Регистр на магнитных вихрях

Авторы патента:

Изобретение относится кувычис-. лительной и может быть использов анр для построения запоминающих устройств большой емкости на магнитных вихряз (MB). Целью изобретения является повьппение плотности записи информации. Регистр на МБ содержит сверхпроводящую пленку 1 с каналом продвижения MB 2 в виде двух монокристаллическйх блоков, разделенных межзеренной границей бикристалла и злектроизолированную токопроводящутв шину 3, расположенную вдоль границы бикристалла на верхней грани пленки 1. Межзеренная граница бикристалла образована стенкой параллельных равноудаленных друг от друга дислокаций. Отдельньге дислокаций вместе с пятнами..захваченного магнитного потока служат бит-позициями и в отсутствие тока управления закрепляют одиночные магнитные вихри. Стенка зернограничных дислокаций выполняет функции канала продвижения магнитных вихрей. 2 ил. § (Л С

СОЮЗ GOBETCHHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУ БЛИН

„.SU„„417668 (51) 5 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОИ:КОМУ СВИДЕЛЕРЬСЧИУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НО9ИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (46). 07.09.90.Бюл. У 33 (21) 4042006/24-24; 4071014/24-24 (22) 25.03.86 (7 1) Донецкий физико-технический институт АН УССР (72) А.М. Гришин и А.Ю. Мартынович (53) 681.327.66(088.8) (56) ЖЭТФ, т: 32, 1957, с. 1442.

Кемпбелл А., Иветс Дж. Критические токи- в сверхпроводниках. - М.:

Мир, 1975. (54) РЕГИСТР НА МАГНИТНЫХ ВИХРЯХ (57) Изобретение относится к вычис- лительной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств большой емкости на магнитных вихрях (МВ). Целью изобретения является повышение плотности записи информации. Регистр на МВ содержит сверхпроводящую пленку 1 с каналом продвижения МВ 2 в виде двухмонокристаллических блоков, разделенных межзеренной границей бикристалла, и электроизолированную токопроводящую шину 3, расположенную вдоль границы бикристалла на верхней грани пленки

1. Межзеренная граница бикристалла образована стенкой параллельных равноудаленных друг. от друга дислокаций.

Отдельные дислокации вместе- с пятнами .захваченного магнитного потока служат бит-позициями и в отсутствие тока управления закрепляют одиночные магнитные вихри. Стенка зернограничных дислокаций выполняет функции канала продвижения магнитных вихрей.

2 ил.

1417668

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для построения запоминающих устройств большой емкости яа магнитных вихрях (МВ).

Целью изобретения является повышение плотности записи информации.

На фиг. 1 изображен общий вид регистра; на фиг. 2 вЂ” зависимость тока 10 управления от времени.

Регистр на МВ содержит сверхпрово.дящую пленку 1 с каналом продвижения

МВ 2 в виде двух монокристаллических блоков, разделенных межзеренной грани-15 цей бикристалла, и электроизолированную токопроводящую шину 3, расположенную вдоль границы бикристалла иа: верхней грани пленки 1.

Межзеренная граница бикристалла 20 (МГБ) образована стенкой параллельных равноудаленных друг от друга дислокаций. Отдельные дислокации вместе с пятнами захваченного магнитного .потока служат бит-позициями и в отсут- 25 ствие тока управления закрепляют оциночные магнитные вихри. Стенка эернограиичных дислокаций выполняет функции канала продвижения магнитных вихрей. „ 30

Регистр работает следующим об-. ! разом.

Предварительно в шине 3 пропускают импульс тока I „„ц . Проникающий в сверхпроводник магнитный поток закрепляется на МГБ. Для однородного распределения пятен захваченного магнитного потока по всем канале продвижения (на всех бит-позициях) про" пускают ток управления 1 у„р в перпендикулярном МГБ, направлении. Величина импульса и его длительность выбирают" ся достаточными для перемещения вихрей вдоль всей длины канала продви-, жения.

В начальный момент ток управления . в регистре отсутствует. Находящиеся в регистре одиночные МВ стремятся занять положения, соответствующие наименьшей энергии, т.е. бит-позиции.

Определенная последовательность вихрей в канале продвижения может сохраняться в отсутствие тока управления до тех пор, пока пленка находится в сверхпроводящем состоянии.

Режим работы регистра задается 55 работой генератора прямоугольных импульсов тока управления. Длительность импульсов тока управления i, h/V

1 где V вЂ” скорость вихря, h вЂ” расстояние между бит-позициями. Длительность пауз между импульсами выбирается достаточной для введения одного вихря в канал продвижения и закрепления его в ближайшей бит-позиции.

Одиночные вихри, параллельные захваченному магнитному потоку, вводят с торца бикристалла на краю межзеренной границы. Введенный вихрь закрепляется в ближайшей к торцу битпозиции. Тактовые импульсы тока управления смещают все записанные вихри от одной бит-позиции к соседней вглубь регистра.

Выводят вихри на противоположном торце бнкристалла. Реверсивное движение вихрей осуществляется изменением полярности тока управления.

Пример. Сверхпроводящий бикристалл ниобия 10х1х0,1 мм содержит

МГБ, расположенную вдоль длинной оси кристалла, с дислокациями, параллельными короткой оси кристалла. Транс" портная шина изготовлена из сверхпроводящего материала сечением около

10 см . Угол разориентации зерен, например, 1 . Тогда расстояние между о дислокациями 3 -10 см. Плотность размещения информации в канале продвижения 3.10< бит/см. Сила тока в шине около 1 А (зависит от сечения шины).

Длительность импульса тока в шине не имеет существенного значения..Сила тока управления 10-100 мА. Длительностьтока,регуляризующего захваченныймагнитный поток в каналепродвижения, равна Ь/V, где Ь - длина канала, VскоростьМВ; длительностьимпульсов токауправления,продвигающих МВв канале равна 3 мкс (эдесь h 3 . »10 см, Ч = 1 см/с). Тактовая частота функционирования информации

300 кГц, скорость считывания информации 300 кбит/с.

Формула изобретения

Регистр на магнитных вихрях, содержащий сверхпроводящую пленку с каналами продвижения магнитных вихрей и электроиэолированную токопроводящую шину, отличающийся тем, что, с целью повышеНия плотности записи информации, канал продвижения магнитных вихрей выполнен в виде двух монокристаллических блоков„разз М М8 деленных межзеренной границей бикрис- вая шина расположена вдоль границы талла, а электроизолированная токо- бикрнсталла на верхней грани пленки. фис1 б tz t)

®иг2

1 Составитель В. Розенталь

Редактор H. Каменская Техред M.Xoäàíêö Корректор Л. Пилипенко

Заказ 3319

Тираж 487 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 (

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (MB)

Накопитель информации на магнитных вихрях // 1414182

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ)

Накопитель информации на магнитных вихрях // 1414180

Способ изготовления источника магнитного поля смещения в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах // 1410099

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Носитель информации и способ его изготовления // 1401517

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании носителей информации на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Устройство для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 1399815

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Формирователь тока для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1397969

Изобретение относится к вьтислительной технике и может быть использовано для управления переключателемрепликатором в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Накопитель информации // 1392593

Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств

Блок возбуждения для доменной памяти // 1388946

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих, устройств на цилиндрических магнитных доменах

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах // 1382844

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминаю1чим устройствам на цилиндрических магнитных доменах со средствами коррекции ошибочной информации

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)