Композиция фоторезиста

 

Изобретение касается фоторезисторов и может быть использовано в микроэлектронике для получения микросхем фотолитографическим методом. Цель изобретения - сокращение времени проявления и расширение полезного интервала экспонирования. Композиция фоторезиста содержит (мас.%) светочувствительную компоненту на основе нафтохинондиазида 7 - 8; фенолформальдегидную смолу 12 - 13; 50%-ный водный раствор C10-C16 -алкилбензилдиметиламмоний хлорида 0,05 - 0,5; органический растворитель - до 100. Этот состав обеспечивает размер проявляемого элемента 2,8 - 3 мкм (против 2,8 - 3,5 мкм) при полезном времени экспонирования 10 - 15 с (против 10 - 12 с) и времени проявления в 0,6% -ном растворе КОН 20 с (против 40 с) без дефектов в виде остатков фоторезиста. 2 табл.

Изобретение относится к композициям фоторезиста и может быть использовано в микроэлектронике для получения микросхем методом фотолитографии. Цель изобретения сокращение времени проявления и расширение полезного интервала экспонирования. П р и м е р. В композицию серийного позитивного фоторезиста ФП-РН-7 (ТУ 6-14-1061-78) или ФП-383 (ТУ 6-14-632-78) вводят 50%-ный водный раствор алкилбензилдиметиламмоний хлорида (катамин АБ) в количестве 0,05-0,5 мас. тщательно перемешивают, выдерживают в течение 15-20 мин поливают на подложку и сушат. Введение катамина АБ в количестве 0,05 мас. от массы фоторезиста не оказывает влияния на процесс проявления, нет воспроизводимости результатов, при перепроявлении в 1,5 раза уходят размеры элементов, в резисте появляются поры. При введении его более 0,5 мас. от массы фоторезиста значительно возрастает время проявления, наблюдается локальное недопроявление, а последующее увеличение введения катамина АБ ведет к тому, что проявление вообще отсутствует. Результаты испытаний приведены в табл.1 и 2. Из результатов таблиц видно, что введение алкилбензилдиметиламмоний хлорида в композицию фоторезиста в количестве 0,05-0,5 мас. позволяет расширить полезный интервал экспозиций, при которых сохраняется размер элемента, а также снизить время проявления.

Формула изобретения

КОМПОЗИЦИЯ ФОТОРЕЗИСТА, содержащая светочувствительную компоненту на основе нафтохинондиазида, фенолформальдегидную смолу, органический растворитель и 50% -ный водный раствор алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы I [CnH2n + N(CH3)2CH2C6H5]+Cl-, где n 10 16, отличающаяся тем, что, с целью сокращения времени проявления и расширения полезного интервала экспонирования, она содержит указанные компоненты в следующих количествах, мас. Светочувствительная компонента на основе нафтохинондиазида 7 8 Фенолформальдегидная смола 12 13 Вещество формулы I (50%-ный водный раствор) 0,05 0,50 Органический растворитель Остальное

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения фотополимеризующихся композиций для защитных рельефов, которые находят применение в технологии печатного монтажа и в полиграфии для получения рельефных изображений

Изобретение относится к фотографии , в частности к фотополимеризующейся композиции (ФК) для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм

Изобретение относится к позитивным фоторезистам на основе о-нафтохинондиазидов, применяемых в процессах производства радиоэлектронных и микроэлектронных изделий и сверхбольших схем методами контактной и проекционной фотопечати

Изобретение относится к способам изготовления защитных рельефов и может быть использовано при производстве печатных плат с использованием сухих пленочных фоторезистов в радио- и электротехнической промышленности

Изобретение относится к фторполимеризующимся композициям для сухих пленочных фоторезистов водно-щелочного проявления, находящих применение для получения рисунка при изготовлении печатных плат в радиоэлектронной промышленности
Изобретение относится к фоточувствительным материалам на основе оксидов цинка и/или титана в связующем
Изобретение относится к термопроявляемым фотографическим материалам на основе водопроницаемых полимеров с добавками солей металлов и может быть использовано в системах записи оптической информации

Изобретение относится к радиационно-чувствительной фоторезистной композиции

Изобретение относится к способам получения фоточувствительных слоев сульфида свинца, которые применяют при изготовлении полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению
Изобретение относится к фоторефрактивному полимерному материалу с высокой дифракционной эффективностью в ближней инфракрасной области электромагнитного спектра и может быть использовано в оптоэлектронных устройствах, в процессах записи динамических голограмм в реальном масштабе времени и других фотонных технологиях

Изобретение относится к составу для светочувствительного слоя фотоматериалов, которые могут быть использованы в системах записи информации, для получения изображения в фотографии и полиграфии

Изобретение относится к области изготовления пленочного фоторезиста и сеткотрафаретных экранов на его основе, используемых в производстве печатных плат, керамических корпусов интегральных схем, изделий полиграфической промышленности
Изобретение относится к нанотехнологии и направлено на создание нанокомпозиционных материалов с эффективно управляемыми оптическими свойствами, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, информационной технике, при разработке средств оптической памяти и т.д
Наверх