Эсл-элемент

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„S0„„1251318

А1 (5и 4 Н 03 К 19/086

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

К ABTOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3752063/24-21 (22) 13,06.84 (46) 15,08.86. Бюл. № 30 (72) M.Î.Áoòâèíèê, Ю.FI.Åðåìèí и M.Ï.Ñàõàðîâ (53) 621.375 (088,8) (56) Алексеенко А.Г,, Шагурин И,И, Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1982, с. 256, рис. 7.8(а).

Авторское свидетельство СССР

¹ 1205295, кл. Н 03 К 19/086, 1986. (54) (57) ЭСЛ-ЭЛЕМЕНТ, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых соответственно сое динены с первым и вторым выходами устройства и соответственно через первый и второй резисторы с шиной питания, а эмиттеры подключены к коллектору третьего транзистора, эмиттер которого через третий резистор соединен с общей шиной, база первого транзистора через четвертый резистор соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода, катод которого соединен с входом устройства, а база второго транзистора подключена к шине опорного напряжения и катоду второго диода, анод которого соединен с базой первого транзистора, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью увеличения надежности, дополнительные эмиттеры первого и второго транзисторов соединены с базой третьего транзистора.

1251318 вано при создании полулроводниковых интегральных схем (ИС), Целью изобретения является уве- 5 личение надежности за счет упрощения, На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного ЭСЛ-элемента.

ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первым 3 и вторым 4 выходами устройства и соответственно через первый 5 и второй 6 резисторы соединены с ши- 15 ной питания, а эмиттеры подключены к коллектору третьего транзистора 7, эмиттер которого через третий резистор 8 соединен с общей шиной, база первого транзистора 1 через четвер- 20 тый резистор 9 соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода 10, катод которого соединен с входом ll устройства, а база вто рого транзистора 2,подключена к 25 шине опорного напряжения и катоду второго диода 12, анод которого соединен с базой первого транзистора, дополнительные эмиттеры первого l и второго 2 транзисторов 30 соединены с базой третьего транзистора 7.

ЭСЛ-элемент работает следующим

* образом.

При подаче на вход 11 логического 0" диод 10 включается в прямом направлении, пропуская через себя весь ток резистора 9, поэтому ток в базу транзистора 1 не поступает и он находится в выключенном состоя- щ нии, выключая тем самым ток через резистор 5. Поэтому напряжение на выходе 3 равно напряжению источника питания. Диод 12 включен в обратном направлении.

+ о 1 12

Это приводит к увеличению быстродействия переключения плеча с низкого уровня на высокое, с большим логическим перепадом, приближая к быстродействию плеча с меньшим логическим перепадом за счет увеличения с

50 номинала резистора 5.

Увеличение быстродействия при переключении с высокого уровня на низкий плеча с большим логическим перепадом происходит за счет увеличения в этом случае тока, задаваемого источником тока.

Получение разных логических перепадов на выходах с помощью повьппения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использоВ этом случае источник тока в цепи эмиттеров транзисторов 1 и 2 образован по цепи U,, дополнительный эмиттер транзистора 2 и транзистор 7 с резистором 8. Ток резистора 8, создаваемый напряжением на нем источника U„, за вычетом падений напряжений на базо-эмит" терных переходах транзисторов 2 и 7, через коллектор транзистора 7 попадает в эмиттер включенного транзисто рв 2, понижая тем самым потенциал на выход ч за счет протекания тока через резистор 6.

При подаче на вход ll логической

"1 диод 10 включается в обратном направлении, поэтому ток резистора

9 течет в базу транзистора 1 и в диод 12, фиксируя уровень базы на уровне

Транзистор 2 выключается, а транзистор 1 включается. формируя на резисторе 5 и на выходе 3 низкий уровень током, протекающим через включенный транзистор 1.

В этом случае источник тока в цепи первых эмиттеров транзисторов

1 и 2 образован по цепи U,„, диод

l2, переход база — дополнительный эмиттер транзистора 1 и транзистор

7 с резистором 8. Т.е, в случае логической единицы на входе 11 ток, задаваемый источником опорного напряжения, будет больше, чем в случае подачи на вход напряжения, соответствующего логическому нулю, на величину прямого падения нап" ряжения на диоде 12, из-за увеличения падения напряжения на резисторе 8.

Таким образом, ток задаваемый источником тока на резисторе 8 и транзисторе 7, зависит от уровня логического сигнала на входе, поэтому логические уровни, создаваемые этим током на нагрузочных резисторах 5 и 6, с которых снимаются выходные сигналы, формируются разными даже в случае одинаковых номиналов этих резисторов 5 и 6.

1251318

Составитель А.Янов

ТехРед П.Сердюкова КоРРектоР М.СамбоРскаЯ

Редактор Н.Слободяник

Тираж 816 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Заказ 4426/58.Производственно-полиГрафическое предприятие, r.Óêãoðîä, ул.Проектная,4 рабочего тока при включении плеча с большим логическим перепадом поз" воляет получить разные логические перепады на выходах устройства, повысив быстродействие выхода с большим логическим перепадом, сделав его равным быстродействию второго выхода, что существенно упрощает построение на основе этой схемы быстродействующих ИС с малой потребляемой мощностью, устранив в них явления гонок фронтов, вызывающие ложные срабатывания схем и повышая их быстродействие.