Неорганические соединения или композиции (C30B29/10)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B29 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C)
(1352)
C30B29/10 Неорганические соединения или композиции(47)
Изобретение относится к сульфидным соединениям с магнитострикционным эффектом, которые могут быть использованы для нужд микроэлектроники, сейсмографии и космической техники, в частности, к созданию многофункциональных магнитострикционных материалов.
Изобретение относится к области получения монокристаллов бората железа. Способ повторного использования раствор-расплава при синтезе бората железа FeBO3 заключается в том, что используют раствор-расплав, содержащий компоненты Fe2O3 - В2О3 - PbO - PbF2, после синтеза сливают раствор-расплав, далее рентгенофлуоресцентным анализом (РФА) определяют концентрацию железа W(Fe) и свинца W(Pb) в слитом раствор-расплаве для вычисления параметра состояния «n» по формуле где W(Fe) - концентрация железа, W(Pb) - концентрация свинца, при этом параметр «n» в исходном растворе-расплаве выбирают равным 0,1, при снижении параметра «n» в слитом раствор-расплаве вычисляют количество оксида железа, израсходованного при синтезе FeBO3, восстанавливают раствор-расплав путем добавления в него рассчитанного количества FeBO3 и разогрева до 900°С, проводят гомогенизацию восстановленного раствор-расплава при температуре 900°С в течение суток, снова исследуют его методом РФА для контроля состояния, определяя параметр «n», и при приближении значения «n» к исходному используют восстановленный раствор-расплав для повторного синтеза FeBO3.
Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов 57FeBO3. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе 57FeBO3 заключается в том, что после синтеза 57FeBO3 раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы 57FeBO3 с размерами более 5 мм в поперечнике без видимых дефектов поверхности и кристаллы 57FeBO3 размерами менее 5 мм в поперечнике и с видимыми дефектами поверхности, далее восстанавливают раствор-расплав путем растворения в нем дефектных кристаллов 57FeBO3 при температуре до 900°С и гомогенизации путем выдержки при 900°С в течение 20 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 30 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 40 ч, затем рентгенофлуоресцентным анализом определяют концентрацию железа W(57Fe) и свинца W(Pb) в восстановленном растворе-расплаве для вычисления параметра состояния раствора-расплава и при величине параметра 0,05≤n≤0,1 многократно используют раствор-расплав как пригодный для последующего роста кристаллов 57FeBO3.
Изобретение относится к технологии получения кристаллов гидроксиламинсульфата (ГАС), который используют в производстве капролактама и химических реактивов. Способ получения кристаллов гидроксиламинсульфата (ГАС) из водного раствора ГАС включает получение технологического раствора ГАС 1, его упаривание 2, 3 при повышенной температуре в вакууме, кристаллизацию 11 упаренного раствора при перемешивании с получением смеси раствора ГАС и кристаллов ГАС, центрифугирование 15, сушку 19 горячим воздухом и получение нескольких маточных растворов ГАС 17, 22, при этом упаривание 2, 3 проводят при остаточном давлении 300±10 мм рт.ст., процесс упаривания технологического раствора ГАС начинают при 80°С и завершают при 85°С, а окончание процесса упаривания определяют по получению в нейтрализаторе 8 конденсата 6 в объеме 35-40% от начального объема технологического раствора ГАС, кристаллизацию 11 проводят при перемешивании и температуре 9±2°С в течение 12 ч, а полученную после кристаллизации смесь 14 раствора ГАС и кристаллов ГАС направляют на стадию центрифугирования 15 с получением первичного маточного раствора ГАС 17 и кристаллов ГАС 16, при этом объединяют первичный маточный раствор ГАС 17 от обработки не менее чем двух порций технологического раствора ГАС и осуществляют упаривание 2, 3 объединенного первичного маточного раствора ГАС, которое начинают при температуре 85±3°С, завершают при температуре 90±3°С, и заканчивают упаривание при получении в нейтрализаторе 8 конденсата 6 в объеме 10-15% от начального объема первичного маточного раствора ГАС 17, при этом кристаллизацию 11 проводят при перемешивании и температуре 9±2°С в течение 12 ч, а полученную после кристаллизации смесь 14 раствора ГАС и кристаллов ГАС направляют на стадию центрифугирования 15 с получением дополнительного количества кристаллов ГАС 21 и вторичного маточного раствора ГАС 22, который возвращают на стадию получения технологического раствора ГАС 1, при этом из конденсата 6 получают раствор сульфата аммония 9 для утилизации на биологических очистных сооружениях.
Изобретение относится к получению экологически чистых источников света и люминофоров. Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария состава Sm0,78Sc3,22(BO3)4 нецентросимметричной моноклинной структуры имеет пространственную группу Сс с параметрами решетки а=7,6819 Å, b=9,8088 Å, с=11,9859 Å, β=105,11, обеспечивает генерацию второй гармоники при накачке на длине волны 1064 нм, излучает свет от 550 нм до 750 нм.
Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K2(Co,Ni)(SO4)2⋅6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С.
Изобретение относится к технологии переработки минерального сырья и предназначено для комплексного использования отходов металлургического и горнорудного производства. Способ получения сульфата магния из магнийсодержащего сырья включает подготовку исходного сырья к выщелачиванию, выщелачивание магния из сырья раствором серной кислоты при нагревании с добавлением промывной воды, фильтрацию полученной пульпы с отделением раствора сульфата магния от нерастворимого кека с последующей очисткой сернокислотного раствора от примесей нейтрализацией и фильтрацией пульпы с отделением железистого осадка от очищенного раствора сульфата магния, упаривание и кристаллизацию очищенного раствора сульфата магния, отделение кристаллов сульфата магния фильтрацией маточного раствора, при этом в качестве магнийсодержащего сырья используют серпентинитовые руды или магнийсодержащие пыли металлургического производства, процесс выщелачивания ведут серной кислотой с концентрацией 300-500 г/л, а нейтрализацию раствора сульфата магния осуществляют гидроксидом магния с концентрацией 200-300 г/л и добавкой пероксида водорода до достижения рН=7,0-7,5, причем из полученного железистого осадка извлекают магний посредством кислотной репульпации серной кислотой и отделения отмытого железистого осадка от промывных вод, которые направляют на выщелачивание исходного сырья.
Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K2(Со,Ni)(SO4)2x6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.
Способ получения нитрата калия // 2705953
Изобретение относится к технологии получения минеральных солей и удобрений и может быть использовано для получения нитрата калия. Способ получения нитрата калия включает конверсию раствора смеси нитрата натрия с хлоридом калия, при которой в раствор исходной смеси вводят при нагревании нитрат натрия.
Способ получения кристаллов cd3as2 // 2694768
Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы Cd3As2 получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см.
Способ получения тонкой нанокристаллической интерметаллической пленки на стеклянной подложке // 2680072
Изобретение относится к области физики низкоразмерных структур, а именно к формированию наноразмерной тонкопленочной структуры, и может быть использовано в различных высокотехнологичных областях промышленности и науки для создания новых материалов.
Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.
Изобретение относится к технологическим процессам, касающимся выделения из растворов солей в виде кристаллической массы, и предназначено для нереагентного изменения способности кристаллогидратов металлов регулировать инициирование зародышей и таким образом управлять числом зародышей и размерами выделяющихся кристаллов..
Изобретение относится к области кристаллографии. Способ включает приготовление маточного раствора с последующим его охлаждением в кристаллизаторе, внутри которого на платформе помещен затравочный кристалл, при этом предварительно готовят отдельно растворы сульфата кобальта, сульфата никеля и сульфата калия путем их растворения в горячей тридистиллированной воде, затем эти растворы смешивают, обеспечивая соотношение сульфата калия кобальта K2Co(SO4)2·6H2O и сульфата калия никеля K2Ni(SO4)2·6H2O - KCSH/KNSH в получаемом маточном растворе в диапазоне от 1:4 до 4:1, часть раствора отбирают для получения в чашке Петри затравочного и пробного кристаллов, уточняют температуру насыщения полученного маточного раствора по изменению размера пробного кристалла и затем фильтруют маточный раствор, платформу с полученным затравочным кристаллом устанавливают внутри кристаллизатора и нагревают до температуры, превышающей температуру насыщения на 10-15°C, подогревают отфильтрованный маточный раствор до температуры, превышающей температуру насыщения на 10-15°C, заливают этот маточный раствор в кристаллизатор, внутри которого находится затравочный кристалл, и ведут охлаждение маточного раствора, находящегося внутри кристаллизатора, до температуры, меньшей температуры насыщения на 0,05-0,1°C, после чего термостатируют раствор в течение 20-28 часов, а затем охлаждают со скоростью 0,05-0,5°C/сутки до комнатной температуры, или после достижения маточным раствором температуры, меньшей, чем температура насыщения на 0,05-0,1°C, включают в реверсивном режиме мешалку и охлаждают раствор до комнатной температуры, по достижении раствором комнатной температуры раствор сливают и извлекают из кристаллизатора полученный кристалл.
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой.
Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. .
Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. .
Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах.
Изобретение относится к области материалов и элементов спиновой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в гетероструктуре: ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник.
Изобретение относится к области оптических устройств, конкретно к созданию трехмерных фотонных кристаллов с полной фотонной запрещенной зоной, которые могут применяться в системах оптической связи и передачи информации.
Изобретение относится к области получения оптических сред, включая среды с избирательным пропусканием, с высокой лучевой прочностью. .
Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. .
Способ получения композиционного материала на основе фотонных кристаллов из оксида кремния // 2358895
Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов, которые могут быть использованы в квантовой оптоэлектронике и телекоммуникационной индустрии. .
Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2 ·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени.
Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).
Способ получения синтетического малахита // 2308554
Изобретение относится к изготовлению искусственно выращенных камней и может быть использовано в ювелирной промышленности и ювелирно-прикладном искусстве. .
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием.
Магнитный полупроводниковый материал // 2282685
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам германия и кадмия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов.
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов.
Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов. .
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. .
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации. .
Кремнегерманиевый кристалл // 2206643
Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3). .
Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе.
Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата). .
Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п. .
Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей. .
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов тугоплавких веществ, которые могут использоваться в электротехнической и инструментальной промышленности, а также в технике высоких температур.
Изобретение относится к составам для химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии, в частности при подготовке поверхности кристаллов CdSb, используемых для ИК-оптических элементах.
Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить спектральное пропускание деталей из монокристаллов, прозрачных в вакуумной и ультрафиолетовой областях спектра. .
Изобретение относится к технологии полупроводников-сложного состава, в частности к получению гетерострук- , тур, оба компонента которых принадлежат к соединениям класса А В С . .
Способ получения полиродана // 1629246
Травитель для монокристаллов нитрита натрия // 1612000
Способ получения кристаллов // 1535077
Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3). .
