической обработки подготавливают до шероховатости, не превышающей толщину первого наносимого слоя контактной системы. В качестве первого слоя используют слой тяжелых металлов Мо или W с низким удельным сопротивлением. Между первым слоем и коммутационным слоем создают дополнительный диффузионно-барьерный слой из аморфной пленки Ta-W-N, обеспечивающей термическую стойкость контактной системы при высоких температурах. Технический результат: обеспечение временной термической стабильности, повышение механической прочности, надежности и эффективности термоэлемента с рабочими температурами из интервала 300-1000°С. 1 табл.

Изобретение относится к датчикам лучистой энергии и устройствам получения изображений в широком спектральном диапазоне, в частности к болометрам. Техническим результатом является повышение чувствительности болометра. Технический результат достигается тем, что в качестве чувствительного элемента используется двухслойная пластина-кантилевер из материалов с разными коэффициентами теплового расширения, покрытая поглощающим излучение слоем, при этом для установки ее в исходное опорное положение служит дополнительный внешний электрод, опоясывающий кантилевер, изготовленный в виде меандра. 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники и электроники, в частности к средствам создания искусственных виброакустических помех и может быть использовано для осуществления виброакустического зашумления защищаемого помещения и его ограждающих конструкций. Технический результат - обеспечение возможностей формирования вторичного акустического шумового сигнала и визуального контроля технического состояния устройства. Устройство виброакустического зашумления помещения для достижения результата дополнительно содержит вибрационно-шумовую камеру, жестко прикрепленную к внешнему корпусу источника шума, которая содержит сферы, изготовленные из эпоксидной смолы, диаметр которых равен 1/20 объема вибрационно-шумовой камеры, а их количество выбирается из расчета заполнения 1/3 объема вибрационно-шумовой камеры, причем вибрационно-шумовая камера выполняется в виде прозрачной полусферы. 1 ил.

Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано для энергообеспечения имплантируемых медицинских приборов (ИМП). Задача изобретения - повышение стабильности чрескожной передачи энергии с помощью индуктивной связи при изменении взаимного положения передающего и приемного модулей. Это достигается тем, что предлагаемое устройство для чрескожной передачи энергии с помощью индуктивной связи содержит подключенный к модулю питания подстроечный модуль, содержащий в себе вычислительный блок с микроконтроллером и исполнительный блок с контуром генерации переменного тока на основе конструкции усилителя мощности класса Е, причем контур генерации переменного тока содержит два управляемых напряжением переменных конденсатора (варикапа), подключенных последовательно и параллельно к передающей катушке индуктивности, или два массива последовательно подключенных переключаемых конденсаторов, подключенных последовательно и параллельно к передающей катушке индуктивности, или два массива параллельно подключенных переключаемых конденсаторов, подключенных последовательно и параллельно к передающей катушке индуктивности. Изменение емкостей в нагрузочной цепи усилителя мощности класса E осуществляется таким образом, чтобы скомпенсировать изменения отраженного импеданса при изменении взаимного положения приемной и передающей катушек индуктивности и, таким образом, обеспечить поддержание мощности на нагрузке, максимально близкой к номинальному значению. 3 ил.

Изобретение относится к изделиям медицинской техники, а именно к имплантируемым кардиомониторам. Двухдиапазонная антенна для имплантируемого кардиомонитора с планарной структурой состоит из комбинации инвертированной F-антенны с монопольной антенной в форме прямоугольного меандра. Антенна выполнена на многослойной печатной плате имплантируемого кардиомонитора в виде структуры из трех изолированных проводящих слоев с металлизированными проходными отверстиями. Обеспечивается малогабаритная антенна, работающая в двух диапазонах частот, с формой и размером, определяемыми небольшими габаритами радиопрозрачного отсека для размещения антенны. Благодаря включению конструктивных элементов антенны в состав многослойной печатной платы кардиомонитора упрощается его сборка и повышается надежность за счет исключения дополнительного узла сборки. 6 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных и СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов на кремниевой подложке и интегральных схем на их основе, а именно к технологии изготовления омических контактов с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре. После помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления осуществляется обработка пассивированной поверхности приборной гетероструктуры источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Далее на пассивирующий диэлектрик последовательно осаждаются методом электронно-лучевого испарения слои Si/Ti/Al/Ni/Au с толщинами 10-20/20/100/40/60 нм, соответственно. Затем производится термическая обработка контакта в атмосфере гелия при температуре 850°С в течение 30 с. Техническим результатом при реализации заявленного решения является создание омического контакта с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной GaN/AlGaN гетероструктуре на кремниевой подложке. 4 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии формирования GaN транзисторов различного назначения (мощных и СВЧ транзисторов) и, в частности, к созданию термостабильных меток совмещения, подходящих для электронной литографии и фотолитографии. Для обеспечения высокой интенсивности и низкого размытия потока отраженных электронов после проведения технологических операций при температурах в диапазоне 800-1000°С, а также для уменьшения стоимости технологического процесса предлагается конструкция меток на основе гафния. Метка состоит из двух слоев металлов: молибдена (Мо) толщиной до 50 нм и гафния (Hf) толщиной 50-100 нм. Использование подслоя молибдена улучшает адгезию меток совмещения к поверхности гетероструктуры, а высокие температуры плавления применяемых металлов обеспечивают сохранение формы и морфологии меток при термообработке подложки. 2 ил.

Способ может использоваться при межоперационном контроле механических напряжений и дефектов в функциональных слоях. Способ включает эллипсометрические измерения показателя преломления на локальных участках пленки, однократное определение на каждом участке пленки толщины dƒ и показателей преломления для обыкновенного no и необыкновенного ne лучей, по которым рассчитывают значения величины двойного лучепреломления Δn: Δn=(no-ne). Карту механических напряжений σ и вызванных ими дефектов определяют по закону фотоупругости: σ=Δn/k, где k - упругооптическая постоянная, определяемая по формуле: k=Δn/σ, с использованием величины σ, определенной по формуле Стоуни: где ds, ν и Es - соответственно толщина, коэффициент Пуассона и модуль Юнга подложки, R - эффективный радиус кривизны подложки с пленкой. Топографический рельеф - локальные радиусы кривизны поверхности - определяют по величине двойного лучепреломления Δn и толщине слоя dƒ. Технический результат - уменьшение времени и сложности контроля дефектности и механических напряжений и расширение номенклатуры измеряемых параметров. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к микрооптоэлектромеханическим системам или оптическим МЭМС (MOEMS) системам, точнее к области миниатюрных инерционных (вибрационных) оптических датчиков с использованием MOEMS систем. Заявлен оптомеханический вибрационный микродатчик, полностью интегрированный в кремниевую подложку с оптической схемой считывания интерференционного типа, с планарной структурой на базе волноводов из оксинитрида кремния, причем конструкция микродатчика состоит из волноводного интерферометра Маха-Цендера, одно из плеч которого расположено по периметру кантилевера, другое плечо на подложке. Колебания кантилевера приводят к изменению длины оптического волновода за счет деформации слоя, в котором расположен волновод. Изменение длины одного из плеч интерферометра приводит к изменению фазового соотношения волн, суммируемых на выходном элементе связи. Элементом связи в интерферометре на входе и выходе могут быть направленные ответвители (связанные волноводы) или многомодовые устройства связи. Разница в интенсивности светового потока между двумя волноводами в плечах интерферометра пропорциональна ускорению в широком диапазоне амплитуд и позволяет интерферометру обнаруживать механическое смещение. Технический результат - упрощение конструкции, повышение надежности, чувствительности и возможности работы в суровых условиях окружающей среды (сильные электромагнитные поля и высокая температура). 2 ил.

