Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях

 

Изобретение относится к электронной микроскопии, в частности электронографии. Цель изобретения - сокращение времени измерения. В результате рассеяния на молекулах исследуемого вещества ранее сформированного электронного пучка 1 в плоскости регистрации формируется дифракционная картина (ДК). получаемая с помощью магнитных отклоняющих катушек 8 и неподвижного детектора 3. Время счета (i) в некоторой точке ДК соответствует накоплению фиксированного суммарного заряда - количества электронов. Интенсивность рассеяния электронов в этой точке выбирается исходя из требуемой относительной точности измерений. Для обеспечения относительной точности измерений й 0,3% в каждой точке электронограммы требуется накопить не менее NO 10 электронов. Время измерения в некоторой точке ti NO/FT. При этом частота FT прямопропорциональна интенсивности рассеяния электронов, току электрон е ного луча и плотности электронов в области рассеяния. Об интенсивности рассеяния су (Л дят по распределению измеренных для каждой точки ДК промежутков времени. 1 ил. ю О) о tc ел

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК дд 4 Н 01 J 37 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3901284/24-21 (22) 27.05.85 (46) 07.11.86. Бюл. № 41 (71) МГУ им. М. В. Ломоносова (72) В. В. Голубков (53) 621.385.833 (088.8) (56) Практические методы в электронной микроскопии./Под ред. О. М. Глоэра. — Л.:

Машиностроение, 1980, с. 226 — 229.

Fink М., Bonham R. А high precession electron diffraction unit for gases.— Rev. Scient

Instr., 1970, N 41, рр. 389 — 396. (54) СГ10СОБ ИЗМЕРЕНИЯ ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРИ

ЭЛЕКТРОНОГРАФИЧЕСКИХ ИССЛ ЕДОВАНИЯХ (57) Изобретение относится к электронной микроскопии, в частности электронографии.

Цель изобретения — сокращение времени измерения. В результате рассеяния на молекулах исследуемого вещества ранее сфорSU» 1269215 А1 мированного электронного пучка 1 в плоскости регистрации формируется дифракционная картина (ДК), получаемая с помощью магнитных отклоняющих катушек 8 и неподвижного детектора 3. Время счета (1.) в некоторой точке ДК соответствует накоплению фиксированного суммарного заряда — количества электронов. Интенсивность рассеяния электронов в этой точке выбирается исходя из требуемой относительной точности измерений. Для обеспечения относительной точности измерений б= 0,30 0 в каждой точке электронограммы требуется накопить не менее Мо= 10 электронов. Время измерения в некоторой точке t.= No/F.. При этом частота F. прямопропорциональна интенсивности рассеяния электронов, току электронного луча и плотности электронов в области рассеяния. Об интенсивности рассеяния судят по распределению измеренных для каждой точки ДК промежутков времени. 1 ил.!

269215

Изобретение относится к электронной микроскопии, в частности к электронографии, и предназначено для измерения интенсивности рассеяния электронов на об.ьектах в твердой и газовой фазе.

Цель изобретения -- сокращение времени измерений интенсивности рассеяния электронов при обеспечении одинаковой точности измерений во всех точках дифракционной картины.

На чертеже показана схема реализую- !О

)aего способ устройства.

Устройство содержит расположенные на пути электронного пучка объект 2 и детектор 3. Выход детектора соединен с первым счетчиком 4, который в св<)ю очередь соединен с вторым счетчиком 5. Второй счетчик 5 соединен с опорным генератором 6, а первый сч T÷èê 4 соединен с гснератором 7 развертки, выход которого соединен с отклоняющими катушками 8.

Способ осугцествляетсH следующим <>бразом.

Первичный электронный пучок 1, сформированный электрооптической системой электронографа, пересекает область, где происходит рассеяние первичных электронов на молекулах исследуемого вещества. В результате в плоскости регистрации формируется дифракционная картина, которая разворачивается с помощью магнитныз отклоняю<цих катушек 8 относительно неподвижного детектора 3, в качестве которого может использоваться система из сцинтиллятора и фотоэлектронного умножителя. Бремя сч T3 в некоторой точке дифракционной картины соответствует накоплению фиксированногo суммарного заряда — - количества электронов N,. 1 !нтенснвность рассеяния электронов в этой точке 1-, =)< N,) t» где А - коэффиl)H IlT нро)<орци она.чьи ости. В пред:<ага<. %loll способе 1х1<) постоянно и выбирается исходя из требуемой относительной точности измерений <): N<)= <), ччтто о ооббеессппее<ч3 и<вв ает одинаковую точность измерений во всех точках 4р дифракционной картины. Измеряемой величиной в данном случае является t. — время счета Nстроить р3спределение интенсивности рассеяния электронов, поскольку она обратно пропорцио- 45 нальна времени <.. Таким образом, время счета электронов в каждой отдельной точке дифракционной картины не превышает времени, необходимого для обеспечения требуемой точности измерений О. Так, для обеспечения относительной точности измерений

Ь= 0,3 / в каждой точке электронограммы требуется накопить не менее N<)=10 электронов. Время измерения в некоторой точке

t.= N!I/F! где F — средняя частота регистp3LLHH электрОНОв в этОЙ точке. Частота 1 55 прямо пропорциональна интенсивности рассеяния электронов, току электронного луча и плотности электронов в области рассеяния.

Экспериментальные условия выгодно выбирать таким образом, чтобы работать при возможно больших F с тем, чтобы уменьшить время измерений t . Однако максимальное значен ие Е. ограничивается предельной частотой счетчика импульсов f и длительностью импульсов т. Необходимым условием нормальной работы является т(Г, при этом относительная ошибка при регистрации электронов, следу к>щих с средней частотой Е, составляет 5==F /f. Максимальная частота серийных счетчиков импульсов

= !00 МГц. При относительной ошибке

<)= 0,3", средняя частота F»= 300 кГц. Если в ближней области дифракционной картины Е.х= 300 кГц, то в дальней области средняя частота pcl èñòðàïèè электронов уменьIll 3<. Тс я д<) < „. =-! к Г I l. I l p H 3TOXI <3 pC „»Я мя измерений в о iной точке в дальней

<и IHCTH дифракционнои картины t» =100c, 6

;l )3 ближней области это время уменьшается до 03 с, в то время как при известном спосоое измерения время измерения во всех точках одинаково и в j)3HHol

Устройство, реализующее предлагаемый способ, работает следуюц)им образом.

Электронный пучок рассеивается обьсКТоМ 2. Одноэлектронные импульсы с детектора 3 поступают на первый счетчик 4, который при накоплении выбранного количества импульсов вырабатывает электрический импульс. Этот импульс останавливает счетчик 5, регистрирующий количество импульсов опорного генератора 6 фиксированной частоты, и такжс поступает в генераТор 7 цифровой развертки. Генератор 7 изменяет ток через отклоняющие катушки 8, переводя дифракиионную картину в новую точку измерений. В этой схеме количество импульсов, накопленное во втором счетчике 5, обратно пропорционально интенсивности рассеяния электронов в данной точке дифракционной картины. Используя в качестве второго счетчика 5 многоканальный анализатор импульсов и соответствук>щую схему синхронизации, процесс измерения интенсивности рассеяния электронов удается полностью автоматизировать, что также снижает общее <зремя измерений.

Пример. Исследования молекулы СС1) показали, что предлагаемый способ измерения интенсивности рассеяния электронов позволяет уменьшить время эксперимента по сравнению с известными способами в 4 раза (с 3 ч до 45 мин) при сохранении точности измерений б= О,ЗО4.

Предлагаемый способ обеспечивает постоянную точность измерений <) по всей дифракционной картине, уменьшая время измерения в ее ближних областях и тем самым

1269215

Формула изобретения

Составитель В. Гаврюшин

Редактор С. Пекарь Текред И. Верес Корректор T. Колб

Заказ б043/55 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и о1крытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 значительно уменьшая общее время эксперимента. Это позволяет снизить влияние нестабильностей измерительной аппаратуры на точность эксперимента, в 3 — 4 раза снизить затраты трудовых и энергетических ресурсов и значительно увеличить объем и эффективность научных исследований.

Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях, включающий формирование и развертку дифракционной картины относительно неподвижного детектора, регистрацию суммарного заряда рассеянных электронов в каждой точке дифракционной картины, измерение времени регистрации и осуществление интенсивности рассеяния электронов по распределению регистрируемых электрических сигналов, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерений при обеспечении одинаковой точности во всех точках дифракционной картины, измерение времени осуществляют для каждой

10 точки дифракционной картины до момента накопления в них одинакового суммарного заряда рассеянных электронов, а об интенсивности рассеяния судят по распределению измеренных для каждой точки дифракционной картины промежутков времени.

Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях Способ измерения интенсивности рассеяния электронов при электронографических исследованиях 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области исследования физических и химических свойств веществ, в частности к технике препарирования объектов, и может быть использовано в просвечивающей электронной микроскопии при исследовании гигроскопических образцов

Изобретение относится к области электронной микроскопии и может быть использовано при конструировании устройств для перемещения объектов в просвечивающих электронных микроскопах

Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению

Изобретение относится к электрозондовым устройствам для наблюдения и регистрации изображения, в частности к электронным микроскопам просвечиваемого типа

Изобретение относится к технике микроскопии и может быть использовано при исследовании физических свойств металлов в условиях сочетания ультразвукового и статического воздействий на кристаллы и непосредственного изучения этих структур в ,.

Изобретение относится к растровым электронным микроскопам и микроанализаторам

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии

Изобретение относится к электронной микроскопии и может быть исрользовано йрй разработке стробо4-4i---4f скопических электронных микроскопов для исследования быстропротекающих процессов в твердом теле

Изобретение относится к электронным вакуумным приборам, в частности к эмиссионным микроскопам и видеоусилителям, и раскрывает способ визуализации и увеличения изображений исследуемых объектов

Изобретение относится к электроракетным двигателям и можеи использоваться при их конструировании
Наверх