Способ обработки подложки из ситалла
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ ИЗ СИТАЛЛА; перед вакуумньм напылением тонких пленок путем термообработки , отличающийся тем, что, с целью увеличения сил адгезионной связи пленок с поверхностью ситалла, одну сторону подложки нагревздот до 220-250 С в течение 1015 мин, охлаждая одновременно другую для создания градиента температур 4-5-10 град/м, затем подложку ох- , лаждают на воздухе до комнатной температуры . § (Л с
4 (5J) C 3 С 1706
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ-ГОСЗЩАРСТОЕННЫЙ НОМИ П:Т 000Р
Л В ЬЗЭ (21) 3639298/29-33 (22) 06.07.83 (46) 23.01.85. Вюл, Р 3 (72) И.С.Иецик, И.П.Ларионов, Л.M.Ãîëóáü, А.С,Векслер и Г.Т,Тимо щенко (71) Иркутский государственный университет им, А.А.Щданова и
Иркутский завод радиоприемников им.50-летия СССР (53) 666.1.056(088.8) (56) 1,Авторское свидетельство СССР
9 626060, кл. С 03 С 17/06, 1977е
2,Суйковская Н.В. Химические ме, тоды получения тонких прозрачных пленок. Л,, "Химия", 1971, с.34. (54) (57) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ
ИЗ СИТАПЛА. перед вакуумным напыпением тонких пленок путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью увеличения сил адгези1А оннай связи пленок с поверхностью снтапла одну сторону подложки наЭ б гревают до 220-250 С в течение 1О-!
5 мии охлаждая одновременно другую для создания градиента температур
4 5-10 град/и, затем подложку охлаждают на воздухе до комнатной тем- пературы.
1 1357?8
Изобретение относится к микроэлектронике-н может найти применение при подготовке ситалла, испольэуемого в качестве диэлектрических подложек при нанесении тонких пленок (не более нескольких тысяч ангстрем) материалов в процессе изготовления микросхем.
Известен способ очистки подложек перед напылением, включающий хими- 1О ческую обработку с неоднократным кипячением в дистиллированной воде °
Для окончательного удаления молекул воды адсорбционных газов применяют вакуумный прогрев при 200-300 С в течение 2-3 мин, Одновременно с прогревом осуществляют очистку подложки в тлеющем разряде 03 .
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигае- 2п мому результату является способ обработки подложек из стекол и стекло" кристаллических материалов путем термообработки при 200-300 С (23.
Недостатком известных способов 2э является довольно низкая адгеэионная связь нанесенной пленки с по-. верхностью.Подложки (1-3 н/м }..
Кроме того, поверхность материалов, обработанных таким образом, может . 3y загрязниться и содержать своеобразные налеты, что крайне нежелательно . при нане" åíèè тонких пленок методом вакуумного распыпения, Указанный способ в основном мажет быть исполь- 3> эован для увеличения адгезии при склеивании силикатньх материалов или для пайки металлизированных диэлектриков пленок порядка несколь» ких микрон, полученных методом осаждения. Для пленок порядка несколь-, ких тысяч ангстрем известный способ не пригоден, Целью изобретения является увеличение, сил адгезионнай связи пленок с поверхностью ситалла.
Наставленная цель достигается тем, что согласна способу обработки подложки из ситалла перед вакуумным напылением тонких пленок путем термообработки, одну сторону подложки нагревают.до 220-250 С в течение
10-15 мин, охлаждая одновременно другую для создания градиента темпе- ратур 4-5 -10 град/м, затем подложку охлаждают на воздухе да комнатной температурьг.
Предлагаемую обработку производят на воздухе в специальном устройстве, отделенном от напыляемой камеры.
Обработка увеличивает электрическую активность подложек, а такое активи-рованное состояние подложек сохраняется скопь угодно долго.
Предлагаемый, способ обработки ( не искЛючает, а дополняет соответствующие термические способы обработки подложек во время нанесения тонких пленок. Существу(эщие технологические режимы нанесения тонких ( пленок для обработанных подложек могут в принципе оставаться без изменения. В этом случае дополнительно увеличиваются силы адгезионной связи пленки с поверхностью. Особенно это важно для вторичных слоев, т,е. когда на напыленную тонкую пленку, находящуюся на подложке, наносят второй слой пленки, обычно другого материала(например, в технологии ннтегральньх микросхем: иа резистивный слой - проводящие слои), Пример I, Перед нагрева- . нием образца на контрольном образце устанавливают термический режим нагрева: температура поверхности нодложки 220(С и qrad Т4-10 град/м.
Сила адгеэионной связи для пленок хрома, нанесенных на предварительно термообработанные подложки ситалла, увеличилась с 1-3 до 6,5 ° 10 н/ьР в сравнении с известным способом.
Ниже указанных режимов уменьшается электрическая активность ситаллов, П р и и е р 2, Перед нагрева-, нием образца устанавливают терми-.. ческий режим: температура поверх-.; . ности 250 C u qrad T=5 ° 10 град/м, Сила адгезионной связи проводящего сплава БрНН„.Т 3-5 lO до 8,5 10 и/м ). При более высоких термических режимах и времени нагрева на нагреваемой поверхности ситапла появляются микрообразования s вице своеобразных наростов. Высота их может достигать нескольких десятков {а иногда и сотен) нанометров, а их размеры нескольких сотен нанометров. Это приводит к увеличению шероховатости поверхности подложки. При выбранных режимах терСоставитель Г. Буровцева Техред О. Неце .Корректор, Л. Пилипенко Редактор Н.Дкуган Заказ !0237/!5 . Тиран 437 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий I l 3035 ° Москва,. %-35 ° Рауаская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент". ° г.у@город, ул.Проектная, 4 3 !!35728, 4 мообработки размерымикрообразоваиий, чить силУ адгезионной связи тонких прещдд щурразмеры мнкронеровностей пленок, нанесенных на ситалловув полированной поверхности ситаалов, подлонку, что увеличивает выход По сравнению с известным спосо= годной продукции и повышает их долбом, предлагаемый позволяет увели- . g говечность.
