Кассета для диффузии

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХ

РЕСГ1УБЛИН

А аю (и) 3(jg H 01 L 21/68

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABT0PGHOlNV СВИДЕТЕЛЬСТБУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3258045/18-21 (22) 03. 03.81 (46) 15.07.83. Бал. и 26 (72) Е.С.Мясищева, В.Н.Пирогов и 8.М.Окованцев (53) 621.396.6.002(088.8) (56) 1. Патент СЯА Н 3998333, кл.211-41, 21.12.76. (54) (57) КАСсгтд для диффьэии, преимущественно в полупроводниковые пластины, содержащая установленные одна на другую рамки,в каждой из которых выполнены чередующиеся между собой пазы.для полупроводниковых пластин и пластин:источника диффу-. зии, о т л.и ч à ю щ а я с я тем, что,с целью повышения выхода годных, . рамки снабжены выступами, при этом выступы одной рамки расположены со смещением относительно выступов другой-рамки по высоте и ширине,а угол смещения составляет 10-20ои его вершина размещена на оси, проходящей через центры двух загружаемых смежных полупроводниковых пластин и пластин источника диффузии, причем пазы для полупроводниковых пластин и пластин источника диффузии выполнены в выступах. ти, из плоскопараллельного источника является кассета для диффузии, содержащая установленные одна на другую рамки, в каждой из которых выполнены чередующиеся между собой пазы для полупроводниковых пластин (1 ). кассеты является то, что она не обес- 15 печивает соосность полупроводниковых

Ось, проходящая .через центры полупроводниковых пластин, расположена выше, чем ось, проходящая через центры плас-20 тин источника диффузиии, в результа-, те чего верхний край полупроводниковых пластин расположен выше, чем у пластин источника диффузии. Таким образом, нарушается принцип диффузии из плоскопараллельного источника, где предполагается равенство диаметров полупроводниковых пластин и пластин источника диффузии и совпадение осей, проходящих через центры пластин. В результате ухудшается воспроизводимость диффузионных параметров полупроводниковых приборов, снижается процент выхода годных.

Цель изобретения - повышение выхода годных. что кассета для диффузии, преимущественно в полупроводниковые пластины, содержащая установленные одна на другую рамки, в каждой из которых выполнены чередующиеся между собой пазы для полупроводниковых пластин, рамки снабжены выступами, при этом выступы одной рамки расположенного со смещением относительно выступов другой рамки по высоте и ширине, а угол смещения составляет 10-20 и о его вершина размещена на оси, проходящей через центры двух загружаемых смежных полупроводниковых алас50 тин и пластин источника диффузии,причем пазы для полупроводниковых пластин и пластин источника диффузии выполнены в выступах.

На фиг.1 представлена кассета для диффузии, нижняя рамка; на фиг.2то же, верхняя рамка; на фиг.3 - кас сета в сборе, вид сверхуь на фиг. 4-!

1 1029270

Изобретение относится к области то же, вид сбоку, разрез Б-Б; на изготовления полупроводниковых при- фиг.5 - разрез А-А, установка пласборов и может быть использовано для тины. проведения процессов диффузии в по- Кассета содержит держатель для лупроводниковые пластины, в частнос- 5 источника диффузии - рамку 1, на которой выполнены выступы 2 с пазав потоке газа-носителя. ми 3 для пластин источника диффузии

Наиболее близкой к предложенной и фиксаторы 4. Держатель для полупроводниковых пластин рамка 5 имеет

10 выступы 6 с пазами 7 для полупроводниковых пластин. Пласты нарезаны под углом 45О к плоскости кассеты.

Рамка 5 выполнена съемной и устаНедостатком известной конструкции навливается на рамку 1, при этом ее выступы попадают в промежутки между выступами рамки 1, а положение пластин и пластин источника диффузии., фиксируется фиксаторами 4. Выступы рамки 5 в собранной кассете расположены выше выступов рамки 1 и дальше от осевой линии кассеты, чем выступы

1, а угловое расстояние по высоте между выступами рамки 1 и выступами рамки составляет 10-20 при вершине угла, лежащей на оси, проходящей

25 через центры загружаемых пластин.

Такое конструктивное выполнение позволяет организовать непрерывность процесса, заменяя рабочие полупроводниковые пластины, не меняя источ30 ник диффузии, что дает возможность автоматизировать процесс.

Взаимное расположение выступов обеспечивает соосность пластин ис- . точника диффузии и полупроводниковых пластин, что улучшает воспроизводимость и однородность диффуПоставленная цель достигается тем, зионных параметров.

При работе рамки I кассеты загружают пластинами источника диффузии и проводят высокотемпературную обработку. Рамку 5 загружают полупроводниковыми пластинами и устанавливают на рамку l. кассеты с уже окисленными пластинами источника, при этом рамка 1 находится в камере загрузки печи. Угловое расстояние по высоте между опорными точками пластин источника и полупроводниковых пластин составляло 12, После проведения процесса диффузии съемную рамку 5 с пластинами выгружают из печи, а на .рамку 1 устанавливают другую сьемную рамку, предварительно загруженную новой партией полупроводниковых йластин, при этом обеспечивается непре рывная работа источника диффузии.

Кассета выполнена иэ кварца, позволяет проводить высокотемпературную обработку пластин источника диффувиковой кислоте, что экономит материалы, время и увеличивает срок службы источника диффузии..

% Кассета повышает производительность труда на диффузии за счет использования нескольких загруженных съемных рамок для одного основания, что позволяет загружать съемную рам1Е ку с полупроводниковыми пластинами в печь беэ выгрузки основания кассеты из печи и дает воэможность автоматизировать процесс.

3 1029270 зии отдельно от 1часи кассеты, используемой для полупроводниковых пластин, что исключает осаждение в пазы продуктов реакции и,следовательно, исключает последующее сплавление полупроводниковых пластин с кассетой. Это повышает выход годных структур на фотолитографии, так как устраняются на пластинах приплавленные кусочки кварца, препятствующие точному совмещению.

Предложенная конструкция исключает частое . травления кассеты в пла1029270

Составитель Л.Гришкова

Техред С.Иигунова

Редактор О.Колесникова

Корректор C. Огар

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул.Проектная, 4

» »

Заказ 4990/51 Тираж 703

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5