Буферное устройство

 

Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться как устройство согласоЕ лия с инжекционными логическими элеме гтеми. Целью изобретения является увеличение быстродействия, КПД, нагрузочной способности и уменьшение входного тока. Для достижения поставленной цели в устройстве применены новые функциональные межэлементные связи, а первый транзистор вьтолнен с площадью эмиттера, большей чем у второго транзистора. На чертеже показаны транзисторы 1 и 2 р-и-р-типа, транзисторы 3 и 4 h-p-h-типа, генератор 5 тока, шина 6 питания, вход 7 устройства, выходы устройства 8.1-8.А/, инжекционный элемент 9. В устройстве может быть снижен уровень токов генераторов тока управляемых инжекционных элементов и без ущерба быстродействию может быть уменьшена потребляемая MOFtHocTb. 1 з.ц.ф-лы, 1 ил. i (Л ьо 42 00 О сл 4j

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1

„„SU„„ I 248057

15И Н 03 К 19/091

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ :1Я рр:, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPCHOMV СВИДЕТЕПЬСТВУ

1 1

1 1 1

I (21) 3857913/24-21 (22) 25.. 02. 85 (46) 30.07.86. Бил. М 28 (72) В.В.Петрухин и П.В.Ястребов (53) 621 ° 374(088.8) (56) Алексеенко А.Г.,Шагурин И.Н.

Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1982, с.94, фиг. 2.33.

Патент CltlA 11- 4390802, кл. Н 03 К 19/091, 1983. (54) БУФЕРНОЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться как устройство согласоь "-.пия с инжекционными логическими элемс;.— тами. Целью изобретения является увеличение быстродействия, КПЦ, i нагрузочной способности и уменьшение входного тока. Для достижения поставленной цели в устройстве применены новые функциональные межэлементные связи, а первый транзистор выполнен с площадью эмиттера, большей чем у второго транзистора.

На чертеже показаны транзисторы и 2 р-и-р-типа, транзисторы 3 и 4

h-p-и-типа, генератор 5 тока, шина 6 питания, вход 7 устройства, выходы устройства 8.1-8.hl, инжекционный элемент 9. В устройстве может быть снижен уровень токов генера-" торов тока управляемых инжекционных элементов и без ущерба быстродействию может быть уменьшена потребляемая мощность. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к импульсEIoH технике, а именно к устройствам согласования с инжекттионньтми логи) 248057 ч ес кими этт смен тами .

11елью изобретения является увеличение быстродействия„ КПД,нагрузочной способности и уменьшение входного тока.

На чертеже представлена принципиальная схема буферного устройства с подключенным к одному из его выходов инжекционным элементом.

Буферное устройство содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, р-и — р-типа,.третий и четвертый

15 транзисторы 3 и 4 и -р-и-типа, генератор 5 тока, включенный между шиной 6 питания и эт.титгерами транзисторотз 1 и 2, база транзистора 2 и эмиттер транзистора 4 подключены к общей шине„ коллектор транзистора

2 соединен с базами транзисторов 4 и 3. Коллектор транзис" îðà 3 подключен к базе транзистора 1, эмиттер транзистора 3 подключен к входу 7

25 устройства, а каждый коллектор транзистора 1 соединен с соответствуюLt1 коллектором транзистора 4 и соответствующим выходом 8.1 8. И устройства, вттход 8.1 подключен к входу инжекпионного элемента 9.

Буферное устройство работает следующим образом.

При положительном уровне сигнала, поступающего на вход 7 устрой- 35 ства, транзисторы и 3 закрыты, а транзисторы 2 и 4 открыты и на выходах 8 устройства, подключенных к инжекционным элементам 9, формирует— ся напряжение "лог.О". При уменьше — 40 нии уроьня сигнала на входе 7 уст.ройства до потеттциала общей шины начинает открываться транзистор 3..

При дальнейшем понижении уровня входного сигнала .ранзистор 3 открывается,15 а транзистор 4 закрывается. При этом за счет токов генераторов тока. инжекционных элементов 9 на выходах

8.1-8.т! устройства формируется напряжение лог.) . В это время откры- 50 вается транзистор 1 и происходит перераспределение тока генератора 5 тока между транзисторами 1 и 2. Токи кол-екторов транзистора 1 начинают дополнительно поступать на выходы 55

8.)-8.× устройства. Уровень тока, выдаваемого устройством в нагрузку, определяется следующим выражением: где Зт. — ток генератора 5 тока;

p„- коэффициент усиления и-р-и-транзистора;

Р - коэффициент усиления р-и-р-транзистора.

Время *ереключения определяется временем включения транзистора 4.

Транзистор 3 может насыщаться при отрицательном уровне входного сигнала, близком к потенциалу общей шины.

Это приводит к тому, что при дальнейшем повышении входного сигнала появляется дополнительный ток в базу транзистора 4, обусловленный рассасыванием избыточного заряда в базе транзистора 3, что приводит к уменьшению времени включения транзистора

4, т.е. время переключения устройства из состояния "лог.1 в состояние плог.Он равно времени включения транзистора 4.

В состоянии "лог.i" в нагрузку поступает ток, определяемый выражением (1) . Из этого выражения определяется коэЫ>ициент полезного действия устройства в состоянии "лог.1"

Коэффициент полезного действия устройства можно дополнительно повысить, если площадь эмиттера транзистора сделать больше площади эмиттера транзистора 2.

В предлагаемом устройстве часть тока генератора тока постоянного уровня вытекает в нагрузку, что приводит к уменьшению вытекающего входного тока низкого уровня.

Предлагаемое устройство обладает больптой нагрузочной способностью, так как является многовыходным.

Буферное устройство в состоянии лог.!" выдает ток в нагрузку, что позволяет в ряде случаев снизить уровень токов генераторов тока управляемых инжекционных элементов, а то и сделать его равным нулю и без ущерба быстродействию уменьшить потребляемую схемой мощность.

Формула изобретения !. Буферное устройство, содержащее первый и второй транзисторы

1248057

Составитель А.Янов

Редактор М.Бандура Техред M.Õoäàíè÷ Корректор М.Демчик

Заказ 4141/58 Тираж 8)6 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4 р- -р-типа, эмиттеры которых соединены с источником тока, третий и четвертый транзисторы k1 р-H типа, база второго и эмиттер четвертого транзисторов подключены к общей 5 шине, коллектор второго транзистора подключен к базе четвертого транзистора, коллектор которого соединен с выходом, эмиттер третьего транзистора подключен к входу устрой-fO ства, отличающееся тем, что, с целью увеличения быстродействия, КПД и нагруэочной способности и уменьшения входного тока, коллектор четвертого транзистора соединен с 15 коллектором первого транзистора, база которого соединена с коллектором третьего транзистора, база третьего транзистора соединена с коллектором второго транзистора, а дополнительные коллекторы первого транзистора соединены с соответст— вующими дополнительными коллекторами четвертого транзистора и соответствующими дополнительными выходами. устройства.

2. Устройство по п.1, о т л и— ч ающ е е с я тем, что первый транзистор выполнен с площадью эмиттера большей, чем у второго транзистора.