Способ записи информации в элемент памяти на @ -канальном моп-транзисторе (его варианты)

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупроводниковых запоминающих устройств. Цель изобретения - повышение надежности записи информации в элемент памяти на П-канальном МОП-транзисторе - достигается увеличением амплитуды импульса записи, равной потенциалу вторичного стокового перехода МОП-транзистора, либо увели-, чением амплитуды напряжения на подлож ке до величины, при которой происходит вторичный пробой стокового перехода МОП-транзистора. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

COLlWUlHCTPHECHHX

РЕСПУБЛИН (59 4 G 11 С ll/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«ф

««3

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3466359/24-24 (22) 07.07.82 (46) 30.01.87. Бюл. У 4 (72) А.С.Свердлов и Б.М.Соскин (53) 681.327.66 (088.8) (56) IEEE Journal of Solid. State

Circuits VSC-7, В 5, 1972, рр.369375.

Патент СССР Р 664586, кл. Н 01 ? 29/76, 1975. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В . ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА п-КАНАЛЬНОМ, МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ЕГО ВАРИАНТЫ) „„SU„„1287231 (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупроводниковых запоминающих устройств.

Цель изобретения — повьппение надежности записи информации в элемент памяти на П-канальном МОП-транзисторе — достигается увеличением амплитуды импульса записи, равной потенциалу вторичного п-обоя стокового перехода МОП-транзистора, либо увели-. чением амплитуды напряжения на подложке до величины, при которой происходит вторичный пробой стокового перехода HOII-транзистора. 1 з.п. ф-лы.

Формула

1 изобретения

Составитель Н.Воронин

Редактор А.Долинич Техред А.Кравчук Корректор В.Бутяга

Заказ 7724/56 Тираж 589 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

I13035» Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4

1 128723

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении полупроводниковых запоминающих устройств.

Целью изобретения является повыше- 5 ние надежности записи информации.

При возникновении вторичного пробоя р-и-перехода стока транзистора в области пространственного заряда (ОПЗ) вблизи стока усиливается гене- 1О рация электронно-дырЬчных пар. Ток дырок создает положительный потенциал подложки в области между истоком и стоком транзистора, смещает в прямом направлении истоковый р-и-переход, вызывая тем самым инжекцию электронов из объемной части истокового р-и перехода s объем подложки, В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает.

Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем,нием и окислом.

Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция иэ канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.

Вторичный пробой стокового р-и пе- 35 рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на подложку напряжения смещения.

Величина стокового напряжения, вызывающая вторичный пробой, зависит от множества электрофизических параметров транзистора, параметров подложки, концентрации и профиля распре- 5 деления легирующей примеси в канале, параметров р-и перехода стока (глубина, резкость и др.) параметров затворного диэлектрика, потенциала затвора и т.д. и поэтому может быть определена только экспериментально для каждого конкретного случая с помощью обычных электрофизических измерений.

Например, процесс вторичного пробоя легко обнаруживается и может быть изучен экспериментально по осциллограмме стокового тока или, что более удобно, по вольт-амперным характеристикам транзистора, показывающим связь тока стока с напряжением на стоке.

Таким образом, за счет осуществления вторичного пробоя стокового перехода транзистора повышается надежность записи в него информации, l, Способ записи информации в элемент памяти на и-канальном МОП-транзисторе, заключающийся в подаче на сток MOII-транзистора импульса записи номинальной длительности, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности записи, импульс записи подают с амплитудой равной потенциалу, или большей потенциала вторичного пробоя стокового перехода

MOII-транзистора.

2. Способ записи информации в элемент памяти на и-канальном

МОП-транзисторе, заключающийся в подаче на сток MOII-транзистора импульса записи номинальной длительности отличающийся тем, что, с целью повышения надежности записи напряжение записи по амплитуде, рав— ного потенциалу вторичного пробоя стокового перехода, подают на подложку МОП-транзистора,