Изобретение относится к приемникам-преобразователям оптических изображений с внутренним усилением. Оно может быть использовано для регистрации и усиления оптических изображений объектов в спектральном диапазоне 40…270 нм вакуумного ультрафиолета (ВУФ), с возможностью последующего цифрового преобразования аналогового сигнала изображений. Устройство выполнено в виде эмиссионного приемника изображений архитектуры ЭОП, чувствительного в спектральном диапазоне 40…270 нм. Входное окно выполнено из алмазной пластины, насыщенной SiV центрами с внешней стороны до толщин, больших обратной величины коэффициента поглощения входного излучения на длинах волн в 40…270 нм, а фотокатод из материалов, чувствительных в спектральном диапазоне 730…740 нм, расположен на тыльной стороне входного окна. Технический результат - возможность регистрации, преобразования и усиления оптических изображений пассивных (отражающих) и активных (излучающих) объектов с минимальными размерами ~ 80…90 нм, с пороговой чувствительностью в (1…3)×10-11Вт/(Гц)0,5 и токовой чувствительностью в 30…40 мА/Вт. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник электронов, анод с винтовым окончанием, штенгель и электрические контакты. Вместо входного окна располагают вакуумно-плотно соединенную с корпусом металлическую заглушку, автокатод выполняют на основе гетероструктуры подложка Si-nanoSi-C-MoC либо подложка Si-nanoSi-C-графен и располагают на внутренней стороне заглушки, вытягивающий электроны электрод выполняют из металл-углеродной либо графеновой пленки и располагают между автокатодом и анодом. Технический результат - повышение однородности автоэмиссии для автокатодов большой площади. 1 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для использования в разработках и исследованиях конструктивно-технологических методов создания автоэмиссионных сред, в том числе и сред, процесс автоэмиссиии из которых активируется электромагнитным излучением оптического либо радиочастотного диапазонов. В частности, указанное устройство необходимо для разработки и исследований технологий и конструкций высоковольтных и сильноточных автокатодов, для изучения протекающих в них деградационных процессов. Это достигается объединением в рамках единой вакуумно-плотной конструкции оптического и автоэмиссионного узлов, совместная работа которых основана на интеграции такого ряда физических процессов, как автоэмиссия электронов, стимулированная электрическим полем фотоэмиссия электронов, и катодолюминесценция. Технический результат - обеспечение возможности для изучения в режиме «on line» статики и динамики процессов автоэмиссии, определения степени однородности эмиссии с поверхности автоэмиссионных сред с разрешением не хуже 50-100 мкм, изучения динамики и статики процессов деградации, корреляционных связей между деградацией электрических характеристик и морфологическими изменениями поверхности автокатодов. 4 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается электронно-оптического преобразователя. Преобразователь включает в себя корпус с вакуумно-плотными входным и выходным окнами, фотокатод на основе алмазной пленки, ускоряющие электроды, волоконно-оптическую пластину, люминесцентный экран и геттер. На входном окне расположен тонкий слой прозрачного в УФ области спектра соединения сурьмы с цезием. За входным окном расположена прозрачная для ультрафиолетового диапазона пластина с нанесенным на нее со стороны, обращенной к люминесцентному экрану, фотокатодом на основе слаболегированной акцепторами поликристаллической алмазной пленки. Технический результат заключается в обеспечении возможности управления квантовой эффективностью и положением «красной границы» фоточувствительности. 2 ил.

