Материал для омических контактов

Авторы патента:

Теплова В.М.

H01L21/24 - сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой

Материал для омических контактов к арсениду галлия n-типа на основе олова, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и времени его выжигания, он содержит дополнительно галлий и медь при следующем соотношении компонентов, мас.%: Олово - 54 - 55 Галлий - 36 - 36,5 Медь - 9 - 9,5

Похожие патенты:

Припой для контактов к арсениду галлия // 429482

Патент 373794 // 373794

Способ изготовления германиевых планарных р_„_р- транзисторов // 293533

Способ получения р-п переходов // 152033

Способ получения тонкой базы // 133954

Патент 110731 // 110731

Способ изготовления кристаллов для детекторов // 45327

Роевка // 15327

Способ формирования силицидов металлов // 2405228

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Способ изготовления полупроводниковых диодов // 711947

Способ создания силицидов металлов // 884481

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках // 884482

Способ создания многослойных проводящих покрытий // 1047333

Способ создания силицидов металлов // 1080675

Способ изготовления выпрямительных элементов // 1082233

Способ изготовления горизонтальных биполярных транзисторов // 1537071

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 1581124

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния

Способ изготовления многослойных кремниевых структур // 1814430

Наверх