Припой для контактов к арсениду галлия

 

ОПИСАН ИЙ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ пп 429482

Союз Советских

Соцкалистимескмх

Уеспублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 08.06.72 (21) 1795602/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано .25.05.74. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 25.10.74 (51) М. Кл. Н Oll 7/02

Государственный комитет

Соввта Министров СССР оо делам изооретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

А. П. Вяткин, И. И. Кривошеев и А. М. Мисик

Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (71) Заявитель (54) ПРИПОЙ ДЛЯ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к производству диодов, транзисторов и других полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия.

Известен припой на основе свинца с цинком для омических контактов к дырочному арсениду галлия. Поскольку свинец является нейтральной примесью в арсениде галлия, то для образования невыпрямляющего перехода р+ — р-типа в свинец добавляется цинк, являющийся акцепторной примесью для GaAs u образующий область р+-типа.

Известный припой характеризуется плохим смачиванием полупроводника расплавленным припоем, вследствие чего в контактах и, особенно, в контактах большой площади наблюдаются несмоченные участки и неровный фронт вплавления.

Предлагаемый припой позволяет улучшить смачивание полупроводника и повысить качество контактов за счет введения в припой в качестве составной части серебра, причем компоненты взяты в следующем соотношении, вес. %: цинк — 5 — 10; серебро — 2 — 5; свинец — остальное.

Припой состава: 90,5% Pb+7% Ztt+2,5% Ag

5 использовался для омических контактов к р-области диодов из арсенида галлия. Установлено, что данный припой вследствие лучшей смачиваемости создает более однородный контакт с улучшенными электрическими ха1о рактеристиками по сравнению с припоем без серебра.

Припой для контактов к арсениду галлия на основе свинца с цинком, отличающийся тем, что, с целью улучшения смачиванпя полупроводника при сплавлении и повышения ка20 чества контакта, в него введено серебро, причем компоненты взяты в следующем соотношении, вес. %: цинк — 5 — 10; серебро — 2 — 5; свинец — остальное.

Припой для контактов к арсениду галлия 

 

Похожие патенты:

Роевка // 15327

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния
Наверх