Интегральный эсл-элемент
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа. Цель изобретения - увеличение надежности интегрального ЭСЛ-элемента путем упрощения. Интегральный ЭСЛ-элемент содержит четыре транзистора, четыре диода и пять резисторов. Четвертый транзистор ответвляет часть входного тока в цепь формирования опорного напряжения на базе одного транзистора и одновременно ограничивает уровень напряжения на базе другого транзистора, которые вместе образуют ЭСЛ-элемент. При этом достигается упрощение ЭСЛ-элемента без уменьшения быстродействия и увеличения потребляемой мощности. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
1209 А1 (19) (П) (51)4 Н 03 К 19/086
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
1 (21) 4405561/24-21 (22) 15.03.88 (46) 23 ° 12.89. Бюл. У 47 (72) М.О»Ботвиник, В.М.Ботвииик и И.В.Полупан (53) 621.374 (088.8) (56) Алексеенко А.Г., Шагурин И.И.
Микросхемотехника. Радио и связь.
М.: 1982, с. 256. рис. 7 ° 8а.
Авторское свидетельство СССР
В 1205295, кл. Н 03 К 19/086, 1984. (54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЭСЛ-ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-тиИзобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении микросхем ЭСЛ-типа.
Целью изобретения является увеличение надежности путем упрощения.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема интегрального ЭСЛ-элемента.
Интегральный ЭСЛ-элемент содержит первый 1 и второй 2 резисторы, соеди« ненные первыми выводами с шиной 3 питания, а вторьв(и - с коллекторами первого 4 и второго 5 транзисторов и с первые 6 и вторым 7 выходами, эииттеры транзисторов 4 и S соединены с коллектором третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен через третий резистор 9 с общей шиной
10, база транзистора 4 через четвертый резистор 11 соединена с шиной 3 питания и с анодои первого диода 12, 2 па. Цель изобретения - увеличение надежности интегрального ЭСЛ-элемента путем упрощения. Интегральный ЭСЛэлемент содержит четыре транзистора, четыре диода и пять резисторов. Четвертый транзистор ответвляет часть входного тока в цепь формирования опорного напряжения на базе одного транзистора и одновременно ограничивает уровень напряжения на базе другого транзистора, которые вместе образуют ЭСЛ-элемент. При этом достигается упрощение ЭСЛ-элемента без уменьшения быстродействия и увеличения потребляемой мощности. 1 ил. катод которого является входом 13, база транзистора 5 через пятый резистор 14 соединена с шиной 3 питания и с анодом второго диода 15, катод которого через последовательно включенные третий 16 и четвертый 17диоды сое- > динен с общей шиной 10, база транзистора 4 соединена с коллектором чет-, вертого транзистора 18, база которого соединена с коллектором транзистора 8, а эмиттер - с базой транзистора 4 и с катодом диода 15.
Интегральный ЭСЛ-элемент работает следующим образом.
При подаче на вход 13 напряжения высокого уровня ток через диод 12 » прекращается и через резистор l1 течет в базу транзистора 4.
При этом транзистор 4 открывается, транзистор 5 закрывается. Ток через транзистор 4 определяется генерато1531209 ром тока, выполненном на транзисторе 8 и резисторе 9. Напряжение на базе транзистора 8 постоянно и равно
2У,, где U<, - прямое. падение на- . пряжения на переходе база - эмиттер, при этом величина тока генератора будет равна
Ug
Ку
При подаче на вход 13 напряжения низкого уровня транзистор 5 открывается, а транзисторы 4 и 18 закрываются, так как входной ток нроте- 40 кает при этом по цепи: шина 3 питания, резистор 11, диод 12 ° вход 13. что позволяет легко рассчитать величину резисторов 1 и 2 для получения заданного перепада напряжений на выходах 6 и 7.
При достижении на базе транзистора 4 напряжения 4U< транзистор 18 открывается и избыточная часть базового тока транзистора 4 flo цепи: шина 3 питания, резистор 11, коллектор- 20 эмиттер транзистора 18, диоды 16 и
17, общая шина 10, протекает по цепи формирования опорного наряжения на базе транзистора 5.
При этом напр ыение на базе транзистора 4 не превьФает уровня 40 что исключает насыщение транзистора
4 при заданной величине логического перепада напряжений на выходе 6.
Составляющая входного тока, используемая для формирования опорного напряжения на базе транзистора 5, является избыточнъи базовым током транзистора 4, который можно отобрать из цепи базы этого транзистора после его включения.
Напряжение на базе транзистора 5 постоянно и равно ЗУа sa счет про» текания тока по цепи: шина 3 питания, резистор 14, диоды 15 — 17, общая шина 10.
Таким образом, ЭСЛ-элемент содержит меньшее количество элементов и обеспечивает быстродействие и потребляемую мощность не хуже известного технического решения, что позволяет повысить технико-экономические показатели устройств, выполненных на его основе.
Формула изобретения
Интегральный ЭСЛ-элемент, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первыми вторыми выходами и, соответственно через первый и второй резисторы подключены к шине питания, а эмиттеры соединены с коллектором третьего транзистора, эмиттер которого через третий резистор подключен к общей вине, база первого транзистора через четвертый резистор соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода, катод которого подключен к входу, база второго транзистора через пятый резистор соединена с шиной питания и с анодом второго диода, катод которого через последовательно включенные третий и четвертый диоды соединен с общей шиной, о т л и ч .а юшийся тем, что, с целью увеличения надежности, введен четвертый транзистор, коллектор которого соединен с базой первого транзистора, баsa — с коллектором третьего транзистора, а эмиттер - с базой третьего транзистора и с катодом второго диода.
1531209
Составитель А.Янов
РедактоР Г.Волкова ТехРед Д.Сердюкова КоРРектоР С.ЧеРни
Заказ 7966/56 Тираж 884 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101