Изобретение относится к области рентгеновской техники. Источник рентгеновского излучения содержит автокатод, рабочей областью которого является кромка круглого отверстия в проводящем слое, а антикатод (анод) выполнен симметричным относительно оси отверстия автокатода в виде фигуры вращения и имеет радиус меньше радиуса этого отверстия. Предложены варианты точечного и матричного интегрального исполнений. Технический результат - увеличение поверхностной излучаемой мощности рентгеновского излучения и срока службы источника. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-0,45 мкм. Технический результат - расширение спектральной области чувствительности к электромагнитному излучению. Фотокатодный узел состоит из оптического окна для входного излучения и фотокатода, который выполнен в виде сплошной либо сетчатой мембранной конструкций на основе поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами, или сплошной поликристаллической алмазной пленки, слаболегированной акцепторами с нано- и микроструктурированной поверхностью, и многощелочного фотокатода, содержащего цезий и сурьму, расположенного на тыльной стороне входного оптического окна в виде пленки наноразмерной толщины в 10-30 нм на расстоянии 0,1-1,0 мм от приемной поверхности алмазного фотокатода. 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти. Магниторезистивная ячейка памяти содержит перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, а также средства записи и считывания, при этом дополнительно содержит закрепляющий слой из полупроводникового материала p- или n-типа проводимости, следующий за ним слой из полупроводникового материала противоположного ему типа проводимости, образующие p-n-переход, содержит адресную и разрядную шины, расположенные с двух сторон перечисленных выше слоев ячейки памяти, средства формирования токов записи в адресной и разрядной шинах, средства считывания в виде средства измерения электрического сопротивления ячейки памяти, а также средства задания полярности и величины относительного электрического смещения между адресной и разрядной шинами. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области электронной техники. Технический результат - расширение в длинноволновую область диапазона спектральной чувствительности к электромагнитному излучению, повышение токовой чувствительности и квантовой эффективности. Фотоэлектронный умножитель представляет собой гибридную сборку многоэлементного устройства в составе входного оптического окна, алмазного фотокатода, динодов и анода. Пленка многощелочного фотокатода наноразмерной толщины расположена на выходной поверхности оптического окна, поверхность алмазного фотокатода нано(микро)структурирована и слабо легирована акцепторами, поверхность динодов нано(микро)структурирована и покрыта алмазной пленкой, слабо легированной акцепторами.

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для использования в приборах измерения давления жидкостей и газов. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и технологии изготовления датчика давления. Датчик давления содержит измерительный блок, упругую мембрану и, по меньшей мере, один колебательный упругий элемент (резонатор), связанный с мембраной с возможностью изменения его натяжения в соответствии с деформацией мембраны. Мембрана выполнена круглой в плане и, по крайней мере, с одним концентрическим гофром (или несколькими концентрическими гофрами), перекрытым закрепленным на его краях кольцевым резонатором из магнитного материала или с дополнительным магнитным элементом (элементами). Измерительный блок содержит по меньшей мере один электромагнит и выполнен с возможностью возбуждения колебания резонаторов и регистрации их колебаний. 11 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой вибродатчик в микроэлектромеханическом исполнении и может использоваться для регистрации вибрации, в том числе с субмикронной амплитудой, и измерения параметров вибрации. Датчик включает упругий элемент с магниторезистивными датчиками с двух сторон, выполненный с возможностью колебаний в существенно неоднородном поле магнита с плоскими полюсами. Вызываемое вибрацией колебание упругого элемента приводит к изменению сопротивлений магниторезисторов в противофазе, а внешние поля - к синфазному изменению сопротивлений магниторезисторов, что увеличивает чувствительность вибродатчика и расширяет возможности для выделения полезного сигнала. Техническим результатом является повышение чувствительности при малых амплитудах вибрации и уменьшение влияния внешних электромагнитных полей. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

АНЕМОМЕТР // 2535650
Предложенное изобретение относится к микромеханическим системам для измерения потоков жидкостей и газов и определения направления данных потоков. Заявленный анемометр, предназначенный для измерения указанных величин, содержит цилиндр, датчики, расположенные на его поверхности, и блок съема и анализа данных. При этом указанный цилиндр выполнен сплошным или полым с не менее чем двумя продольными полостями на цилиндрической поверхности, покрытыми упругими стенками того же радиуса кривизны, на каждой из которых сформирован по крайней мере один тензодатчик, соединенный с блоком съема и анализа данных. Причем его полости могут сообщаться с внешней средой через фильтр, а его продольные полости могут быть заполнены газом или быть герметичными. Данное изобретение позволяет повысить устойчивость к воздействию внешней среды и существенно уменьшить температурную деградацию его основных элементов. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение касается переключателя или коммутатора, содержащего хотя бы один такой переключатель, который содержит бистабильный элемент в МЭМС-исполнении, средства переключения и коммутационный узел. В качестве коммутационного узла использован МДП-транзистор, подвижным затвором которого служит подвижная подпружиненная мембрана с хотя бы одним проводящим элементом над областью канала МДП-транзистора и с включением из магнитного материала. Магнитное включение на мембране может быть выполнено из магнитомягкого или магнитотвердого материала. Для перевода мембраны из одного стабильного состояния в другое на магнитное включение на мембране воздействуют внешним (внешними) или выполненным (выполненными) заодно с переключателем одним или несколькими источниками магнитного поля. Технический результат - создание обладающего высокой надежностью простого в изготовлении и универсального в применении МЭМС-переключателя с фиксированными состояниями, с сохранением состояния в отсутствие питания, не требующего больших напряжений для переключения и не имеющего магнитных контактов. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области микросенсоров, а именно к микроэлектромеханическим системам (МЭМС) для измерения потоков жидкостей и газов - МЭМС-термоанемометрам. Анемометрический датчик содержит чувствительный элемент, выполненный в виде двух и более открытых контролируемому потоку упругих лепестков. Сам чувствительный элемент с электрическими контактами к нему выполнен из пьезоэлектрического материала и выполняет функцию датчика колебаний. Также упругие лепестки имеют разные длины. К чувствительному элементу каждого лепестка соответствующей определенной длины подводится отдельный контакт. Каждой длине соответствует свой динамический диапазон измерения потока и в зависимости от силы потока функционируют определенные лепестки: более длинные регистрируют малые потоки, более короткие - большие за счет разных частот собственных колебаний. Техническим результатом является создание простого в изготовлении анемометрического датчика с низким расходом энергии и малыми размерами, способного определять наличие потока. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к магнитоуправляемым коммутирующим устройствам - коммутаторам тока, используемым в широком диапазоне коммутируемых нагрузок и мощностей. Устройство содержит токопроводящие элементы и магнитное вещество, мостовую перемычку, закрепленную с помощью гибкого подвеса, на которую нанесено магнитное вещество в виде тонкой магнитомягкой пленки на полупроводниковой подложке, на которой сформированы сток и исток МДП-транзистора, а токопроводящие элементы соединены с истоком и стоком МДП-транзистора. Техническим результатом является повышение чувствительности коммутатора, повышение надежности и долговечности. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к сенсорам физико-химических или биохимических воздействий, в частности к области инфракрасной техники, а именно к преобразователям теплового излучения в электрический сигнал. В адаптивном датчике на основе чувствительного полевого прибора, содержащем структуру «металл-диэлектрик-полупроводник» с полупроводниковой подложкой и подвижным проводящим электродом на консоли, включающей слои с различными коэффициентами термического расширения, размещены затвор и p-n переход для ввода электрического сигнала. Это позволяет изменять заряд в структуре «металл-диэлектрик-полупроводник» и тем самым управлять подвижным электродом, удерживая его в оптимальном, для работы датчика, положении. Техническим результатом изобретения является реализация адаптивного датчика на базе термочувствительного полевого прибора и повышение его чувствительности, точности измерения и быстродействия. 4 ил.

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам для измерения потоков жидкостей и газов и измерения давления. Техническим результатом является уменьшение паразитной теплопередачи и повышение чувствительности термоанемометра. Мембранный термоанемометр содержит нагреватель и термодатчик, газонаполненную герметичную полость кристалла. Газ в полости имеет диапазон значений теплопроводности не выше, чем одна десятая от теплопроводности материала мембраны. Нагреватель и термодатчик расположены внутри этой полости. Термоанемометр может использоваться в качестве датчика давления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении твердотельных компактных мощных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазонов частот. Гетеропереходная структура согласно изобретению представляет собой совокупность чередующихся пар узкозонных (GaAs, либо GaN) и широкозонных (соответственно, Ga1-x Alx As, либо Ga1-xAlxN) полупроводниковых слоев. Толщины чередующихся узкозонных и широкозонных слоев выбираются одинаковыми в диапазоне 30…100 нм, узкозонные GaAs и GaN слои многослойной гетероструктуры легируются донорами до концентраций 5·1017…1·1018 см-3, а широкозонные слои Ga1-xAlxAs и Ga1-xAlxN не легируются, количество периодов пар чередующихся GaAs и Ga1-x Alx As (и, соответственно, GaN и Ga1-xAlxN) слоев мультислойной гетероструктуры выбирается от трех до нескольких десятков, мольная доля арсенида алюминия для всех слоев арсенида галлия - арсенида алюминия выбирается из диапазоне 0,20…0,35, а мольная доля нитрида алюминия для всех слоев нитрида галлия - нитрида алюминия выбирается из диапазона 0,35…0,65, при этом в слое Ga1-x Alx As (для системы GaAs-AlAs) и в слое Ga1-xAlxN (для системы GaN-AlN) из пары, наиболее удаленной от подложки, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) понижена и составляет около 0.7·Х, а сам этот слой покрыт более толстым (не менее 150 нм) легированным GaAs (соответственно, GaN) слоем. Вариантом заявляемой структуры может быть структура, в которой в слое твердого раствора из пары, ближайшей к подложке, мольная доля арсенида алюминия (соответственно, нитрида алюминия) составляет (0,65…0,75)·Х. Изобретение обеспечивает существенное увеличение мощности твердотельных генераторов субтерагерцового и терагерцового диапазона частот излучения 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может найти применение в качестве приборной структуры для твердотельных автоэмиссионных диодов и эмитирующих электроны активных элементов функциональных узлов как в твердотельной электронике, так и в вакуумной эмиссионной электронике, в том числе в силовой СВЧ электронике. Гетеропереходная структура согласно изобретению состоит из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа и имеющей омический контакт к тыльной стороне, при этом на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 1020-1024 м-3. Изобретение обеспечивает возможность значительного увеличения рабочих токов автокатода, либо автоэмиссионных диодов, повышения стойкости устройств к деградации и увеличения их рабочего ресурса. 5 з.п. ф-лы, 1 пр., 6 ил.

Изобретение относится к средствам радиолокационного обнаружения и может использоваться в охранных, поисковых, мониторинговых системах с наличием живого человека

Изобретение относится к средствам радиолокационного обнаружения движущегося объекта и может использоваться в сигнальных системах в качестве датчика

Изобретение относится к области термометрии и может быть использовано в нефтяной, газовой, химической, пищевой промышленности, а также в других областях техники

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в процессе измерения параметров потоков жидкостей или газов

Изобретение относится к термометрии, а именно к контактным датчикам для измерения температуры как движущейся среды-теплоносителя в трубопроводах, так и для измерения температуры любой окружающей среды, например воздуха

Изобретение относится к инфракрасной технике, а именно к преобразователям теплового излучения в электрический сигнал

Изобретение относится к области теплоснабжения многоэтажных жилых и промышленных объектов

Изобретение относится к области теплоснабжения многоэтажных жилых и промышленных объектов

Изобретение относится к термометрии, а именно к контактным датчикам для измерения температуры движущейся среды - теплоносителя, и может быть использовано в нефтяной, газовой, химической, пищевой промышленности, а также в коммунальном хозяйстве для измерения температуры среды, находящейся в трубопроводах, независимо от диаметра трубы

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных системах с параллельной обработкой информации смешанной формы представления

Изобретение относится к средствам специализированной вычислительной техники и может найти применение в спектральном анализе сигналов в реальном масштабе времени

Изобретение относится к вычислительным системам и системам обработки информации

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх