Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas- algaas

Авторы патента:

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе GaAs - AlGaAs жидкофазной эпитаксией на подложках GaAs, включающий приготовление первого раствора-расплава для наращивания слоев AlGaAs, содержащего алюминий, галлий и мышьяк, и второго раствора-расплава для наращивания слоев GaAs, содержащего металл-растворитель и материал насыщения - арсенид галлия, и последующее наращивание эпитаксиальных слоев, отличающийся тем, что, с целью снижения деградации структур, улучшения их электрооптических характеристик и увеличения срока службы, в первый раствор-расплав дополнительно вводят 3-6 ат.% индия, а в качестве металла растворителя во втором растворе-расплаве используют висмут.

Способ получения p-n-структур арсенида галлия // 1009242

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках // 999872

Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv // 990016

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы // 940603

Способ получения структур с @ - @ -переходом на основе полупроводников типа @ // 928942

Способ получения селективных эпитаксиальных структур // 919540

Способ получения эпитаксиальных структур (его варианты) // 915668

Способ получения эпитаксиальных p-n-структур // 880170

Способ обработки пластин арсенида галлия // 865057

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества // 2137250

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии // 2297690

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии

Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Гетероструктура на основе арсенида - антимонида - висмутида индия и способ ее получения // 2035799

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)

Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646

Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv // 1094511

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия- алюминия // 1127466

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1178263

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии

Способ изготовления локальных металлических зон // 1181461