Способ изготовления пироэлектрического приемника теплового изображения

 

Способ изготовления пироэлектрического приемника теплового изображения, включающий формирование на пироэлектрическом слое верхнего и нижнего электродов, соединение пироэлектрического слоя с подложкой, локальное травление подложки, формирование контактного слоя, травление лунок в месте контакта и щелевидных отверстий и соединение с устройством обработки сигнала, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности приемника и уменьшения неоднородности сигнала, сначала осуществляют соединение устройства обработки сигнала с подложкой, затем в подложке вытравливают лунки и формируют контактный слой, образующий нижний электрод, соединяют с подложкой пироэлектрический слой путем его напыления, последним формируют верхний электрод, а затем вытравливают в нем и пироэлектрическом слое щелевидные отверстия вокруг лунок и через них удаляют подложку.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано при изготовлении преобразователей изображения типа фотопроводник - регистрирующая среда

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления солнечных элементов (СЭ)

Изобретение относится к приборам, состоящим из нескольких полупроводниковых компонентов, чувствительных к различным видам фотонного излучения, от оптического до гамма-излучения, преобразующих энергию этих излучений в электрическую энергию

Изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, а также солнечному элементу, изготовленному этим способом

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество

Изобретение относится к гелиоэнергетике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами солнечного излучения для получения тепла и электричества
Наверх