Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЬК ПЛЕНОК по авт. св. 970468 о т л и ч а ю щ. и и с я тем, ,чтo, с целью повьпиения надежности способа, электролитическое осаждение немагнитной основы осуществляют в пирофосфат- , ной ванне с а,о(а.ъкаук спирта, лимэннрй кислоты и хлористого магния при плотности тона Ю - 5 -Ю А/м до об1)азований слоя меди толщиной не более 3 мкм,,электрополирование поверхности немагнитной основы осуществляют в фосфорнокислом растворе с добавкаъО кислоты при 25 - и, при плотности тока до 9,5-10 А/м, а осаждение слоя ; ферромагнятйого сплава осуществляют при плотности тока величиной не менее 5% и не боЛее 50% от величины .плотности тока электролитического осаждения немагнитной основы.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

&&& &

РЕСПУБЛИК

„„SU;„,:: A (Я) G 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA (611 970468 (211 3393250/18-24 (221 08 ° 02.82 (461 23.06.83, Бюл." Р 23 (72) П.И.Иващенко и С.К.Водеников (93) 681. 327 (088. 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В 970468, кл. С 11 С 11/14, 1981 (прототип) . (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК по авт. св. Р 970468, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения надежности способа, электролитическое осаждение немагнитной основы осуществляют в пирофосфатной ванне с добавками спирта, лимонной кислоты и хлористого магния при плотности тока 10 - 5 10 A/ì до образования-.слои меди толщиной не более 3 мкм,&электрополирование поверхности немагнитной основы осуществляют в фосфорнокислом растворе с добавками хромовой кислоты при 25 - (5 С и, при плотности тока до 9,5.10 А/м, а осаждение слоя ферромагнитного сплава осуществляют при плотности тока вепичиной не менее 5% и ие более 50% от величины плотности тока электролитического осаждения немагнитной основы.

1024985

Составитель В. Костин

Редактор О. Бугир Техред О. Неце КоРРектоР В. Гирняк Эаказ 4406/49 Тираж 594 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета ССОР по делам изобретений и открытий

113035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патеит", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндричес ких магнитных пленках (ЦМП).

По авт. св. Р 970468 известен способ изготовелния ЦМП, основанный на электролитическом осаждении немагнитной основы на .подложкуноситель и электрополировании немагнитной основы, электролитическом осаждении слоя ферромагнитного сплава и получении требуеьюх значений магнитного потока насыщения, коэффициента магнитострикции и коэрци тивной силы ЦМП путем регулирования соответственно электрического тока, температуры осаждения слоя ферромагнитного сплава и электрического тока электрополирования немагнитной основы по результатам сравнения магнитного потока насыщения, коэффициента магнитострикции и коэрцитивной силы с эталонными величинами (1) .

Недостатком известного способа является неудовлетворительная надежность, обусловленная тем, что для получения заданной величины шерохо-.. ватости поверхности немагнитной основы, обеспечивающей высокие значения .коэрцитивной силы слоя ферромагнитного сплава, требуются большие величины электрического тока полирования немагнитной основы, что приводит к потерям материала немагнитной основы с подложки-носителя и формированию дефектов на поверхности немагнитной основы.

Цель изобретения - повышение надежности способа изготовления цилиндрических магнитных пленок.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовлейия цилиндрических магнитных пле нок электролитическое осаждение не5 магнитной основы осуществляют в пирофосфатной ванне с добавками спирта, лимонной кислоты и хлористого магния при плотности тока 10 —

5. 10 A/M до образования слоя меди

3 толщиной не более 3 мкм, электроiO полирование поверхности немагнитной основы осуществляют в фосфорнокислом растворе с добавками хромовой .кислоты при 25 — 65 С и при плотнос» о ти тока до 9,5 10 А/м, а осаждение

15 слоя ферромагнитного сплава осуществляют при плотности еока величиной не менее 5% и не более 503 от величины плотности тока электролитичес-, кого осаждения немагнитной основы.

При плотности электрического тока осаждения ферромагнитного сплава величиной менее 0,05 плотности электрического тока осаждения немагнитной основы необходимо для достижения эта-..

25 лонных величин контролируемых параметров цилиндрической магнитной пленки уменьшать скорость движения подложки носителя в электролите, что приводит к снижению производительности процЕсса изГотовления ЦМП. При больших плотностях электрического. тока осаждения немагиитной основы образуется пористость и высокая газонасыщенность немагнитной основы, что существенно ухудшает выходные

3> характеристики ЦМП..

Испытания предлагаемого способа изготовления ЦМП показали, что выход годовых изделий увеличивается в.

1,3 раза по сравнению с известным .

4Q способом. Тем самым надежность способа существенно увеличивается.

Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок Способ изготовления цилиндрических магнитных пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх