Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния

Авторы патента:

Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния, содержащий кремний, олово и добавку металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления слоев, в качестве добавки металла расплав содержит титан при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кремний - 0,05 - 10 Титан - 0,008 - 4 Олово - Остальное

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии

Способ изготовления n-p+- и p-p+-структур кремниевых непланарных приборов // 1424631

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов // 1382303

Способ изготовления локальных металлических зон // 1181461

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1178263

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия- алюминия // 1127466

Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv // 1094511

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas- algaas // 1091766

Способ изготовления монокристаллов // 1083840

Способ получения p-n-структур арсенида галлия // 1009242

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества // 2137250

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии // 2297690

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии

Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Гетероструктура на основе арсенида - антимонида - висмутида индия и способ ее получения // 2035799

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)

Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646

Способ изготовления локальных металлических зон // 1556433

Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур, а именно к технологии формирования металлических зон для зонной перекристаллизации градиентом температуры, и может найти применение в технологии изготовления фотопреобразователей

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов // 1559970

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники с применением жидкостной эпитаксии

Способ жидкофазной эпитаксии методом испаряющегося растворителя // 1581786

Изобретение относится к металлургии полупроводников, а именно к получению однои многослойных полупроводниковых эпитаксиальных структур для полупроводниковой промышленности, и позволяет улучшить морфологию выращиваемых структур, получить локальную эпитаксию, а также получить резкие переходы между выращиваемыми слоями

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия // 1589918

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники методом жидкостной эпитаксии