Способ обработки индиевых столбов

Авторы патента:

H01L21/268 - с использованием электромагнитного излучения, например лазерного

Способ обработки индиевых столбов, включающий оплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности контактов, столб подвергают многократному расплавлению импульсным лазерным излучением и последующей рекристаллизации, при этом плотность мощности излучения распределена радиально симметрично и имеет кольцевую структуру, причем K₁<d, где d - половина диагонали индиевого столба, r_о - внешний радиус лазерного пучка превышает d на 10-20%, r₄ - внутренний радиус лазерного пучка, который составляет 30-70% от d, а частота следования импульсов составляет 20-25 Гц.

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин // 1190857

Способ изготовления мдп-транзисторов // 1176777

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС

Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов // 1170926

Способ получения п-слоев в антимониде индия // 1149822

Способ отбора проб и устройство для его осуществления // 1149742

Способ получения п-слоев в антимониде индия // 1017122

Способ отжига полупроводниковых пластин // 880174

Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале // 677597

Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах // 676109

Устройство для удаления поверхностных загрязнений с подложки (варианты) // 2114486

Изобретение относится к устройствам для удаления нежелательных поверхностных примесей с плоской или имеющей нерегулярную форму поверхности подложки 12 высокоэнергетическим излучением

Способ получения структур кремния-на-изоляторе методом зонной перекристаллизации и устройство для его осуществления // 2133520

Способ изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков // 2242063

Изобретение относится к способу изготовления трехмерно расположенных проводящих и соединительных структур для объемных и энергетических потоков

Система контроля технологического процесса для лазеров, используемых в литографии // 2258253

Изобретение относится к системам контроля и, в частности, к системам контроля работы лазеров

Способ халькогенизации поверхности gaas // 2406182

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник

Способ формирования эмиттера ионов для лазерной десорбции-ионизации химических соединений // 2426191

Изобретение относится к способам создания подложек, применимых в качестве эмиттеров ионов химических соединений в аналитических приборах, предназначенных для определения состава и количества химических соединений в аналитических приборах, в частности в масс-спектрометрах и спектрометрах ионной подвижности

Способ восстановления порогового напряжения мдп-транзисторных структур после воздействия плазменных обработок // 2426192

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для создания полупроводниковых приборов на основе МДП-транзисторных структур, технология изготовления которых предусматривает использование плазменных обработок на этапе формирования металлизации приборов

Способ получения слоя поликристаллического кремния // 2431215

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов

Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов // 2444084

Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ

Способ формирования топологии интегральной микросхемы // 2098885

Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч