Способ изготовления локальных металлических зон

 

1. Способ изготовления локальных металлических зон для зонной перекристаллизации в поле температурного градиента, включающий нанесение на поверхность кремниевой подложки защитного слоя, вскрытие в нем окон, приведение подложки в контакт с жидким металлом - растворителем и удаление жидкой фазы с поверхности защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и улучшения качества зон за счет повышения их однородности и уменьшения потерь летучих компонентов, изготавливают окна в защитном слое шириной 4,5·10-4 ÷ 4·10-3 см, а контактирование осуществляют при температуре 670-1200°C в течение 0,01 ÷ 10 с.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при изготовлении кремнийалюминиевых зон с содержанием алюминия 17, 4 - 40 мас.% изготавливают окна в защитном слое шириной 10-3 ÷ 4·10-3 см, а контактирование осуществляют при температуре 670-900°C в течение 0,01 - 1,05 с.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при изготовлении кремнийолово-сурьмяных зон с содержанием сурьмы 15 - 20 мас.% изготавливают окна в защитном слое шириной 4,5·10-4 ÷ 2,5·10-3 см, а контактирование осуществляют при температуре 900 - 1200°C в течение 0,3 - 10 с.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии
Наверх