Способ контроля долговечности однотипных полупроводниковых кристаллов
Изобретение относится к механическим испытаниям, а именно к способам контроля долг-овечности полупр оводниковьгх материалов и элементоп на их основе, и может быть использовано для оценки долговечности полупроводниковых кристаллов в микроэлектронных изделиях. Цель изобретения -. обеспечение возможности прогнозирования долг овечности функционирования кристаллов в микрозлектронпом изделии . Согласно изобретению, к полупроводниковым гтласггиНам с pasHMjoi максимальным я митшмальными значениями остаточмг.ж механических иапрйже™ f - T - 95- fi i/ .f . t i , ЛЬСТВУ --ft p- - { 1Д , p-,. a j s Л I , &,T, $ tw ,ii I.. w U/ILc i iL« I ik,J iry i , штт-пш .с„ carTt revc eSM НИИ в ПГИГТО1 ОрХНОСТНОЙ зоне КО ГТрОл1:руе П: Х кристг;Л1 оп, сформ 1ропл; Н}.х la пластинеэ прилагают осесинметри чпую 1ЛГ рузку, Пластины иредварптельтго снабжагат прополочными связями, с которых злектрически rcofiTpo- лируют отказ функи,исниропан 5я кристаллов . Геометрический центр каждой пспытьгааемой пластиим соппалает с геометрическим центро( контролируемог-о электрически оУ/нкционируюш.егс кристалла. Часть пхгастин Г7одве1 гатт различным разрушающим нагрузкам, измеряют время, которое нагруженные пластгпгы выдерживают до разрушения и расчетны -{, путем определяют границы диапазона значений структурно-параметрического коэффициента V . К остальным пластинам, прилагают различные нагрузки, меньшие. рпз1)у1тт.агощих, измеряют время наступления отказа в фу1д К1,иоп 1ровании наг руже и ых кристаллов и исходя из диапазона значений козсМ ИЦТзепта У . рассчитыяямт предельные значения энергии актипации отказа. Временные пределы дг.нгг. печности ф Х нкодошфовапия контг - ируемьвс к гЛгсталлоп определяют рясчгтиым путем по формуле, исходя из зи. напряжений посадки кристал.тс В р ;- тткрозлектроннь к изделиях и и.т ; Л71- нг:К знученнй зиерггп актиплп; ) гкл- 3 а, 7 1Ш. И ,ЯХКЛ W 05 01 ГО
туT (72) Ц. В.Х1<гфа!<Ол,,-.. Ь:".w
СО?ОЗ СОБЕТС1-!ИХ ;--, с,Д .==--? РЕСг?жяс<Н
<"ОСУДАРОТОЕН! 1Ь<Й НО!<,!ИТЕТ СССР
OО ДЕ ЛМЛ ИЗОБР ТЕНИИ И ОТНРЬ! ТРИ (46) 23„07. 93, Вюл. У 27 (21) 3899574
Зарубежг!ая радиоэлектроника. 1982, М 11, c. .3-10.
Концевой 1О.Л. и др. П1?астичность и прочность полупроводниковых мате1 риалов. H.; Радио и связь, 1982, с. 240. (561) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДОЛГОВЕЧ ОСТП
ОДНОТИПНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к мехацическим испытанилм, а именно к способам контроля долговечности полупроводниковьгх 1<атериалов и элементов иа их основе, и мажет быть использовано для оценки долговечности полупроводниковых крггсталлов в микроэлектронных изделиях. Цель иэобрете?и?я обеспечение ?3оэможности прогнозирования долг овечности функционирования кристаллов 13 микроэ??ектронном иэделии. Согласно изобретению к полупроводниковым пластинам с равными максимальными и минимальными эначениЯМИ ОСтатO G«:1 I! В, < 26 Н,<й <3 1!PИГ?О.НС??3ХНО< Твой ЗО<<Е K <3f i1cпытываемой пластин;-.! совпала< т с геомс-:рическцм центром контролируемого электрически функц1 <з!!Ирукп!е! <3 кр!<стаяла, Часть пластин подвергают различным разру?
КаэффИЦИЕИта (,,PBCCH» Tf H а П р я Ж Е Н И и П О С аД К И K p i f C T B JI! < r . ET Е И К розгlекT<3 ofifibix изделиях ff иа
Из<>бретение Оценки долговечности функ!.-,ион»рб!завив полупроводниковых кристаллов и микроэлектронных изделиях. Цель изобретения- обеспeite!!èå воэмсгжности прОГНОзирОвяния д011гo»p÷ttoñти функциониропа!Шя струк;ур и микроэлектронном изделии, Па фиг. 1 представлена схема нагруэочног о устройства„рес<лизу!аг!!его и р е дл Я Г Я (! мь! ?! спОсОб K o EI T p (- I I EI фиг. 2 — график завис..имос "» энергн?: активации U(o) pëзрушения гголупроводникового материала от механических наг! ряже ний б, НЯ ф! I Г . 3 — з Яви(. и-мости нагрузки разрушения Р„ от з taчений остаточных механических напря.жений С „„, в приповерхностной зо»<1 кристаллов, на фиг. ч — График зависимости Наг Р, отказа в функ\ ционировании контролируемых (.труктур от значений остаточных меха»ических напряжении 6 „ ; ня фиг. 5 — грас>ик зависимости энергии актива!и!и U(с>) для структур с г!яксимальным остаточным механическим напряженнем 6 г <>ст <4 > 62 кг / мм ? на фиг е 6 Графи1( зависимости U(t>) для структур с минимальньгм ос таточным механическим напряжением <> " =- 1, 33 кг/м?1,; 11;. фиг. 7 — номограмма для выбора I«àч ения б„,, удовлетворя?(г!цегo усл< ви?а эксплуатационной долговечности фуикщгон?гровяния данного типа стр ак т ур в и зделии. Схема устройства (фиг. 1) гKJ!to pv 1 и н??жн!<>1<> Опору 2. Нагрузка со стороны нагрузоч»ой опоры через контролируег?уг>> полупроводн?11(сву1(> пля(ти ну 3 пер(дается нижней спгсре . Пос Jte?Iняя обладает Bosrto:t KOHTPOJtR QVl1Kttt< OH?1P »ЭЯНИ?1 ПОЛУПРОВОДниковых стру!<Тур <.. э<(ггян?<ым»аря«1..- ром с Bчнь<х свя.«. и 9 по<.релстн<му г»1> <><(<(!< >; < Tpii?1<Яреill!< динами>!ес к?гх характер(гг т!! (E < вою очередь»меет вьгхол ня сямопи=. ец. Прямые 12„13,,, илл?>стриру!<>т э!!Ячение структуp»oão коэффицие»TЯ и связыва!(>т значение экгпер?гме?1тальной энер> ии актива!(?1» П, ра".— рушения полупроводниковой структуры отложенное на oc?1 Яб!Вгсс, со значением минимального»Я !ряжения 6 / сна Оси орди!?ят),при котором эя минимальное время Г:„ происход?(т ряэР р y? Прямая 1> связывает -.He÷åí»е энергии 2(г ак «IIBauH» 13 разрушения полупровод— пикового материала с искомым минимальным напряже!!ием рязруше»ия G„, t1pH KoTopot< pроцесс разрушения пОлупр О во 1(1!иков ОЧ(пляс т>ины ос bitte < т Блял 25 сл Gt t эа время пер?!Ода <, собственrg itblx тепловых колеба»ий атомог, B кристялличе(кой решетке твердого тела. Прямые 16, 1>, 18 свяэывяк>т .",ксперименTàëb»о определеннoe минимальное д<1 значение экспер»Ментального порога напряя<енности 6 с минимальным :> П значением экспериментальной энергии а!(тивации Lt отказа B фу?гкцио?гироваэ« нии структуры. Прямые 19, 20, 21 свяэыва?<т ИСТИН. ное ьгггнимаггьное значение энергии активации отказа П„ функционирования структуры с минимально допустимьгм "-начением псрсга наггряженности б„ . Пример Контроль ocущес.твля?ат на кремниевых пластинах, на которых методами К-1 10П технологии были изготовлены кристаллы ОЗУ типа КР 188 РУ2. Из полупроводник вых пластигг {(> гб мг!),, Прог!!едгг!?<х производственный контроль H разбряковку по статическим пара!-!етрям сформированных в них структур, вьгреэя!(>т квадратные пласти-tb- размером 19,1х19, 1мм . Пластины в!<резаг<гт с учетом следуюгц?гх требований: геометрический центр !!JIB c T?IEI (точка пересечения диагоналей) должен совпядять с г есме тричс с 1 им це нтрОм пяраметрически гоп»ой по «Tятическим параметрам структуры, cTopoHbI пластиньг JI >11<(!1 ?,ггь па?> аллепьны OTopo»B и ряс!! :<>+ с и ной в ее цснтре контрог!Нругii" < !1 уктуры.,1 (f r (. К r! 1 Ь К У и Л И J)Л ((11) 1Р К Р Р? )Е f((1)! Т РОЛ)1(>УС hf(7й < Т(22r К ТУPh) НЛХО))ЯТ(Н ff НPУги е, то для локализации к О))т()ол „1)((х механических напряжений н кантролиру-. 5 емай структуре (2,4x2,6 мм ) используют кольцевые опары сп гледующими геометрическими размерами: радиус нижней опары 0,6 мм, радиус )faf(2y (2«ной 9,5 им. К контактныи пл()шадкам 1д контролируемых структур с помощью ультразнуконац микраснарки принаринают алюминиевые проволочки г) 35 мм, после чего все пластины проходят контроль динамических паРаметров. Пара- (5 метрически годные пла-тины подвергают контролю остаточных механических напряжений в тонких приповерхностных слоях контролируемых структур. Коитрогь осуществляют с помощью рентге- 20 нотопографическаго метода и он заключается в сканировании поверхности контролируемой структуры (не менее пяти точек измерений) с измерением разности полуширины дифракционных пи- 25 ков исследуемого и эталонного образцов. Величину остаточных механическиь напряжений рассчитывают согласно ОСТ. 11.073.013-80 (ОСТ.Â11 091..21077). Исходя иэ расчетных максииальных 30 и равных остаточных механических напряжений, осуществляют отборку и,группировку пластин для дальнейших испытаний. Иэ 185 пластин было отобрано 20 со значениями (2," = 4,62 кг/им (максимальное значение) и 14 со значением б,"," = 1,33 кг/мм (мини" иальное значение). Пластины иэ числа.1,33 i G, 4,62 используют для определения оптимальных значений кон- 40 трольных нагрузок. Все пластины проходят контроль толщины и в зависимости от отклонения от значения 0,400 им им присваивают при расчете механических напряжений поправочный коэффициент. Контрольные операции выполняют в два этапа. На этапе формировачия раэ. рушающих нагрузок пластины поочередно устанавливают в нагрузочное устройство. За счет перемещения нагру- зочной опоры 1 в направлении контролируемой полупроводниковой пластины . 3 последняя подвергается осесимметричиой иэгибной деформации. Величину формируемой нагрузки определяют и поддерживают по ураннк отклонения луча на экране оспилографа 7, причем с моиента начяла перемещения иагру r2rf ff Crt 1 ()1) (2(2?,, ft l 1) P fr)1)I f В l) f r rr Т l»f r r?P ft т <21 l p o Г я ж 11ь)(! ? p .(3 t f f! з "; r! > ? f r 1 1 и г ц л 8 ((13 (8-4П), lr;) t)c нте котf)p(» 1(в ьб(лжлют уровень и длитгг)с ность . лг(у:)ки. Совместна с изображен))ем урс())fff 1 лгр у з )() l 11 я .Г) е н т у с. л и О н и(. ) l л 8 () т м л Г к f. . р д (блок ПЛ прибарл Х1-4121 нлис сят метки времени через кяждые О,(с . Бр(ми ВЫ)(PРЖК И КG1(ТPOJ)ИP+t)МО11 ПОЛ УП(2(1Е) ОД() 11 канай пластины 3 псл кс. н ) р опт пай нл груэкай до рлзрушения Оп()е))сляют путем суммирования метан времеftH ил протяжении существанл)и(я линии уровня иаг(2узки на J)GHTP глм()в((с(ген 8. Па этапе фармировлния и. г л.)рушлющих нагрузок проволочные связи 9 пл! Cy)f ffbf, помещенной н ил груз очное устройство,с помощью комму.(.ирующего устройства 10 подключают к измерителю динамических параметров кристаллов (стенду 11) ° Процесс.. визуализации и записи характеристики формируемой нагрузки остается прежним. Пла(.тину выдерживают под контрольной нагрузкой до момента поянле иа ленте самописца графического сигнала об отказе функциониранл)(ия контролируемой структуры, который поступает на самописец со стен)(а. Время нахождения структуры под нагрузкой до отказа функционирования определяют путем суммирования меток времени на протяжении существования уровня нагрузки на ленте самописца па сигНала об отказе функционирования структуры, Используя часть пластин из числа 1,33 с2 „ 4 62 определяют зависимость нагрузки разрушения от С) (Р от б, ) и по графику определяют йриближенное значение контрольных разрушающих нагрузок для пластин с б ",", " = 1,33 и (2, ","," 4,62. Определение указанной занисимасти заключается в опрепеf)e)f)m максимального значения уровня на ленте самописца при мг)нимлльн(;)х нагрузках, приводящих к раэру(()е)(и)() пластин с равным значением Go.) Подобная операция проделывается и с оставшейся частью пластин из чисия 1,33 < с 4,62 для определен2)ч нагруsoK вызывающих отказ функци< вирования контрох(ируемых структур. )r этом случае нагрузки иеньше раэру;. ((их И КОНтрОЛЬ дниаМИЧЕСКИХ Паря.". (tr)O структур осуществляется в нег)...д иействия нагрузки. В обоих сл1 - f)pPия дейЬтвия г(агруэок не (1((1?. т 1:I 2 (3 30 3."3 < l т < 1 212 туры. ми(и(мальную нагрузку, при которой за м<»нимальное Ifp(".((SI проис КОдит раз ру»((е!(1»е пласт!»1(ь(, llocJf() пЕрес..чета -) ?»ИНИМПЛЬН!»(Х Нс1 ГРУЗ ОК В МРХа НИЧ Ес t < U, (, 3 RT1п 4 с р!((чеcKHх: fýMåpå««Й да
< 1 Г 4 (3 г "де UÄ R-уиг ; РС ()jrr<1(ан Га ?пал ПОС- g5 )< 1(5,1) ! 1)а л . (1<)л ь -,» У 1:1 1(r (rt 6 (У(?»Ой(С y"r(РТ -М Т()Г 34 г(:я!; тс ", (1 Tðyr(! VI» Ют (IP (EД(?!1Ы Л(1:11 (» 6 2-3 с и так же, как и tr нервом глуЧао Г!РИ ()ПРЕДЕЛЕ НИИ ЭЯ 1)ИСЦ?41»С r И 1)111 рузки, ?2ы.и!ля(
»нячеиия милимяльнь3х ня ГpуэОк 5 г(ызь)- ва<)()а(!(х Отказ фу«к«2((2П!(р(»вя))ия струкT»JP С РЗВИЫМ Зла«ЕНИЕ(4 < j . (3 Kr» "oc». чес ве крите1)ия ttapGMe Tl)r(rf e(.K(3! сост(и?тс.твия с(руктуры 1(Р ?88РУ2 э.аДа«ПС?МУ ИСПОЛЬЗУЮТ бЕ(:.Г!ЕРЕГ<ОЛН "e прохс)ж<ден?!Р сигналов .)яписи и считыE2a?!H«логического 0 или 1 каждой иэ 256 ячеек памяти. Время, «со()ход!3мое для о tpoca и принятия р:,()(ения "0" в параметр!»ческо?
Р от G„и Р„от (. „„, СOOTI!eTcz E5 (? I Et O П ОЛ У Ч (" Н Н Ы(Б Р Е 1 УЛ 15 Т "T (. O (3 P ??От К!1. Jr<4)I!I»(X КОН"ГГ)Ос(я 4 Пере»1 кон tpoJ(eM !(ласти« «о структуры групп С3 "" = 1, 33 l(; /м((и 6 „,"" = 4,62 к! /мм последние ра =,— дЕЛ)?ЮТ На дБЕ 11 одГpy?!If?rf» C p(tt3tf(rl? t числом «ljtt(TaJIJfov. Иа этапе опред",— ?(ее»ия максималь!»ОГО зн-.(rp I!Its(стпуктурногс; коэффици(нта 2 л кячест(зе нячальнс и нагрузки (»ерут нагрузку, определенн (с по графику фи(, 3.Путем парциаль(10! о сниже)яия нагрузки От пластины к пласт(»не Опреде?!)!!От напряжения рязруи.ения для годгруплы структур с 43,„, = 4,„62 кг/мм лслуча(ат (.3 „= 18„(3. 34 кг. Мм" а для Л< 14 << под? pytft163 структур с З,, - В, 22, 606 r/Mr „пг)и(!ем Mt»?(?(Mart .«Ое время до разру((»ения пласти««pt! y( l12tS УР1 МНИЯ; 1<)< »Л " (8((34 .27 U 1. < s ра;! <.«(»!) t, 4 13 Kкал/моj(.,, а Т = 2 ?3 К, ло11 л !а;)т с.?(едую((н(е знa((e)f,»st: 0 О«,-)611:. «кал/моль; 6,(Z <3,( 46 IJ> ккал мм = .— --< — — =-.5, 063653— т моль кг -5» 1, 5 Э IJ = с)4138019 ккял/моль; 1,23 ? U „., ккал. Мм — =-«, 75 "37 Pj ?402)Ь КГ 1!(.тал)?я:.есл струк: yt»>1 нодг рули rA rj 1(C 2 54)4 11 acr "4 " (! " !" И 1-3 ос. 1,33 кг/мм подверга:с)т на! рузке С ОД<»ОНР РМe?1«ЬП I Г)<-.P<)МЕТPI» l ЕС KI»М КОНT рoëåM, Значе »ин ня (ал!И(ых нагрузок В ЗTOM СЛ yr! a(= ОПРЕ ISIIOТ ГIО ГГРаф!»К У ),ф?»Г ° <4,< П< тРМ llaptpiiaль«ОГÎ сниже лия нагрузки от пластины к пластине определяют ми((имяльную нагрузку для о каждой подгруппы,пр:- которой :-а ми«)»мяльное время про<»сходит о Tf;aэ фу кцио«провалил нагруженной с.трукВ результате ко«трольI!I(K зя «ров OrIÓ×ÅòÛ СЛЕДУ!Г)ШИЕ; ЕЗУЛЬтаты: /?Г)-4 1, »<э 4,53 8,1 с; G;„=-94.,80 кг/ /мм После графиче с к ог o (-!!per!er!et(?fst <),áz- Э 4 U.4„<4 . 6 3 11., = Ь + R 110 — — p«CC((HT?,)?5a 4 (Х состагляют: U „ - х.з0,83888 ккал/ .33 / од< U = ll 3 40: л/ о. ДЛЯ 011РЕДЕ3(Е«ИЯ(Д01(ГОВЕЧ?(С)СТИ 3yнк1(иОнирования структур 1!Р188РУ2 н микрозлектро«чых изделиях исполь 1 У Ю Т П ОЛ»< Ч Е !» Н 1») (? С Г О M Of!I Er fr» Т Е Н З О ?(Р Т (ЗОС ЯЦКО КРИС ТЯП!»ОБ C 110((ОП(«<Я l 111<=.32-200 на подлож ки иэ алюм(>силиt r:Ослдк(1 со(т а?)ля)<)! с1 — 9, 3 ) 0 учетом полу ".с.ннь!х -.(ач(«ий;» и применяя формулу я " Я $ 51<(3< Гс И Р RT ровання структур КР 188РУ2, которые в диапазоне температур 213 — т!03 К составляют 13?9502 дает потребитслк (!Оэмо3-..;t(»c Tl цтлсе1 - т >11»(! I л(0 1!1!o !1131тл(енЯ F ъ е(» (! 1!ь!е 1(13аэ;!абатывать 1:Оные >FteTo(1>. Ilo(>JIки с „= 1, 58 10 — 2, 1 10 лет . Поскольку долгове ность микроэлектронных иэделий зависит от минимально возможной паРаметрической долгоВЕЧНОСТИ ВХОДЯЩИХ В НИХ KPHCTBJIIIDB( то для удовлетворения, например, долговечности н 25 лет (7,884 10 с) 8 напряжение посадки структур KP188ÐÓ2, удовлетворяющее заданную долговечность, может быть оиределе 10 как 3((д 3 1 4,62 "о 2 0,69 к!./л!л! где б — напряжение посадки крист(ос, таллов, удовлетворяющее условие эксплуатационной долговечности функционирования; заданная эксплуатагион3 с(Д » ная долговечность функ- ционирован!!я стру(стур {(., „, = 25 лет) . 8 случае невозможности удовлетворить заданную (.,„ . путем обеспече- ЗО ния б,„, требуется проведение сортировочных исследований кристаллов методом рентгенотопографии, чтобы избежать отбраковочнь!х испыта(п(й микроэлектронных изделий, так как они экоJ номически не выгодны, последнее .тем более необходимо, когда осуществляется оперативный мелкосерийный выпуск микроэлектронных изделий. В этом случае требуется определить 1111-,,О нимальное значение Ст,, при котором достигается условие эксплуатационной долговечности функционирования кристаллов н микроэлектрон1(ом изделии.. Для этой цели можно носпольэонаться простой номограммой, построенной на основании проведенного контрля и представленной на фиг. 7. Используя помо> грамму, приведенную на фиг. 7, и формулу { l) при C»Ä,, = 3,5 кг(лт путем r„I-, подбора значений у и, U„, можно определить,что долго(3ечность функ(333снирования в 25 лет для структур КР188РУ2 достигается при значен(1И Gост = 1,74 кг/мл! Таким образом, предлагаемый способ контроля, кроме определения пределов ВОЗМОжНОСтЕй П(331! ОВЕЧНОСтн фУНКВ„;Онирования иолуtt ftoft(3íttèêîfiûê структур, còðóêTóð в микроэлектронных изделиях, отказат!.ся От Отбрэковочных испытаний иэделий Il ИООвод(тть (3бос 1((»13а>!и!ую сортировку структуры Ito значения! Остаточных меха!!Ических напряжений. тоянии до их разрущения, рас.счнтываIo граьсицы диапазона значений структурного параметра U эл>тт т g т>ст(с ! 3 Плттт>! g (> (>лттт„--p — т 4 3 ГДЕ ) „Мк„т „, „- ЛВ(НИЛ!аЛЬНОЕ И Л!а((СИ— мальное значент.я структурного парэметРа СООТ(3ЕтстВЕ(т!3О;. 9 л! (т !т =U - В П13» о (э лт!(тт М— Г (! мllнимальное зваче(13!с> экспернменталт,н(и з пер гни актив;1 I! t t! Разрушения с. Тр(кт»ч3ы; 3(тст.с.= . 1>о (.э м(> д ( (3 МаКСИМЗЛЪНОЕ Зt> t т И..(3 эксп рил!енто. 3"!".> >, энеогии актив ": -("з(3ущения струк энергия разр:т" П Ол y;t P О Г О Л !1! . ". > материала; Ф o p;! ó ë à и з ct á р е т е и н я Способ контроля долговечности ол,— нотипных полупровод!пlеовых t(ptt-.тау! лов, в(слюча(сщ(и!1 н3озде3!ствие Осесимл(етрищной! нагрузки иа идентич!и!е полупроводниковые пласт!!н!(„геометрический центр которых совпадает с геометрическим цснтрол! сформировагп!Ой на них электрически функционирующей стру((туры О т л и ч а ю щ и Й с я тем,что, с целью обеспечения возможности прогнозирования долговечности функционирования структур В микроэле((тронном .Изделии, выбирают (1с»лупроводниковые пластины с равными макcèff I3IüI!ыми и мини мал ьньп!и 3 13(3÷e ниями остаточньгс механических напряжений в приповерхностной зоне контролируеIftIx кристаллов, часть иэ которых подвергают минимальной разрушающей нагрузке(3 „1!змеряют времена (.> „„„ И(,„ нахождения структур с минимальными и максимальными остаточныл(и напряжениям!1 соответственно в нагруженном сос) r3 i 3,)Ч3(l перноп сгЮстве333333к теп133333Нх Ко33Е3 3а3333й ЦИП Г3 Л 3П ФУ 3(к 3ц! п н33P п 33 д максимальное значения экспериме33тальной энергии актива+ RTI31 тамб б U б М 3333 > > МИ 33 I атомов н кристаллической 33е333е rке т33ep дого тела; Й - универсальная газовая 33остолн33ая; Т - температура структуры,. а к остальным прилагают нагрузку Cx,„., меньпгую разрушающих, и измеряют вре— мя t „ до наступления отказа в функционировании нагруженнь3х структур по изменению заданного контролируемого параметра функционирования, рассчитывают предельные значения энергии активации И„ отказа в функционироВании структур по ф33р33уле =U + RT1n 33 макс э33 макс сб где U — минимальная и ll мсюкс максимальная энергий актива У нии cтруктур со3т33етс тве33но U,„, 3,„„„„, — минимал 33ое и 3„и33 отказа в фу33кционировлнии структуры (О От 8 е Tc т в е и н О р 3r >I3 ì íí 33 и мб33 п 31 м макс 33 и макс И ОПРЕДЕЛЯЮТ ПРЕДЕЛЫ ДОЛГОВЕЧНОСТИ сп функционирования структур с заданным параметром R микроэлектронном иэ20 лелин по формуле "33Мби- 3 . МП33 3ПОС 3. PXР— рт 6 а - n ма <с э 33 макс пас IJ Е Х 3 ГДЕ бп„с — НаГЗРЯЗКЕНИЕ ПОСаДКИ СТРУКтуры в микроэлектронном иэделии. )329 0 с f,5 ФЮГ Г +oem " " Pg, юг 2,0 Ф 4,67 Г И, е ег с. 2 +г !,oc TRPHt<.i! F> Ц. Цр гродц: Редактор Н.Е7расона Т=ypeci Ч Гс г;;;p*.rq йо рс кто р " И! Заказ З(?! 1 и ..!cpауу Г.с .1тиоиое РЮ И И 1 о< уг.:ц стве11ного ком1г-е--,ÿ СССГ ло i,g I, 4у изоб 2 тееий к At!<11b!òHÉ . r 1! !) о,,оо. на, Ж-"ЗЬ, Ряушсгля наб,. д. ч /5 fTfic %зт " ° 1> !!! о !I !!Èò $)ëà Â1" (Ô оI!E ° p к116 д,!О (я, яя, !, « о(! о,, 1 . 1 !, о о
