Способ получения ванилина
Класс )go, 9
Юи 144166 с(;р
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ ГЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ. >
Подписная:pgnna М 50
Я. А. Массов
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВАНИЛИНА.заявлено 2о января !9о! г. за X В9!733, 23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано !3 «Ьк>ллетенс изоорc>ñ!!:!é::. X". 2 за IÓ.I>? г.
Известны способы получения ванилина из лигносульфонового комплекса при гонкой диспергации окисляющего газа (сжатого воздуха) в жидкости. Выход ванилина зависит (кроме других факторов) от степени контактирования воздуха с раствором, что достигается перемсшиванием пропеллерной или туроомешалкои, враща!Ощейся со скоростью 250 — 300 Об/л!ин. Однако в результате такого перемешивания в центре реактора образуется воронкообразное пространство, в котором не происходит энергичного контактирования раствора с воздухом, в результате чего не достигают полного окисления раствора, а выход ганилина снижается.
Предлагаемый способ отличается тем, что производят дополнительную диспергацию реакционной смеси в воздушном пространстве реактора при помощи лопасти, установленной на валу мешалки над уровнем жидкости и соприкасающейся с ней своей нижней кромкой, которая Во время вращения распыляет в верхней зоне реактора тонкую пленку жидкости. захваченную с ее поверхности.
Дополнительная лопасть, устанавливаемая на мешалке реактора, значительно увеличивает контактирование раствора с воздухом за счет дополнительного интенсивного разбрызгивания раствора, находящегося в верхней части реактора. Степень окисления повышается, а выход ванилина увеличивается на 20 — 30",!и.
Предмет изобретения
Способ получения ванилина из лигносульфонового комплекса при тонкой диспергации окисляющего газа (сжатого воздуха) в жидкости, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода ванилина, производят дополнительную диспергацию реакционной смеси в воздушном пространстве реактора при помощи лопасти, установленной на валу мешалки над уровнем жидкости и сопрпкacàIoøåéñÿ с ней своей нижней кромкой, которая Во время вращечия распыляет в верхней зо-Ie реактора тонкуто пленку жидкости, захваченную с ее поверхности.
