Способ получения антимонида самария
Изобретение относится к технологии соединений редкоземельных элементов, конкретно к антимониду самария, и позволяет повысить чистоту продукта. Металлический самарий прессуют с антимонидом 5т45Ьз, нагревают до 270-330° до внедрения самария в кристаллическую решетку 5т45Ьз, затем при 480-520°С до образования двухфазного продукта, содержащего 5т.,5Ьз и tHjSbj, и далее при 750-850°С до образования однофазного SnijSbs.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU„„1397409 А 1 (5и 4 С 01 F 17 00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4059760/31-26 (22) 17.04.86 (46) 23.05.88. Бюл. № 19 (71) Институт химии им. В. И. Никитина (72) В. Д. Абдулхаев и А. Г. Чуйко (53) 546.821 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 854881, кл. С Ol F 17/00, 1980.
Miller А. at а1. Method of Preparation
on Sm;,Sb . — Acta Cryst., В 24, 968, р. 456—
458. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИМОНИДА САМАРИЯ (57) Изобретение относится к технологии соединений редкоземельных элементов, конкретно к антимониду самария, и позволяет повысить чистоту продукта. Металлический самарий прессуют с антимонидом
8пч45Ьд, нагревают до 270 — 330 до внедрения самария в кристаллическую решетку
Sm Sbq, затем при 480 — 520 С до образования двухфазного продукта, содержащего
Sm,Sb и Smgb, и далее при 7о0 — 850" С до образования однофазного Sm,Sb,.
l:3 <97409
р.>(у.гсг и 3(2бретени.<г
«.1 Iи i о,« I .(3
I i !;: <ор 11 l(I,.:!;i Т»,> .(II (3< (!i. Корр<:-к:оо С: (ории
:(и<><: >> >! З>.? I ир; >н I!i ((и;и! «иое
1311! III! I (I i < i,.;>с< ио « <:: ><и.::,: < .I i ..<с. I tt ii яр<тоttt
IIf i!!, it
Изобретение 01 íîñèT< 51 к сосди !е!IHяч редкоземельных эг!ементов с сур! 3)ой и может найти применс> ие в:>лсктронной проМ Ы Ш;)(>Н I 0CT H.
Це 1t>fo изс>бретсн ия I!f3 It(Tся I!Of)hk llicни<. чистоты продукта. !
7ри,«ep I. 5 г I!Opof!» 10 мм рт. л., и нагр< ва!>От со скоростью 5 град<>мин <л ком(нг!т.fOH с мпературы,.о 270, вы,<гсрживают ll pit этой тс <пературс 2 ч, затеч до 520 "(. и вы <срживан) Г 3 1алее до 850 С > выд ржива от 2 Г!ри 5(ep 2. 15 . Ili) >ош а 11< Гимон(<да самария i 111 t.> Ü, с сl! Иа:о" с(. »1ру)3> ко!. металлического»нчарHH в ког!и I,"»гвс 0,7626 г. (.чс. ь рос< .. î в I tl(),!стку и заг!>у.кают в 1 <р>1(" IIIHII: 1111 »,<, из >олH<),jj ;I;I Нагрсв счсси о») 10 х<м рт. сг 0 ctë;>ccïií) 5 град, IH!I ОГ комнатной гс2!Нс p. .ò. ры ".с> 3 30 (. и k)t>l, p2KНБа!О 2 I, Л <3 Г(. <<1 <0 <(8<) (lt !3 Ь), I Pp >K tt I 3 1, далее jo 750 (., Носе!с <сп> 11(.чь охл;-!ж, )dkOT;j0 КО>I! l <3 I I! 0 И I <> >I!1С !> I, РЬ< CO < КОПН стью 5 гра,г, мин. ()» k!0 i«i1>1С Ха Ра КТC;) 1 Т I К И < (>, 1 > 1< <11 )! О антимонид» !шi с . Хи>>! Нчсский со»1 <113. ма<К >(> . 00pc f1!чсский, 2 fT! 67„3 10; S b 32,<э9; эK ll(>p H >2,5 11 !Отность рен I гсновская 8,350 г, см, II IKIIO I< три !с>сK;;5! 8,230 г см . ((()I Груя 1(а (Q t Хl< >1, .< !С 11 k>I >С>ll <. ТКИ .
= 8,9;32 Л, » = 6„ 381 . (Физ!(чссKH< с!305!От<31:,.(»,11>Hо,: )л»K I 0сопротивление 5,25 10 « >ч >, х;агl;Hт!I;!H в«»приимчивостl> 169!.4! ) I II. Сл, ко>фф Холла 1,99 10,1 !(л, к<»ффи(,и<, и т(рч!! чеcKОH) f)d»I! Яf)<. н; 80 чкв К . На li j p ВОИ с 1 а,1:I И СИ Н Г<. .>с),21Г1,:) 13; li.) H 300 т 30с(. и выдержке 1,5- 2,0 ч. происходи I ПО»11100 i311< ДРС(IИ(> CРООО, НО О СЬ „<10 яв
IIp0,j?iKT» может оста г ься свободный самарий. На данной с1адии синтеза при указанной гсм пературе выдерживать продукт более 2 ч нс имеет <.мь;сла, поскольку дальнейшее увсли >сIIHå врс меfiи выдержки !до 10 ч и более l:<с оказывает влияния на фазовый <Ос!ав продукта. На второй стадии синтеза при 500 + +20 - С и выдержке 2 3 ч происходит образова и ие, jt)y >; фазно го продукта, состоя 1цего тс)лько из Sm!Sb;; и Sm,;8Ь3. Если время вы.I(. ðæêH»оставляет менее 2 ч, то H продукте проявг!Нс Iñÿ е!це и фаза SmSb. Нежела— 1>сльно увеличивагь время выдержки более, ., Г;! к как:!ри э I 0)t возможно образование фазы SmqSb,<, которая препятствует ii01у и нин) однофазного Sm;,Sb), из-за боль2р 1II0 <>;jaf35IåkIH5f паров 8гпз8Ь при указан ной темl ратуре возможно его испарение из 30ны реакции. (-11! третьей л адин синтеза при дости,к(нии темпера гуры 800 +-50 С и выдержки l,5 2,0 ч н(>оисходит Образование однофаз1 О! О 8м,Sb,. При выдержке менее 1,5 ч ! 2(. ll(ljiiH <;ОЫ IIIO Не ПРОИСХОДИТ ДО КОН ЦB И н пр0,1> к!с проявляется фаза Sm;Sbq. (31,!д<. ржи ia Гь Н(-.o;jyKT более 2 ч не имеет »l,<ыс IH, !И)скольку после завер!пения реакIQ ! <ии с)(>ра-ов,fIH>I однофазного SmqSbt дальIIñ ишсс увеличение времени выдержки практи !сски II(! Oказывает Hëèÿíèÿ на фазовый t)(òHH II<.ле!И>гo продукта. (.по»об:!Олучения антимонида самария >п),:,8Ь Иысокотемпсратурным взаимодействисч мс т!3»!.IH÷åñê0ãî самария с сурьмо)дсрж H п(и ч ком ионе ITOvt, От.гггчиюгиий е51 ,((9 Г< ч, (го, с ij(ль:о повышения чистоты llpoдуKTd, 13 качелзе сурьмосодержащего ком1;0 i„iГреi3ai<;i 1!ри 270 — 330 С до внедрения <;iчария в крис!аллическую решетку Sm)Sb„-, «!тем 1:ри 480 -520 (. до образования ,п3; хфа! i<0ÃÎ про,<укта, содержащего SmqSb3 . 3п)-S!it и при 750 — 850 - С;jo образования Од Оф; з !Огс> 8ш ..8Ь, 
