Способ изготовления выпрямительных элементов
Авторы патента:
Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.
Похожие патенты:
Способ создания силицидов металлов // 1080675
Способ создания силицидов металлов // 884481
Материал для омических контактов // 596097
Припой для контактов к арсениду галлия // 429482
Патент 373794 // 373794
Способ получения р-п переходов // 152033
Способ формирования силицидов металлов // 2405228
Изобретение относится к полупроводниковой технологии
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния
