Способ контроля отклонения формы полупроводниковых пластин

 

Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - повышение точности контроля за счет обеспечения динамического перераспределения напряжений в устойчивую форму. Способ осуществляют в следующей последовательности . Контролируемую полупроводниковую пластину 9 размещают на поверхности 3 базового стола 1, динамически погружают равномерной погрузкой (вакуумированием) путем прижатия ее к поверхности стола, выдерживают под погрузкой, снимают погрузку путем последовательного отрыва пластины 9 от периферии к центру, затем без изменения позиционного положения устанавливают пластину 9 на поверхности 3 базового стола и проводят измерения, для чего наконечники всех преобразователер 6 перемещением позиционера 4 вводят до контакта с поверхностью пластины 9. Электронный блок 9 выделяет сигналы максимального и минимального расстояний от поверхности 3 базового стола 1 до соответствующих точек измеряемой поверхности. Разность этих расстояний и составляет отклонение формы. 1 ил. с сл

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (50 4 G 01 В 7/28

«/ сг „

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР пО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4153918/25-28 (22) 07 ° 08.86 (46) 07.05.88. Бюл. № 17 (71) Завод чистых металлов им.so-летия

СССР и Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет « (72) А.П. Оксанич, А.Л. Анистратенко и В.С. Власов (53) 531.717(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹ 1111023, кл. G 01 В 7/28,1981. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОТКЛОНЕНИЯ ФОРМЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения повышение точности контроля за счет обеспечения динамического перераспределения напряжений в устойчивую форму.

Способ осуществляют в следующей послеÄÄSUÄÄ 1394029 А1 довательности. Контролируемую полупроводниковую пластину 9 размещают на поверхности 3 базового стола 1, динамически погружают равномерной погрузкой (вакуумированием) путем прижатия ее к поверхности стола, выдерживают под погрузкой, снимают погрузку путем последовательного отрыва пластины 9 от периферии к центру, затем беэ изменения позиционного положения устанавливают пластину 9 на поверхности 3 базового стола и проводят измерения, для чего наконечники всех преобразователей 6 перемещением поэиционера 4 вводят до контакта с поверхностью пластины 9. Электронный блок 9 выделяет сигналы максимального и миниI мального расстояний от поверхности 3 базового стола 1 до соответствующих точек измеряемой поверхности. Разность этих расстояний и составляет отклонение формы. 1 ил.

1394029

Формула изобретения

Составитель В. Матвиенко

Редактор О.Юрковецкая Техред М.Дидык Корректор А. Обручар

Заказ 2208/36 Тираж 680 Подписное

ВНИИЛИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к измерительцой технике, в частности к способам

Измерения геометрических параметров, и может быть использовано для контро5 ля отклонения от плоскостности полупроводниковых пластин.

Цель изобретения — повышение точНости контроля за счет обеспечения динамического перераспределения напря- 10 прений в устойчивую форму.

На чертеже представлена схема устойства, реализующего предлагаемый способ. Устройство для осуществления спо-! оба содержит базовый стол 1 с систеой 2 вакуумирования и плоской рабоей поверхностью 3. Базовый стол 1 рикреплен к линейному поэиционеру 4. ппозитно базовому столу 1 установлен 20 лок 5 измерительных преобразователей наконечники которых установлены в лоскости, эквидистантной рабочей поерхности 3 базового стола 1. Выходы

"эмерительных преобразователей 6 сое- 25 инены с входом электронного блока 7 обработки. По периметру базового стола 1 установлено подвижное ступенчатое кольцо 8.

Способ осуществляется следующим образом.

Полупроводниковую пластину 9 уста навливают на базовый стол 1 измери;тельного устройства и включают вакуумирование рабочей поверхности 3 базо."вого стола 1, Время нарастания вакуумирования не превьппает 0,1 с. Под действием атмосферного давления полу-! проводниковая пластина импульсно вы, равнивается на рабочей поверхности 3 базового стола 1. После выдержки в нагруженном состоянии (не менее 1 с) вакуумирование импульсно снимают, для гарантии релаксации в свободноравно/ весное состояние перемещения кольца 8 вверх бегущим отрывом (от периферии к центру) отделяют полупроводниковую пластину 9 от поверхности базового стола 1. Беэ изменения позиционного положения полупроводниковой пластины перемещением кольца 8 вниз ее вновь устанавливают на поверхность базового стола 1 и измеряют отклонение формы.

Измерение выполняют перемещением позиционера 4 до касания наконечниками всех преобразователей 6 поверхности пластины 9. Измерительный трак электронного блока 7 выделяет сигналы максимального и минимального расстояния (h „, и h„„„ ) o o e HocTH азового стола до соответствующих точек измерения поверхности полупроводниковой пластины 9; Разность этих значений и составляет отклонение формы.

Способ контроля отклонения формы полупроводниковых пластин, заключающийся в том, что устанавливают пластину на базовую поверхность, измеряют максимальное и минимальное расстояния от базовой поверхности до соответствующих точек измеряемой поверхности пластины и по разности этих значений определяют отклонения формы, отличающийся тем, что, с целью повьппения точности контроля, перед измерением пластину импульсно нагружают равномерной нагрузкой путем прижатия ее к базовой поверхности, выдерживают при этой нагрузке и снимают нагрузку путем последовательного отрыва пластины от базовой поверхности, начиная от ее периферии по направлению к центру.