Буферный вентиль

 

1. БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ, содер-. жащий первый и второй транзисторы с инжекционным питанием типа п-р-п и р-п-р-транзистор, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор - с выходом вентиля, база первого транзистора соединена с входом вентиля, эмиттер - с общей шиной, а первый коллектор - с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности при работе на емкостную нагрузку, в него введены дополнительный транзистор типа п-р-п и генератор тока, включенный между общей гиной и вторым коллектором первого транзистора, база дополнительного транзистора соединена с выходом вентиля и вторым кодлектором первого транзистора, эмитШ тер - с общей шиной, а коллектор с базой второго транзистора, коллексл тор которого соединен с базой р-п-р транзистора.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 Н 03 К 19/091

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3717223/24-21 (22) 29.03.84 (46) 30.08.85. Бюл, № 32 (72) И.И,Лавров, С.В.Касаткин, В.А.Смирнов и П.В.Ястребов (53) 621.375(088.8) (56) Патент Великобритании ¹ 2015840, кл. Н 03 К 19/08, 1980.

Авторское свидетельство СССР N 557438, кл. Н О1 1. 29/70, 1977. (54)(57) 1. БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ, содержащий первый и второй транзисторы с инжекционным питанием типа и-р-и и р-п-р-транзистор, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор — с выходом вентиля, база первого транзистора соединена с

„„Я0„„1176450 входом вентиля, эмиттер — с общей шиной, а первый коллектор — с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности при работе на емкостную нагрузку, в него введены дополнительный транзистор типа и-р-. и и генератор тока, включенный между общей шиной и вторым коллектором первого транзистора, база дополнительного транзистора соединена с выходом вентиля и вторым коллектором первого транзистора, эмиттер — с общей шиной, а коллекторс базой второго транзистора, коллектор которого соединен с базой р-h-p транзистора.

1176450

2. Вентиль по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью увеличения выходного напряжения, в него введен элемент смещения напряжения, включенный между базой дополнительного транзистора и выходом вентиля.

3. Вентиль по п.1, о т л и ч а— ю шийся тем, что дополнительный

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для построения узлов И Л БИС, работающих на емкостную нагрузку.

Целью изобретения является уменьS шение потребляемой мощности при работе на емкостную нагрузку путем введения обратной связи между выходом буферного вентиля и р-и-р-тран10 зистором, которая позволяет выключать р-и-р-транзистор после перезаряда емкости нагрузки.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема буферного вентиля, 1S

Буферный вентиль содержит первый 1 и второй 2 транзисторы с инжекционным питанием типа и-р-и дополнительный транзистор 3 типа п-р-п, р-и-ртранэистор 4, элемент смещения напря-. жения 5, источник тока 6, база тран. зистора 1 соединена с входом вентиля, эмиттер — с общей шиной, первый коллектор — с коллектором транзистора 3 и базой транзистора 2, эмиттеры которых соединены общей шиной, вто" рой коллектор транзистора 1 — с выходом вентиля, коллектором транзистора

4, источником тока 6 и через элемент 30 смещения напряжения 5 — с базой транзистора 3, эмиттер транзистора 4 соединен с шиной питания, а база — с коллектором транзистора 2.

Устройство работает следующим образом. транзистор и генератор тока выполнены в виде транзистора с инжекционным питанием, 4. Вентиль по п.2, о т л и ч а юшийся тем, что элемент смещения напряжения выполнен в виде последовательно включенных резистивного делителя, диодов и диодов Шоттки, Когда на вход буферного вентиля подается "1", транзистор 1 включается, создает на выходе схемы низкий уровень напряжения, а также низкий уровень напряжения на втором коллекторе, который закрывает транзистор

2 с инжекционным питанием. Последний выключает р-и-р-транзистор 4.

Таким образом, на выходе схемы низкий уровень напряжения ФВ Vêçí )

Вин кзн"

В момент подачи на вход вентиля

"0" закрывается транзистор 1 с инжекционным питанием, но, так как предполагается, что к выходу вентиля подключена нагрузка с большей емкостью, то ток генератора 6, который для экономии потребляемой мощности достаточно мал, не может эту емкость быстро перезарядить, поэтому транзистор и-р-и 3 остается выключенным, в то время как транзистор 2 с инжекционным питанием включается и включает р-и-ртранзистор 4.

Коллекторным током транзистора 4 начинается форсированная перезарядка емкости нагрузки и потенциал на выходе схемы начинает увеличиваться.

Как только потенциал на выходе вентиля достигнет напряжения uâ„, = uSÔÀ+èýñ5 (где U - напряжение смещения, задаваемое элементом смещения напряжения

5), открывается транзистор и-р-и типа 3 и выключает транзистор 2 с инжекторным питанием, который выключает р-и-р-транзистор 4 и буферный вентиль переходит в состояние "1".