Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке
Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 
Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон микроволновым излучением с частотой 0,95-10 ГТц и плотностью поглощенной энергии излучения 0,5-100 Дж/см2 в течение 0,1-600 с.
Похожие патенты:
Способ формирования изображения на подложке // 1100604
Электронорезист // 1078399
Фотошаблон и способ его изготовления // 938338
Установка для изготовления фотошаблонов // 428351
Устройство для проявления фоторезиста // 387441
Способ изготовления фотошаблонов // 375822
Способ получения рельефных микрорисунков // 309664
Патент 302856 // 302856
Способ определения глубины залегания модифицированного приповерхностного слоя в полимерной пленке // 2148853
Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Способ травления слоя фоторезиста // 2318231
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Способ удаления резистивной маски // 2318267
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)
Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах
Способ изготовления масок // 2064689
Способ сухой литографии // 2082257
Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок
