Входной транслятор и @ л-типа

 

Изобретение относитсяк области импульсной техники и можетиспользоваться для согласования пологическим уровням элементов ТТЛ,ДТЛ с л элементами И Л-типа. Цель изобретения - повышение помехозащищенности устройства путем подавления помех большой длительности малой амплитуды и кратковременных помех больщой амплитуды - достигается введением в устройство двух р-п-р-транзисторов и организацией новых связей. Входной транслятор И Л-типа предназначен для согласования по логическому уровню микросхем ТТЛ, ДТЛ и т.п. с БИС И Л-типа. Устройство имеет гистерезисную входную характеристику и не содержит резисторов. Функцию фильтра выполняет входная емкость пятого транзистора. Идентичность токов заряда и разряда этой емкости с обеспечивает одинаковое подавление (Л коротких отрицательных и положительных помех. Принципиальная схема входного транслятора И Л-типа и пример его функционально-топологической реализации приводятся в описании изобретения. 2 ил. N9 О Ю о и со

СОВХОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

yg y Н 03 К 19/091

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3783165j24-21 (22) 20.08.84 .(46) 30.12.85. Бюл. N - 48 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова (72) Л.К.Самойлов, Ю.И.Рогозов и С.П.Тяжкун (53) 621.374(088.8) (56) Алексеенко A.Ã., Шагурин И.И, Микросхемотехника. N. Радио и связь, 1982, с. 94, рис. 2.33а.

Аваев Н.А. и др. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. N. Сов. радио, 1977, с. 187, рис. 5.19. (54) ВХОДНОЙ ТРАНСЛЯТОР ИЙЛ-ТИПА (57) Изобретение относится к области импульсной техники и может использоваться для согласования по логическим уровням элементов ТТЛ, ДТЛ с ъ элементами И Л-типа. Цель изобретения — повышение помехоэащищенности

„„Я0„„1202049 A устройства путем подавления помех большой длительности малой амплитуды и кратковременных помех большой амплитуды — достигается введением в устройство двух р -н-р-транзисторов и организацией новых связей.

Входной транслятор И Л-типа нреднаэt начен для согласования по логическому уровню микросхем ТТЛ, ДТЛ и т.п. с БИС И Л-типа. Устройство имеет гистерезисную входную характеристику и не содержит резисторов. Функцию фильтра выполняет входная емкость пятого транзистора. Идентичность токов заряда и разряда этой емкости обеспечивает одинаковое подавление коротких отрицательных и положительных помех. Принципиальная схема входного транслятора И Л-типа и при2 мер его функционально-топологической реализации приводятся в описании изобретения. 2 ил.

1202049

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для обеспечения согласования по логическим уровням элементов ТТЛ, ДТЛ с элементами И 1Л-типа. 5

Цель изобретения — повышение помехозащищенности устройства путем обеспечения подавления помех большой длительности малой амплитуды и кратковременных помех большои амплитуды.

На фиг. 1 приведена электрическая принципиальная схема входного транслятора. И Л-типа; на фиг. 2 — пример

t его функционально-топологической реализации.

Входной транслятор И Л типа держит входную шину 1, первый транзистор 2 p -h-р-типа, эмиттер которого подключен к шине питания 3, базак шине нулевого потенциала, а коллек20 тор — к базе и первому коллектору второго транзистора 4 n-p-n-типа, змиттер которого подключен к базе третьего транзистора 5 п-р-п-типа, 25 его первому коллектору и второму коллектору четвертого транзистора 6 и-р-и-типа, база и первый коллектор которого соединены с вторым коллектором третьего транзистора 5, четвертый коллектор которого соединен с базой пятого транзистора 7и-р-и -типа и коллектором шестого транзистора 8 р-и-р-типа, база которого соединена с шиной нулевого потенциала, а эмиттер — с третьим коллектором третьего 35 транзистора 5, эмиттер которого соединен с шиной нулевого потенциала, а четвертый коллектор — с базой пятого транзистора 7, эмиттер которого подключен к шине нулевого потенциала, 40 коллекторы подключены к выходным шинам

9, устройство также содержит инжектирующий транзистор 10р-и-р -типа, который реализует два инжектора, подключенных соответственно к базе и 45

15 эмиттеру четвертого и шестого транзисторов 6 и 8, при этом база инжектирующего транзистора 1.0 подключена к шине нулевого потенциала, эмиттерк дополнительной шине питания 11, 50 а коллекторы являются инжекторами.

Устройство работает следующим образом.

Предположим, что в исходном состоянии на входной шине 1 имеется сиг. 55

-нал низкого логического уровня. В этом случае весь ток эмиттера второго транзистора 4 забирает коллектор четвертого транзистора 6 и входной ток третьего транзистора 5 равен нулю. Третий транзистор 5 закрыт, следовательно, пятый транзистор 7 насыщен током коллектора шестого транзистора 8. На выходной шине 9 устРойства имеется сигнал низкого логического уровня.

Если на входной шине появляется сигнал вЪ|сокого логического уровня, то соответственно начинает увеличиваться входной ток третьего транзистора 5. При превышении входным током третьего транзистора 5 значения тока гистерезиса (ток, который может принять второй коллектор токового повторителя на четвертом транзисторе 6, обозначим I>) триггера (на третьем и четвертом транзисторах

5 и 6) третий транзистор 5 открывается и своим третьим коллектором закрывает шестой транзистор 8, а четвертым коллектором начинает раз-. ряжать входную емкость пятого транзистора 7, в результате чего пятый . транзистор 7 закрывается. На выходной шине 9 устройства формируется сигнал высокого логического уровня.

Если на входной шине 1 появляется снова сигнал низкого логического уровня, то при уменьшении входного тока третьего транзистора 5 на величину I последний закрывается. Поэтому начинается заряд входных емкостей шестого транзистора 7 инжектором, т.е. коллекторным током транзистора

10 через шестой транзистор 8. В результате через время t пятый транзистор 7 открывается. На выходной шине 9 устройства формируется сигнал низкого логического уровня.

Отметим, что транзистор 4 выполняет функцию ограничителя входного тока третьего транзистора.5. Коллекторный ток второго транзистора 4

Равен коллекторному току первого транзистора 2, так как эффективный коэффициент передачи токового повторителя на втором транзисторе 4 ра- вен единице (В = 1). Получение требуемого коэффициента Вр возможно путем изменения геометрических размеров коллекторных областейп-р-н— транзисторов при заданном коэффициенте передачи по току н-р-p -транзистора с разорванной обратной связью:

1202049

4у р - 5кос

В+

SKSx где „ — площадь коллекторной об.ласти и-р-и --транзистора, соединенной с его базой.

Ток гистерезиса (I<) триггера, построенного на третьем и четвертом транзисторах 5 и 6, можно изменять в требуемых пределах, варьируя коэффициенты передачи транзисторов триггера:

qgp(g pz Ьр,р ) \ где ?р Р— ток, инжектируемый инжектирующим транзистором 10 на вход четвертого транзистора 6.

Время включения пятого транзисто-.. ра 7 через шестой транзистор 8 определяется временем заряда входных емкостей пятого и шестого транзисторов (С „): где Бд р — пороговое напряжение транзистора h-p-í -типа, (р — коэффициент передачи по току горизонтального шестого транзистора ЗР-h-р— типа, 1„ — ток, инжектируемый в эмиттер шестого транзистора 8 инжектирующим транзистором 10. Время выключения пятого транзистора 7 можно определить иэ соотношения где  — коэффициент передачи по току пятого транзистора 7 с раэорвайной обратной связью.

Сравнительный анализ приведенных выше соотношений показывает, что задержка на выключение транзистора .

Л-Р-н-типа почти в два раза выше задержки на включение, а так как необходимо иметь идентичные задержки на включение и выключение транзистора

h-p-a типа, то соответствующим подбором площади четвертого коллектора третьего транзистора 5, соединенного с базой пятого транзистора 7, можно сравнять указанные задержки.

Необходимость получения идентич» ных задержек (t .1 = tg z ) на вклю- чение и .выключение пятого транзисто" ра 7 объясняется тем, что устройство должно одинаково фильтровать кратковременные положительные и отрицательные помехи.

Предположим, что на вход устройства приходит помеха положительной или отрицательной полярности большой длительности, причем ее амплитуда небольшая, т.е. нет изменения входного тока третьего транзистора 5 на .величину I . Следовательно, триггер не изменяет своего состояния и на коллекторе третьего транзистора 5 сохраняется предыдущий логический уровень. Устройство не реагирует на помеху. Данная схема универсальна: в зависимости от условий эксплуатации путем изменения питающего тока

25 можно изменЯть Irep тРиггеРа, а также можно соответственно менять значение порогов срабатывания устройст-.. ва (I ) и его помехозащищенность.

Если же амплитудное значение помехи достаточно для изменения состояния триггера, но длительность меньше времени перезаряда емкости базаэмиттер пятого транзистора 7, т.е. задержки его переключения, то дан35 ная помеха не появляется на- выходе устройства, а отфильтруется. Роль фильтра выполняет входная емкость пятого транзистора 7, а идентич" ность токов заряда и разряда этой емкости обеспечивает одинаковое подавление коротких отрицательных и положительных помех.

Формула изобретения

Входной транслятор И2Л-типа, содержащий входную шину, первый транзистор p-n-p -типа, эмиттер которого подключен к шине питания, а коллек50 тор — к базе и к первому коллектору второго транзистора р-р-в -типа, эмиттер которого подключен к базе третьего транзистора -р-11 -типа, база четвертого транзистора tl-р-l1-типа подключена к инжектору, а .эмиттер — к ши" не нулевого потенциала и эмиттеру пятого транзистора н-р-и -типа, коллектор которого подключен к выходной ши не, отличающийся тем, что, 1202049

<Риг. 1 фиг. г

Составитель А.Янов

Редактор М.Циткина Техред С.Мигунова Корректор M.Ñàìáîðñêàÿ

Заказ 8105/60 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Гасударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîïîä, ул.Проектная, 4 с целью повышения помехозащищенности в него введены второй коллектор второго транзистора, второй, третий и четвертый коллекторы третьего транзистора, второй коллектор пятого транзистора подключен к дополнительной выходной шине, шестой транзистор ф-л-рутипа, база которого подключена к шине нулевого потенциала, а эмит" тер — к дополнительному инжектору, первый коллектор третьего транзисто" ра соединен с его базой и вторым коллектором четвертого транзистора, база и первый коллектор которого соединены с вторым коллектором третьего транзистора, третий коллектор которого соединен с эмиттером шестого транзистора, коллектор которого соединен с базой пятого транзистора и четвертым коллектором третьего транзистора, эмиттер которого соединен с шиной

10 нулевого потенциала, второй коллектор второго транзистора соединен с входной шиной.