Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках

Авторы патента:

Н. Кондратьева, Г. А. Китаев , Е. Р. Глобус

H01L31/0296 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI, например CdS, ZnS, HgCdTe

Союз Советских

Социзпистических

Республик

СП ИСАНИЕ

И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Заз Icèìîå от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено ОЗ.V11.1970 (¹ 1455601 26-25) .Ч. Кл. С 091(3. 08

Н Oll 15.00 с присоединением заявки №вЂ”

Котхнтет па депе х изобретеииб и открытий при Совете Министров

СССР

ПриоритетвЂ”

Опубликовано 15Х.1973. Бюллетень № 21

Дата опуоликования описания 14Л I II.! 973

УДК 621.382.002 (088.8) Анто I! изобретения

H. М, Кондратьева, Г. А. Китаев и E. P. Глобус

Заявитель

СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТ0 1УВСТВИТЕЛЪНЪ1Х СЛОЕВ

СУЛЪФИДА СВИНЦА НА ПОДЛОЖКАХ

N ° Н Ся Н25-1- и С1х1

Н,С 1,2- Н. +С1 .,- С1х1з --РЬС1х1

Нзс1хт N2Í4 Н СК

Изобретение относится к составам для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца, на основе которых изготавливают, например, детекторы инфракрасного излучения спектрального интервала 0,5вЂ”

3,0 III, применяемые в промышленности и оборонной технике.

В настоятцее время фоточувствительные слои сульфида свинца получают из составов, содержащих ацетат свинца, тиомочевину, щелочной атент. В качестве щелочного агента используются едкие щелочи концентрацией

14 вЂ” Iб л/л или гидразин концентрацией 3вЂ” б м/л. Недостатки состава заключаются в том, что щелочи не удается получать нужной чистоты, а гидразин дорог и токсичен.

Предложенный состав отличается тем, что в качестве щелочного агента используют аммиак концентрацией 2,0 вЂ” 2,5 л /л, а для улучшения фоточувствительности слоев вЂ” добавки гидразина концентрацией 0,5 вЂ” 1,0 лсlл. Это позволяет удешевить производство фоточувствительных слоев сернистого свинца и снизить токсичность состава.

Осаждение слоев сульфида свинца с высокой фоточувствительностью из ванн, содержащих гидразин, сопровождается образованием частично дегидратированного основного ацетата свинца 2РЬО PbAc2 - Н;О, который, явля ясь кислородсодержащей примесью, ответственен за фоточувствительность слоев сульфида свинца.

Как известно, это соединение может образоваться и в аммиачной системе. Следовательно, слои сульфида свинца, полученные из ванн, содержащих аммиак, также должны быть фоточувствптельны, т. е. гидразпн можно заменить аммиаком.

Одновременно с образованием основного ацетата свинца в системе «РЬАсз вЂ” Х;Н CSâ€” щелочной агент» образуется цианампд сншгца

РЬСМ, в результате следующих реакций:

В аммиачных системах содержание цианамида свинца в осадках близко к расчетному.

Изучение состава пленок показало, что большое содержание цианамида свинца ухудшает свойства пленок. В растворах, содержащих гидразнп, цпанамид выводится из системы по

Pc 3KU,EIH: в результате чего цпанампд свинца образуется в очень незначительных количествах.

380684

3 б) РЬЛсз 0,3 дг/.г

N H4CS 011 .1г! г

1х,Н40H 2,0 дг.л 2Н4 11 ;0 0 о гг/л рН 980

0,3 лг/,г

0,1 дг/,г

2,0 л/л

9,70. а) РЬЛсз

N,Í4ÑS

ХН,OH рН

Предмет изобретения

¹H4 - Н20 .0 и/л рн 980 в) РЪЛсз 0,2 дг/.г

N2H4CS 011 лг/Л

N H4OH 1,0 гя/л

Реакционную растворов

РЬАсв 1,0

N;H„CS 1,0 смесь готовят из

МН40Н 25е/

М2Н4 Н 0 100 /O дг/л гн/л

Составитель М. Сорокина

Техред T. Ускова Корректор С, Сатагулова

Редактор Т. Орловская

Заказ 375/1176 Изд. № 543 Тираж 647 Подписное

11ИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCP

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред, «Патенть

Применение добавок гидразина (0,5вЂ”

1,0 лг/.г) обеспечивает допустимое содержание цианамида свинца в фоточувствительном слое сернистого свинца и позволяет получать слои, не уступающие по своим свойствам слоям, полученным из чисто гидразиновых систем.

Для получения слоя сульфида свинца используется, например, реакционная смесь одного из следующих составов:

Исходные растворы соединяют в cëåäóþщей последовательности: смешивают воду и аммиак, добавляют гидразин, помещают горизонтально подложку, при перемешивании

5 приливают тиомочевину, закрепляют подложку так, чтобы она касалась поверхности раствора, не переставая пермешивать, приливают ацетат свинца. Смесь перемешивают еще 1 мин и оставляют при комнатной температуре на

10 5 агин. Затем смесь нагревают до температуры 90 С и выдерживают при этой температуре 10 лгин. После этого подложки вьшимают и промывают дистиллированной водой.

Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках, содер20 жащий ацетат свинца, тиомочевину и щелочной агент, отличаюигггггся тем, что, с целью снижения токсичности состава, в качестве щелочного агента используют аммиак с концентрацией 1 0 вЂ” 2 5 лг/г

Похожие патенты:

Селеновый фотоэлемент // 199283

Вентильный фотоэлемент // 168370

Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления // 150951

Селеновый фотоэлемент // 132664

Способ изготовления селеновых фотоэлементов // 124559

Селеновый фотоэлемент // 122220

Фотоэлемент вентильного типа // 44288

Полупроводниковый элемент-детектор излучения // 2281531

Фоточувствительная структура // 2373606

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке фотоприемников инфракрасного (ИК) излучения на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути (КРТ)

Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения // 1436794

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости // 2602123

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe с химическим составом в интервале от х=0,19 до х=0,33 мольной доли теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле из раствора-расплава на основе теллура при температуре 500÷515°С и in situ отжиг эпитаксиального слоя в парах шихты, из которой он был выращен, сначала при температуре 350÷370°С в течение 1÷2 ч, а затем при температуре 200÷240°С в течение 20÷24 ч. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда (0,5÷2,0)×1016 см-3 при 77К с высокими значениями подвижности носителей заряда и однородным распределением электрофизических характеристик по толщине эпитаксиального слоя, а также сокращение времени производства эпитаксиальных слоев. 1 табл.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.