Способ изготовления n-p+- и p-p+-структур кремниевых непланарных приборов

 

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020 см-3.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии
Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур, а именно к технологии формирования металлических зон для зонной перекристаллизации градиентом температуры, и может найти применение в технологии изготовления фотопреобразователей
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники с применением жидкостной эпитаксии
Наверх