Интегральный эсл-элемент

 

Изобретение относится к импульсной технике. Целью изобретения является повышение быстродействия интегрального ЭСЛ-элемента. Для достижения поставленной цели в интегральный ЭСЛ-элемент, выполненный на шести транзисторах и резисторах дополнительно введены три диода 12, 18 и 19 и два диода Шотки 16 и 17 с сответствующими функциональными связями. За счет уменьшения емкости входного узла и небольших изменений напряжения на базе транзистора 1 при переключении схемы время включения злемента по инвертирующему выходу существенно снижается. Изобретение может быть использовано при построенц микросхем ЭСЛ-типа. 1- ил. f2 5 б I - / га со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„.SU» 1359 (59 4 Н 03 К 19/086

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А BTQPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4056454/24-21 (22) 14.04.86 (46) 15.12.87. Бюл. 9 46 (72) M.Î.Áoòâèíèê и M.Ï.Ñàõàðoâ (53) 621. 374 (088.8) (56) Алексенко А.Г., Шагурин И.И.

Микросхемотехника. N.: Радио и связь, 1982, с. 256, рис. 7.8 (а) .

Агаханян Т.M. Интегральные микросхемы. М,: Энергоатомиздат, 1983, с. 301, рис. 7.29.. (54) ИН,ТЕГРАЛЬНЬ Й ЭСЛ-ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение относится к импульсной технике. Целью изобретения является повышение быстродействия интегрального ЭСЛ-элемента. Для достижения поставленной цели в интегральный

ЭСЛ-элемент, выполненный на шести транзисторах и резисторах дополнительно введены три диода 12, 18 и 19 и два диода Шотки 16 и 17 с сответствующими функциональными связями. За счет уменьшения емкости входного узла и небольших изменений напряжения на базе транзистора 1 при переключении схемы время включения элемента по инвертирующему выходу существенно снижается. Изобретение может быть использовано при построениИ микросхем

ЭСЛ-типа. 1.ил.

C т П„З U>F а

10 e U

Rto

Резисторы вия

h 2

R = R + — - — )

20

V =U,„(0) +U,ä, 1 135

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа.

Целью изобретения является повышение быстродействия.

На чертеже приведена принципиальная схема предлага *мого интегрального

ЭСЛ-элемента.

Интегральный ЭСЛ-элемент содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, коллекторы которых подключены к выходам 3 и 4 и соответственно через первый и второй элементы 5 и 6 нагрузки — к шине 7 питания, эмиттеры — к коллектору третьего транзистора 8, база которого соединена с коллектором и базой четвертого транзистора 9, база транзистора 1 соединена с эмиттером пятого транзистора

1:О, база которого соответственно через первый резистор 11 и первый диод

12 соединена с шиной 7 питания и входом 13, коллектор через второй резистор 14 — с шиной 7 питания, эмиттер — с коллектором пятого транзистора 15 и через последовательно включенные два диода Шоттки 16 и 17 с анодом второго диода 18, катод которого соединен с базой транзистора

2 и через третий диод 19 — с базами транзисторов 4 и 5, эмиттеры транзисторов 8, 9 и 15 соединены с общей шиной, анод диода 18 через третий резистор 20 соединен с шиной питания 7.

Интегральный ЭСЛ-элемент работает следующим образом.

При подаче на вход 13 напряжения высокого уровня (1 ) ток через диод

12 прекращается и происходит заряд входной емкости узла, образованного анодом диода 12, базой транзистора

10 и выводом резистора 11 до напряжения в узле, равном 3 U, +, и, где

U < — падение напряжения на переходе база-эмиттер транзистора 10, а Ь величина превышения напряжения, необходимая для отсечки тока через ранее открытый транзистор 2 (0 15-0,2) В.

Как видно из схемы, транзисторы 15 и 9 образуют так называемое "токовое зеркало", т,е. ток, протекающий по цепи: шина питания — резистор 20 диод 18 — диод 19 — коллектор — эмиттер транзистора 9 — общая шина и по цепи: шина 7 питания — резистор 11 база — коллектор транзистора 10 коллектор — эмиттер транзистора 15— общая шина, вместе с током, проте9902 2 кающим по цепи: шина 7 питания — резистор 14 — коллектор — эмиттер транзистора 10 — коллектор — эмиттер транзистора 15 — общая шина, равны и определяются из условия напряжение питания, падение напряжения на переходе база-эмиттер при прямом смешении, величина резистора 20.

К„и R 4 выбираются из усло- где в — величина превышения напряжения (0,15-0,2) В

I — ток, задаваемый "токовым зеркалом" °

При этом транзистор 1 открывается, и за счет протекания коллекторного тока, который нормирован на элементе 5 нагрузки, создается падение напряжения, приводящее к снижению напряжения на выходе 3.

Если на вход 13 подано напряжение низкого уровня ("0"), то транзисторы

10 и 1 закрыты, причем, если на базе транзистора 10 при этом напряжение, 35 Равное где U „(0) — входное напряжение ло40 гического нуля, то на базе транзистора 1 происходит нормированное снижение напряжения

c}g что позволяет при подаче на вход 13 напряжения " 1" быстро (после заряда емкости входного узла) включить этот транзистор.

В этом состоянии схемы транзистор

2 открыт, и за счет протекания нормированного, но в 2 раза меньшего, чем в первом случае тока на элементе

6 нагрузки падает напряжение, кото- рое приводит к снижению напряжения на выходе 4.

Таким образом, за счет. уменьшения емкости входного узла и небольших изменений напряжения на базе транзистора 1 при переключении схемы время

9902

Формула изобретения

Составитель А.Янов

Техред И.Попович

Редактор Т.Парфенова

Корректор М.Максимишинец

Заказ 6164/56 Тираж 900 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д; 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

135 включения элемента по инвертирующему выходу существенно снижается.

Интегральный ЭСЛ-элемент, содержащий шесть транзисторов, три резистора, коллекторы первого и второго транзисторов подключены к выходам и соответственно через первый и второй элементы нагрузки — к шине питания, эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора, база которого соединена с коллектором и базой четвертого. транзистора, база первого транзистора соединена с эмиттером пятого транзистора, первый вывод первого резистора соединен с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, введены три диода и два диода

Шоттки, второй вывод первого резистора соединен с базой пятого транзистора и через первый диод — с вхо5 дом, коллектор пятого транзистора через второй резистор соединен с шиной питания, эмиттер — с коллектором шестого транзистора и через два последовательно соединенных диода Шоттки подключен к аноду второго диода, катод которого соединен с базой второго транзистора и анодом третьего диода, катод которого соединен с базами-:четвертого и шестого транзисторов, эмиттеры которых соединены с общей шиной и эмиттером третьего транзистора, анод второго диода че, рез третий резистор соединен с шиной

20 питания