Накопитель для запоминающего устройства

 

Изобретение относится к оВласти вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах . Целью изобретения является сокращение времени обращения к накопителю . Устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с доменами 2, на поверхности которой расположены первая 3, вторая 4, третья,5 и четвертая 6 ,20 (Л ю ел сх .J

ССЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1425781 A I

GD 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ъ»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР.

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4204551/24-24 (22) 23.12.86 (46) 23.09.88. Бюл. 11 35 (71) Омский политехнический институт (72) Г.Ф.Нестерук, В.Ф.Нестерук, В.Т;Гиль и С.В.Воротинцев (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 767&38, кл. G II С 11/14, 1980.

Bubble memory design Handbook. One

megabit. Intal magnetics Inc 1979, (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является сокращение времени обращения к накопителю. Устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с доменами 2, на поверхности которой расположены первая

3, вторая 4, третья,5 и четвертая 6

1425781

Для записи в накопитель информации в проводниковую шину 21 генерации последовательно во времени пода10 ются импульсы тока генерации с частотой, в четыре раза превышающей частоту поля управления Н, что позволяет в течение одного периода изме. нения поля Н9 занести в накопитель четыре информационных бита. Импульсы тока генерации, подаваемые в первой, второй, третьей и четвертой четверти каждого периода поля управления, разделяют зародышевые домены, находящие20 ся соответственно под первым 13, вторым 14, третьим 15 и четвертым 16 генераторами ЦИД, и позволяют ввести

ЦИД, соответствующие .(р+1)-м, (р +

+ 2)-м, (р+3)-м и (р+4)-м битам

25 записываемой информации (р = 0,4, 8,...) в первый 11, второй 12, третий 17 и четвертый 18 регистры ввода информации, продвигаясь по" которым, РЩ поступают к переключателям 10

30 обмена одноименных групп регистров хранения информации. Подача в проводниковую шину 22 обмена импульса тока, вызывает параллельное занесение информации, находящейся в регистрах ввода информации, в регистры хранения информации соответствующих групп группы регистров хранения, соединенные через репликаторы 7 с четырьмя основными регистрами вывода 8, и магниторезисторные элементы 9. Первая и вторая группы регистров хранения через переключатели обмена 10 взаи мосвязаны с первым 11 и вторым 12

:регистрами ввода, соединенными соот ветственно с первым 13 и вторым 14 генераторами доменов, а третья и чет,.вертая группы регистров хранения ана,:логично взаимосвязаны с третьим 15 и четвертым 16 генераторами доменов,,:третьим 17 и четвертым 18 регистрами

Изобретение относится к вычисли тельной технике и может быть испольт зовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах . (юкд) °

Цель изобретения — сокращение вреени обращения к накопителю.

На фиг.! изображена конструкция накопителя; на фиг. 2 — временные аграммы сигналов с датчиков U и щего сигнала Омс при объединении, тчиков в мостовую схему.

Накопитель содержит магнитоодноос гую пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены первая 3, вторая

4, третья 5 и четвертая 6 группы регистров хранения, соединенные через репликаторы 7 ЦИД с четырьмя основными регистрами 8 вывода, магнитореэисторные элементы 9. Первая и вторая группы регистров хранения через переключатели !О обмена взаимосвязаны с первым 11 и вторым 12 регистрами ввода, соединенными соответственно с первым 13 и вторым 14 генераторами Ц Щ, а третья и четвертая группы регистров хранения аналогично взаимосвязаны с третьим l5 и четвертым 16 генераторами Ц Д, третьим 17 и четвертым 18 регистрами ввода.Кро ме того, накопитель содержит первый

19 и второй 20 дополнительные регистры вывода, соединенные с магнито резисторными элементами, а также упввода. Кроме того, накопитель содержит первый 19 и второй 20 дополнительные регистры вывода, соединенные с магнитореэисториыми элементами, а также проводниковые шины генерации 21, обмена 22 и репликации 23.

Благодаря тому, что генераторы и датчики включены последовательно и повернуты в плоскости пленки относительно друг друга, скорость ввода и вывода информации равна учетверенной частоте управляющего поля. При этом уменьшено число электрических выводов накопителя. 2 ил.

2 равляющие проводниковые шины генерации 21, обмена 22 и репликации 23.

Накопитель работает следующим образом.

3 142578 с одновременной параллельной передачей ранее хранимого информационного блока из групп регистров хранения информации в соответствующие регистры

5 ввода и далее выводом его за защитное ограждение рабочей. зоны кристалла.

Вывод информации из накопителя . инициируется импульсом тока репликации, подаваемым в проводниковую шину 23 репликации и вызывающим деление ЦМД во всех четырех группах регистров хранения информации с последующим выводом копируемого информационного блока в основные регистры

8 вывода информации. При этом каждый (р+1)-й, (р+2)-й, (р+3)-й и (р +

+ 4)-й биты блока (р = 0,4,8,. ° ° ) выводятся соответственно в первый, второй, третий и четвертый основные регистры вывода информации, продвигаясь по которым, поступают к соответствующим магниторезисторным элементам 9. Последние для каждой из групп регистров хранения ориентиро-. ваны относительно поля управления

Н1, а число элементов продвижения з в каждом регистре 8 вывода выбрано таким, что выводимые ЦМД проходят под магниторезисторными элементами со .сдвигом в четверть периода (фиг.2), Поэтому при включении все четырех магниторезисторных элементов 9 в мостовую схему общий выходной сигнал З5 ,Ug содержит в течение одного периода Н сигнал, соответствующий (р+1)-м, (р+2)-м, (р+3)-м и (р+4)-м битам считываемой информации (р =

0,4,8...,), Использование общей шины 21 для всех четырех генераторов ЦМД и последовательное соединение магниторезисторных элементов уменьшает число электрических выводов накопителя. 45 ао

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены первая, вторая и третья и четвертая группы регистров хранения, !

4 репликаторы, четыре основных регистра выводов, магнитосвязанные через репликаторы с регистрами хранения, первый, второй, третий и четвертый генераторы доменов, переключатели обмена, первый, второй, третий и четвертый регистры ввода, соединенные с соответствующими генераторами доменов, причем регистры ввода магнитосвязаны через переключатели обмена с соответствующими группами регистров хранения, и управляющие проводниковые шины для генераторов домнов, переключателей обмена, репликаторов и магниторезисторных элементов,соединенные с соответствующими выводами накопителя, о т л и ч -а ю щ и йс, я тем, что, с целью сокращения времени обращения к накопителю, он содержит первый и второй дополнительные регистры вывода, генераторы домнов соединены одной проводниковой шиной, второй, третий и четвертый генераторы повернуты в плоскости пленки относительно первого генератора на угол 90 (К-1), где К = 2,3 и 4 соответственно, второй, третий и четвертый магниторезисторные элементы повернуты в плоскости пленки по отношению к первому магниторезисторному элементу на угол 90 (К-1), где К = 2,3 и 4 соответственно, причем третий, первый, четвертый.и второй магниторезисторные элементы соединены последовательно, третий и ! второй магнитореэисторные элементы ,своими свободными концами подключены к первому и второму выводам датчиков накопителя, точка соединения третьего и первого магниторезисторных элементов соединена с третьими. выводами датчиков накопителя, а точка соединения четвертого и второго магниторезисторных элементов соединена с четвертыми выводами датчиков накопителя, второй и четвертый маг ниторезисторные элементы магнитосвязаны с первым дополнительным резистором вывода, а первый и третий магниторезисторные элементы — с вторым дополнительным регистром вывода.

1425781

Составитель Г,фникеев

Техред Л.Сердюкова

Корректор М,Васильева

Редактор N.Бланар

Тираж 590

ВПИИПИ l îñóäàðñòâåííaão комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 3-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4779/52

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе цилиндрических магнитных доменов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих и логических устройств на плоских магнитных доменах (ПМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения информационных систем сверхбольшой емкости на магнитных вихрях (MB)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (MB)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании носителей информации на вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх