Фотодиод
Юо 131842
Класс 21, 29гв
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная группа М 97
Заявлено 28 декабря 1959 г. за № 648582/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 18 за 1960 г.
Известны фотоэлементы, спектральная характеристика которых определяется свойствами вещества, из которого изготовлен фотоэлемент.
Эта характеристика для каждого типа фотоэлементов практически постоянна.
В описываемом изобретении, с целью обеспечения возможности регулировки длинноволновой границы спектральной чувствительности, применен фотодиод, обладающий туннельным эффектом. Сущность туннельного эффекта состоит в следующем. Если в диоде образовать электроннодырочный переход, в котором контактирующие электронная и дырочная части изготовлены из вещества с достаточно большой проводимостью из-за большой концентрации примесей, то толщина объемного заряда на границе (толщина запорного слоя) будет столь мала, что электроны будут преодолевать потенциальный барьер на границе, проходя сквозь него.
Интенсивность переходов сквозь барьер зависит от величины и направления приложенной к диоду разности потенциалов.
На чертеже изображен туннельный и — р переход, включенный в запирающем направлении. Если осветить фотодиод светом с энергией квантов Ьу„„-„не меньшей, чем энергетическое расстояние между дном зоны проводимости электронного полупроводника и потолком валентной зоны дырочного полупроводника, то при поглощении квантов электронами валентной зоны дырочного полупроводника осуществится их переход в зону проводимости электронного полупроводника.
Меняя величину напряжения постоянного смещения 1, прикладываемого к туннельному фотодиоду, можно регулировать энергетический зазор Ьу,-.„а следовательно, и длинноволновую границу чувствительности ф отодиода.
Сигнал в цепи фотодиода регистрируется с помощью прибора 2, измеряющего изменение величины фототока в этой цепи. № 131842
Предмет изобретения
Техред А. А. Камышиикова Корректор О. П. Филиппова
Редактор Рубинчик
Формат бум. 70Х108 /и Объем 0,17 и. л.
Тираж 1050 Цена 25 коп с 1/1-61 г — 3 коп
ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.
Поди. к печ. 5.1Х-60 г
Зак. 7582
Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петро ка, 14.
Фотодиод, имеющий два слоя контактирующих полупроводников, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью обеспечения возможности регулировки длинноволновой границы спектральной чувствительности, запирающий слой между слоями полупроводников создан настолько малым, что при изменении величины приложенного к фотодиоду напряжения меняется величина фототока, определяемого туннельным эффектом.
