Селеновый фотоэлемент

Авторы патента:

H01L31/0296 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI, например CdS, ZnS, HgCdTe

H01L31/0224 - электроды

М 122220

Класс 23g, 29в1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

T. А. Болдырева и С. И. Фрейверт

СЕЛЕНОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ

Заявлено 14 июля 1958 г, за № 604077/96 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в <сБюллетене изобретений № 17 за 1959 г.

Известны селеновые фотоэлементы с запорным слоем, в которых в качестве материала для изготовления верхнего полупрозрачного слоя применяют золото.

Недостатки подобных фотоэлементов заключаются в понижении их стабильности и чувствительности при повышенных температурах.

В описываемом устройстве эти недостатки устранены тем, что верхний полупрозрачный электрод фотоэлемента изготовлен из хрома, нанесенного методом испарения в высоком вакууме.

Спектральная чувствительность фотоэлемента с хромовым электродом в коротковолновой области видпмого спектра и в ультрафиолетовой не уступает известным фотоэлементам с золотым или кадмиевым электродами, но превосходит их по стабильности э.д.с. во времени.

Фотоэлементы с хромовым электродом могут эксплуатироваться при повышенных температурах (до 100 ), при этом их чувствительность не понижается.

Слой хрома на стеклянной пластинке имеет коэффициент светопропускания порядка 50 вЂ” 55% и удельное сопротивление 1000вЂ”

1500 омl см .

Интегральная чувствительность селеновых фотоэлементов с хромовым электродом, измеренная при освещенности 10 Ак и нагрузочном солка противлении 1000 ом, колеблется в пределах 420 вЂ 6, а напряжение холостого хода при этой же освешенности лежит в пределах 90вЂ”

230 мв.

Технология изготовления селеновых фотоэлементов с хромовым электродом вЂ” подготовка подложки, возгонка селена, термическая обработка и цанесение полупрозрачного слоя кадмия вЂ” аналогична технологцц изготовления фотоэлементов с золотым электродом. № 122220

После высыхания лака фотоэлементы с хромовым электродом подвергаются термической обработке при температуре порядка 100 в течение 24 час,, что увеличивает чувствительность по току на 10 вЂ” 30% и на 30 вЂ” 50% по напряжению холостого хода.

Предмет изобретения

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор A. Лейкина Гр. 97

Подп. к печ. 13/Ч!!-59 г.

Тираж 1100 Цена 25 коп.

Информационно-издательский отдел.

Обем 0,17 п. л. Зак. 5028

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

Селеновый фотоэлемент с запорным слоем, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности и чувствительности при повышенных температурах, верхний полупрозрачный электрод фотоэлемента изготовлен из хрома.

Похожие патенты:

Фотоэлемент вентильного типа // 44288

Полупроводниковый диод с низким сопротивлением контакта // 2166222

Изобретение относится к устройствам, изготовленным из узкощелевых полупроводников для работы в инфракрасном диапазоне длин волн

Толстопленочный контакт кремниевого фотоэлектрического преобразователя и способ его получения // 2303830

Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую, в частности к конструкциям контактов на полупроводниковом фотоэлектрическом преобразователе (ФЭП) различной конфигурации

Паста алюминиевая для кремниевых солнечных элементов // 2303831

Изобретение относится к материалам для изготовления электропроводящих слоев методом трафаретной печати

Приемник излучения // 2371810

Изобретение относится к фоточувствительным полупроводниковым приборам, в частности, к приемникам излучения, содержащим размещенный в герметичном корпусе кристалл с фоточувствительными элементами и предназначенным для использования, например, в гироскопах, акселерометрах и других приборах, имеющих системы пространственной ориентации

Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления // 2413333

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия // 2428766

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2

Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения // 2435250

Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых // 2435251

Пастообразный состав и солнечный элемент // 2462788

Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения // 2469438

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым фоточувствительным приборам, предназначенным для детектирования инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре

Полупроводниковый элемент-детектор излучения // 2281531

Фоточувствительная структура // 2373606

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке фотоприемников инфракрасного (ИК) излучения на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути (КРТ)

Способ изготовления селеновых фотоэлементов // 124559

Селеновый фотоэлемент // 132664

Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления // 150951

Вентильный фотоэлемент // 168370

Селеновый фотоэлемент // 199283

Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках // 380684

Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения // 1436794

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости // 2602123

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe с химическим составом в интервале от х=0,19 до х=0,33 мольной доли теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле из раствора-расплава на основе теллура при температуре 500÷515°С и in situ отжиг эпитаксиального слоя в парах шихты, из которой он был выращен, сначала при температуре 350÷370°С в течение 1÷2 ч, а затем при температуре 200÷240°С в течение 20÷24 ч. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда (0,5÷2,0)×1016 см-3 при 77К с высокими значениями подвижности носителей заряда и однородным распределением электрофизических характеристик по толщине эпитаксиального слоя, а также сокращение времени производства эпитаксиальных слоев. 1 табл.