Способ формирования изображения на подложке

 

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРА- j ЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ, включающий и змерение масштабных искажений рисунка фото-, шаблона, коррекцию искажений путем j совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошаблона к подложке и экспонирование подложки через фотощаблон , отличающийся тем, что, с целью повьппения качества изображения за счет уменьшения плотности локальных дефектов, перед коррекцией искажений фотошаблон и подложку иэгибают до контактирования их центральных участков при зазоре на краях между фотошаблоном и подложкой не менее величины их неплоскостности.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

MUWII

РЕСПУБЛИК

09) (И) цр С 03 F 7/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ВИЬЛН (21) 3452887/18-21 (22) 11.06.82 (46) 30.06.84. Бюл. N- 24 (72) Ю. Б. Цветков, А.Н. Кизилов, И.Н. Рубцов, В.А. Курмачев, В.П. Мартыненко и А.Н. Якименко (53) 621.382(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

У 577506, кл. G 03 F 7/26, 1972, 2. Авторское свидетельство СССР .В 965244, кл. G 03 F 1/00, 1981 (прототип). (54)(57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ, включающий иэмерение масштабных искажений рисунка фото-, шаблона, коррекцию искажений путем совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошаблона к подложке . и экспонирование подложки через фотои1аблон, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения за счет уменьшения плотности локальных дефектов, перед коррекцией искажений фотошаблон и подложку иэгибают до контактирования их централь. ных участков при зазоре на краях между фотошаблоном и подложкой не менее величины их неплоскостности.!

100604

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в процессе контактной фотолитографии при изготовлении полупроводниковых приборов и питетральных схем. 5

Известен способ формирования изоб-, ражения, включающий измерение искаже,ний рисунка фотошаблона и их коррекцию путем термического воздействия нафотошаблон или подложку, приял 10 фотошаблона к подложке, экспонирование подложки через фотошаблон (1) .

Недостатком данного способа является то, что после прижима подложки к фотошаблону для экспонирования их температура за счет теплопередачи выравнивается, при этом точность проведенной коррекции снижается. Кроме того, при относительном смещении рабачих поверхностей фотошаблона и подлож- 20 ки в плоскости их контакта происходит повреждение этих поверхностей, что снижает качество формируемых иэображений.

Наиболее близким по технической д сущности к изобретению является способ формирования изображения, включающий измерение искажений рисунка фотошаблона, коррекцию искажений рисунка фотошаблона, коррекцию искажений путем совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошаблона к подложке и экспонирование подлож-, ки через фотошаблон (2) .

Совместный изгиб фотошаблона и подложки в известном способе позволяет компенсировать искажения и повысить точность изображения. Однако при совместном изгибе фотошаблона и подолжки до положения коррекции происходит относительное проскальзы40 вание рабочих поверхностей фотошаблона и подложки и их повреждение. Появляющиеся в результате дефекты снижают качество изображения.

Цель изобретения — повышение качества иэображения за счет снижения плотности локальных дефектов.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования изображения на подложке, включающему измерение масштабных искажений рисунка фотошаблона, коррекцию искажений путем совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошаблона к подложке и экспонирование подложки через фотошаблон, перед коррекцией искажений фотошаблон и подложку изгибают до контактирования их центральных участков при зазоре на краях между фотошаблоном и подложкой не менее величины их неплоскостности.

В соответствии с данным способом после измерения искажающих погрешностей определяется величина совместного прогиба фотошаблона и подложки, необходимая для коррекции этих искажений. Перед прижимом подложки к фотошаблону их иэгибают так, что контакт произошел прежде всего по их центральным участкам, по периферии подложки и фотошаблона оставался зазор, не менее lg<< где W а„ вЂ” неплоскостность пластин фотошаблона и подложки. При дальнейшем прижиме фотошаблона к подложке и одновременном их изгибе до положения коррекции происходит облегание рабочих поверхностей подложки и фотошаблона, причем координатно сопряженные участки этих поверхностей движутся навстречу друг другу без существенных касательных составляющих. Это уменьшает относительное проскальзывание рабочих поверхностей и повышает качество изображения за счет уменьшения плотности локальных дефектов.

На фиг. 1 и 2 для вариантов однои разнонаправленного изгиба пластин показаны предварительно изогнутые фотошаблон и подложка на фиг. 3 и 4 — положения контакта центральных участков подложки и фотошаблона; на фиг. 5 и 6 — фотошаблон и подложка в положении коррекции искажений топологического рисунка.

На фиг. 1 и 2 изображены фотошаблон 1, держатель 2, стеклянная подложка 3, держатель 4, камеры 5, б и 7.

Предварительный изгиб фотошаблона и подложки может проводиться различными приемами: приложением распределенного давления, сосредоточенного усилия и т.д. Форма изгиба пластин также может быть различной: фотошаблон и подложка могут изгибаться в одну сторону (фиг. 1, 3 и 5), в разные стороны (фиг. 2, 4 и 6), возможен изгиб лишь одной из пластин — фотошаблона или подложки. В зависимости от величины искажений вдоль осей М и возможен изгиб пластин фотошаблона и подложки раздельно относительно соответствующих осей.

После осуществления контакта центральных участков предварительно изогнутых фотошаблона и подложки и их

1100604

Ц7иг. 2 дальнейшего прижима с одновременным изгибом до положения коррекции производят экспонирование подложки излучением через фотошаблон.

Пример. При контактном копи- ровании рабочих фотошаблонов, используемых при фотолитографии, производится перенос изображения эталонного фотошаблона 1, закрепленного в держателе .2, на стеклянную подложку 3, за- 10 крепленную в держателе 4. С помощью оптического компаратора типа NVG

"5х5" производится измерение искажений, имеющих место при контактной перепечатке фотошаблонов. Коэффициенты 15 искажений (М и 11 вдоль соответствующих осей составляют (0,2-0,5)x10, т.е. на расстоянии 30 мм от центра шаблона рассовмещения элементов доходят до 0,6 — 1,5 мкм. Это значитель рб но превышает допуски на погрешности рисунка, обычно не превышающие 0 5—

0,8 мкм.

Расчетом или пробными пропечатками устанавливается величина и направ-25 ление совместного прогиба, необходимого для коррекции этих искажений.

После закрепления пластин в держателях 2 и 4 в камерах 5, 6 и 7, расположенных над эталонным фотошаблоном и под подложкой и между пластинами, устанавливаются давления, обеспечивающие, например, однонаправленный, прогиб этих пластин (фиг. 1, 3 и 5) или прогиб в разных направлениях (фиг.2, 4 и 6). Величины прогибов назначаются таким образом, чтобы после контакта центральных участков изогнутых плас тин между их периферийными участками оставался зазор около 20-100 мкм. Величину зазора можно контролировать . различными средствами, например по качеству наблюдаемых интерференционных колец.

После контакта центральных участков фотошаблона и подложки производится изменение давлений в вакуумных камерах 5, 6 и 7 таким образом, чтобы изогнуть фотошаблон и подложку до положения коррекции искажений с одновременным прижимом их друг к другу.

В случае значительной разницы ис кажений вдоль осей Х и Y производится изгиб фотошаблона и подложки относительно соответствующей оси. При близких значениях искажений изгиб производится относительно обеих осей.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет за счет улучшения качества на одной из самых критичных операций повысить выход годных фотошаблонов. l100604 ив

Составитель А. Хохлов

Редактор М. Петрова Техред Л.Иикеш Корректор И. Эрдейи

Заказ 4578/37 Тираж 464 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ формирования изображения на подложке Способ формирования изображения на подложке Способ формирования изображения на подложке Способ формирования изображения на подложке 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок
Наверх