Способ изготовления кремниевых p-n-переходов
Способ изготовления кремниевых p-n-переходов путем наращивания эпитаксиальных слоев на легированные бором подложки, включающий приготовление раствора-расплава кремния в олове и введение в него легирующей добавки, изотермическую выдержку при температуре начала процесса, приведение раствора-расплава в контакт с подложками, травление подложек путем нагрева системы и последующее принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет устранения включений олова на границе p-n-перехода, дополнительно вводят в раствор-расплав 0,001 - 0,01 мас. % индия или галлия, изотермическую выдержку осуществляют в вакууме при давлении не более 0,13 Па, причем при введении индия изотермическую выдержку проводят при температуре 700 - 1000oC в течение 30 - 120 мин, а при введении галлия изотермическую выдержку проводят при температуре 550 - 1000oC в течение 20 - 90 мин.
