Узел для растяжения цилиндрических магнитных доменов

 

УЗЕЛ ДЛЯ РАСТЯЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ . МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои. в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, о тличающийся тем, что, с целью расширения области устойчивой работы узла для растяжения цилиндрических магнитных доменов, периодически расположенные отверстия . группы в калодом токопроводящем слое выполнены трапецеидальными, причем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других оснований соответствзгющих трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньше длин прилежащих оснований смежных трапецеидальных отверстий (О группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУЬЛИН

4(5Ц

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3691374/24-24 (22) 16.01.84 (46) 07.06,85. Бюл. Р 21 (72) В.К,Раев, N.Ï.mîðûãèí и А.В.Смирягин (71) Институт электронных управляющих машин (53) 681.327.66(088.8) (56) 1, Патент США И 4181978, кл. С 11 С 11/08, опублик. 1980.

2. Патент США Ф 4142247,, кл. С 11 С 11/08, опублик. 1979 (прототип). (54)(57) УЗЕЛ ДЛЯ РАСТЯЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой .расположены изолированные один от другого токопроводящие слои, в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения области устойчивой работы узла для растяжения цилиндрических магнитных доменов, ериодически расположенные отверстия группы в каждом токопроводящем слое выполнены трапецеидальными, прячем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других оснований соответствующих трапецеядальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена н меньше длин прилежащих оснований смежных трапецеицальных отверстий, группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена.

1160471

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих и логических устройствах, в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (1ЩЦ).

Известен узел для растяжения ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которую нанесены изолированные слои проводника с периодически рас- 10 положенными отверстиями, выполненными в виде шевронов (1 ).

Однако в этом устройстве для расширения ЦИД требуется ток, вращающийся в плоскости проводникового слоя 15 что существенно усложняет проектирование ЦИД кристалла. Кроме того, при продвижении растянутого ЦМД вдоль канала продвижения изменение длины

ЦИД носит существенно неравномерный 20 характер. Расширение ЦИД происходит лишь на 1/4 части пространственного периода схемы h, в то время как на пути 3/4 расширения не происходит, это влечет за собой увеличение размеров узла считывания, что ведет к увеличению энергопотребления и снижению надежности устройства.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является узел для растяжения ЦИД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои, в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий (2 ), Однако в известном устройстве изменение длины ЦМД носит пульсирующий характер. ЦМД за один такт растя- 40 .гивается на величину шага удлинения al, далее в течение одного такта сжимается на ту же величину и за следующие два такта растягивается на величину 2 DL. Таким образом, ЦИД эффективно растягивается только в течение полупериода, т.е. на половине пространственного периода Д, что значительно снижает эффективность работы устройства. Это вызывает необходимость увеличения размеров .узла для растяжения ЦМД цля обеспечения требуемой длины домена. 3а счет увеличенных геометрических размеров устройства увеличивается значение рабочих токов управления, что ведет к увеличению, перегрева и снижает область устойчивой работы устройства. Кроме того, увеличенные размеры узла для растяжения ЦМД снижают плотность записи информации на ЦИД-кристалле.

Целью изобретения является расширение области устойчивой работы узла для растяжения цилиндрического магнитного домена.

Поставленная цель достигается тем, что в узле для растяжения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои, в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, пос-. ледние в каждом токопроводящем слое выполнены трапецеидальными, причем длины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы больше длин других оснований соответствующих трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньше длин прилежащих оснований смежных трапецеидальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого узла для растяжения ЦМД.

Узел для растяжения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку i на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои (не показаны), в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий 2 и 3 трапецеидальной формы, образованные основаниями 4 и 5 и боковыми стенками 6. На участке расширения доменов основания 4 и 5 последовательно увеличиваются в направлении от входа узла 7 к его выходу 8, а на участке стягивания домена — . уменьшаются.

Устройство работает следующим образом.

При пропускании через первый и второй токопроводящие слои управляющих -оков 1 и 1 соответст-: венно под основаниями отверстий 4 и 5 поочередно генерируются магнитостатические ловушки, обеспечивающие растяжение круглых ЦМД 9 в растянутые домены 10 и их перемещение от входа 7 к выходу 8. При этом длины оснований отверстий 2 и 3 последовательно изменяются не только при переходе от отверстия к отверстию, как в известном устройстве, но и в самих отверстиях за счет их трапе1160471

Составитель Ю.Розенталь

Техред JI.Nàðòÿøîâà Корректор Г.Решетник

Редактор О.Черниченко

Заказ 3831/49 Тираж 584

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4 цеидальной формы. Поэтому изменение длины растянутого домена при его движении от входа к выходу носит монотонный характер, т,е. обеспечивается последовательное изменение .длины домена при переходе его в каждую из своих четырех устойчивых позиций (во всех четырех тактах), на всем периоде схемы . В предложенном устройстве при том же шаге удлинения домена на один такт за один период Т домен растягивается на величину 4дЬ, а в известном устройстве — на величину ML.

Таким образом, для растяжения домена на какую-то длину в предлага;емом устройстве требуется примерно вдвое меньшее число периодов ггро, движения jl.

5 Уменьшение размеров узла для растяжения ЦМД позволяет вдвое снизить амплитуду рабочего тока, протекающего через токопроводящие слои, и позволяет существенно умень1О шить рассеиваемую мощность. Это приводит к уменьшению нагрева ЦИД-кристалла и увеличивает область устойчивой работы устройства. Кроме того, .уменьшение размеров устройства

15 позволяет увеличить плотность записи информации на ЦМД-кристалле.

Узел для растяжения цилиндрических магнитных доменов Узел для растяжения цилиндрических магнитных доменов Узел для растяжения цилиндрических магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

 

Наверх