Элемент инжекционной логики со стабилизацией тока питания

 

ЭЛЕМЕНТ ИНЖЕКЦИОННСЙ ЛОГЖИ СО СТАБИЛИЗАЦИЕЙ ТОКА ПИТАНИЯ, содержащий первый транзистор первого типа проводимости, база которого подключена к общей шине, эмиттер к коллектору второго транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, первый коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключен через резистор к общей шине и к базе первого транзистора второго типа Проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор - к второму коллектору первого транзис тора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к входам элемента и базам выходных транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине,- а коллекторы - к соответствующим выходам элемента, отличающийс я тем, что, с целью увеличения коэффициента стабилизации тока питасл ния, введен дополнительный транзистор второго типа проводимости, коллектор и база которого подключены соответственно к базе и коллектору второго транзистора первого типа проводимости, а эмиттер подключен к коллектору второго транзистора 00 второго типа проводимости. 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (111

3 (51) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ (21) 3547985/18-21 (22) 31.01.83 (46) 23.04.84. Бюл. Ф 15 (72) A.Â. Алюшин и 1(.В. Алюшин (71) Г1осковский ордена Трудового

Красного Знамени инженерно-физический институт (53) 621.375.083(088.8) (56) 1. Патент Великобритании

0 1548930, кл. Н 03 К 19/08, 1979.

2. Авторское свидетельство СССР

1(109295, 1982 (прототип). (54)(57) ЭЛЕИЕНТ ИНЖЕКЦИОННСЙ ЛОГИКИ

СО СТАБИЛИЗАЦИЕЙ ТОКА ПИТАНИЯ, содержащий первый транзистор первого типа проводимости, база которого подключена к общей шине, эмиттерк коллектору второго транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, первый коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключен через резистор к общей шине и к базе первого транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллекторк второму коллектору первого транзис. тора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к входам элемента и базам выходных транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине, а коллекторы — к соответствующим выходам элемента, о т.л и ч а ю щ и и . с я тем, что, с целью увеличения коэффициента стабилизации тока питания, введен дополнительный транзистор второго типа проводимости, коллектор и база которого подключены соответственно к базе и коллектору второго транзистора первого типа проводимости, а эмиттер подключен к коллектору второго транзистора второго типа проводимости.

1 1088

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к цифровым логическим элементам с инжекционным питанием.

Известен источник питания инжек, 5 ционных элементов, содержащий два токовых зеркала и токозадающнй резистор f1 3.

Недостатком данного устройства является низкий КПД. 10

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является элемент инжекционной логики со стабилизацией тока питания, содержащий первый транзистор первого типа проводимости, база которого подключена к общей шине, эмиттер — к коллектору второго транзистора первого типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, первый коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключен через резистор общей шины и к базе первого транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор — к второму коллектору первого транзистора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости подключены соответственно к входам элемента и базам выходных транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине, а коллекторы — к соответствующим выходам элемента (2 ).

Недостатком известного элемента является малый коэффициента стабили- 4О зации тока питания из-за узкого допустимого диапазона изменения напряжения питания.

Целью изобретения является увели- 5 чение коэффициента стабилизации тока питания.

Поставленная цель достигается тем, что в элемент инжекционной логики со стабилизацией тока питания, содержащий первый транзистор первого типа проводимости, база которого подключена к общей шине, эмиттер — . к коллектору второго транзистора nepBoFo типа, проводимости, эмиттер ко- ээ торого подключен к шине питания, первый коллектор первого транзистора первого типа проводимости подключен

128 2 через резистор к общей шине и к базе первого транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор — к второму коллектору первого транзистора первого типа проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости подключены соот,ветственно к входам элемента и базам вьмодных транзистороВ второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине, а коллекторы— к соответствующим выходам элемента, введен дополнительный транзистор второго типа проводимости, коллектор и база которого подключены соответственно к базе и коллектору второго транзистора первого типа проводимости, а эмиттер подключен к коллектору второго транзистора второго типа проводимости.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного элемента.

Элемент инжекционной логики со стабилизацией тока питания содержит первый транзистор 1 первого типа проводимости, база которого подключена к общей шине 2, эмиттер — к коллектору второго транзистора первого типа проводимости 3, эмиттер которого подключен к шине 4 питания, первый коллектор первого транзистора 1 первого типа проводимости подключен через резистор 5 к общей шине 2 и к базе первого транзистора второго типа проводимости 6, эмиттер которого подключен к общей шине 2, а коллектор — по второму коллектору первого транзистора 1 первого тина проводимости и базе второго транзистора второго типа проводимости 7, эмиттер которого подключен к общей шине 2, остальные коллекторы первого транзистора первого типа проводимости 1, подключены соответственно ко входам 8 и 9 элемента и базам вькодных транзисторов 10 и 11 второго типа проводимости, эмиттеры которых подключены к общей шине 2, а коллекторы — к соответствующим выходам 12 и 13 элемента, коллектор и база дополнительного транзистора 14 второго типа проводимости подключены соответственно к базе и коллектору второго транзистора з первого типа проводимости 3, а эмиттер подключен к коллектору второго транзистора второго типа проводимости 7.

В некоторых случаях для устранения возможных параэитных колебаний и для задания начального тока в стабилизатор могут быть введены соот. ветственно конденсатор 15 и дополнительный резистор 16.

Коллекторы первого транзистора

1 первого типа проводимости подключены к базам выходных транзисторов

10 и 11, используемых для реализации произвольных логических функций. При подаче напряжения питания на шику 4 питания через дополнительный резистор 16 начинает протекать начальный ток I*. Транзисторы первого тина проводимости 1 и 3, второй транзистор второго типа проводимости 7, дополнительный транзистор второго типа проводимости 14 открываются, нарастание тока Х первого коллектора первого транзистора первого типа проводимости из-за положительной обратной связи будет происходить до тех пор, пока не откроется первый транзистор второго типа про1088128 4 водимости 6. При этом нарастание тока I прекратится на уровне

I- 06Э

R где U — напряжение отпирания первоэ го транзистора второго типа проводимости 6;

R — величина резистора 5.

Так как все коллекторы первого транзистора 1.первого типа проводимости одинаковы, то и токи питания выходных транзисторов 10 и 11 .будут стабильны при изменении напряжения питания . При изменении темпе15 . ратуры будет происходить стабилизация быстродействия указанных выход ных транзисторов (й (Т С)сл -ф = К =

= const) . а

Обычно максимально допустимое напряжение на коллекторе инжекционных транзисторов составляет 2-5 В.

Введение дополнительного транзистора

14, включенного в нормальном режиме, позволяет увеличить максимальное напряжение питания до 15-20 В и более.

Технико-экономический эффект в предложенном элементе заключается в увеличении коэффициента стабили- . зации тока питания, увеличении диапазона изменения напряжения питания.

1088128. Составитель А. Янов

Техред О.Неце Корректор Ю. Макаренко

Редактор Г. Волкова

Заказ 2688/52 Тираж 862 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент™, г. Ужгород, ул. Проектная, 4