Элемент памяти
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в постоянных запоминающих устройствах. Целью изобретения является повышение стабильности элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит область диэлектрика и четвертую проводящую область, причем четвертая проводящая область расположена на поверхности диэлектрика, а область диэлектрика расположена на поверхности первой проводящей области, или четвертая проводящая область расположена на поверхности подложки, а область диэлектрика расположена на поверхности четвертой проводящей области. 2 ил.
ССОЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5) ) 4 G 1) С 11/40
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
4ь
CO
Ю
4ь
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 42909)9/24-24 (22) 27.07.87 (46) 15.07.89, Бюл. ¹ 26 (72) If,П,лазаренко (53) 681 ° 327.66 (088.8) (56) Электронная техника. Сер.2, вьп. 4, 1986, с. 80-82. (54) ЭЛН !ГПТ ПЛИЯТ.И (57) Изобретеш",е относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в постоянных запоминающих устройствах. Целью изобретения является повышение стаИзобретение относится к электронике и предназначено для использования в постоянных запоминающих устройствах.
Цель изобретения — повышение надежности элемента памяти, Ца фиг.1 и 2 представлен элемент памяти, виц сверху и сечения.
Запоминающий элемент согласно изобретению выполнен следующим образом (фиг,1), Первая проводящая область 1 является плавкой перемычкой, на которую нанесен слой диэлектрика 2, изолирующий плавкую перемычку от четвертой гроводящей области 3. Далее нанесен слой диэлектрика 4, в котором сформи.рованы контактные области 5, 6 к перемычке. После этого нанесен слой металлической разводки, из которого сформированы вторая и третья проводящие области 7, 8 к контактным областям 5, 6, а затем нанесен диэлектрический слой защиты 9. Область 1 рас„„SU„„1494040 А 1 бильности элемента памяти, Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит область диэлектрика и четвертую проводящую область, причем четвертая проводящая область расположена на поверхности диэлектрика, а область диэлектрика расположена на поверхности первой проводящей области, или четвертая проводящая область расположена на поверхности подложки, а область диэлектрика расположена на поверхности четвертой проводящей области. 2 ил . положена на диэлектрической подложке
10.
Второй вариант конструктивного выполнения запоминающего элемента (фиг,2) характеризуется иным взаимным расположением первой и четвертой проводящих областей 1 и 3.
В одном из вариантов реализации первая и четвертая области 1, 3 выполнены из поликристаллического кремния, легированного фосфором толщиной
0,5 мкм. Диэлектрик 2 выполнен из нитрида кремния (также может быть выполнен иэ SiO ) толщиной 0,1 мкм, а слои диэлектрика 4, 9 — из фосфорно-силикатного стекла толщиной 0,8мкм.
Запоминающий элемент работает следующим образом (фиг.2, 3), В исходном состоянии первая 1 и четвертая 3 области проводника изолированы одна от другой диэлектриком 2, Для записи информации в ЗЭ к областям
7, 8 прикладывают разность потенциалов, пропуская через область 1 элек1494040 трический ток, Разогрев первой области 1 приводит к термической деформации его поверхности и к разрушен?1ю диэлектрика 2. В результате между первой 1 и четвертой 3 областями возникает надежный электрический l oiiтакт, что и является признаком записи информации в элемент памяти, Элемент памяти обладает повышенной надежнос"üfî Il вероятностью программирования, что подтверждается следующими фактора:?и. Еонструкция
1>lfC с двумл иэо?п<ровлнными друг oт другл слоями поликремния пап?ла широкое применение в производстве БИС, Таким образом> элемент памяти удачно в?п?сывле rc?f в стандартный технологический проц<.cñ изгo Tof)ff БИС и не требует до1:.с)?п<ите?11-.<п)х опс.— раций, ! Б элементе л <л<и Ffpof 1»:.)ирс)1<л-ш<е осу»цествляется рл.)ру»лен>cff()fffi<)H изоллlп?и 30 нлд иерем»?чкой и l 35 его надежность. В процессе пpoгрлммировлния область 1 разогреваетсл до темперлтуpbI плавления;?лтериала области (для о поликремпия т. пл. 1с>70 С 1. В результате разру??<ае?ся диэлектрик и происходит спекание первой 1 и четвертой 3 областей, что приводит к образовлшво между ними надежного электрическо) о контакта, <1ормула из обретения Элемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, первую проводящую область, расположенную на поверхности диэлектрической подложки, слой диэлектрика с отверстиями, вторую и третью пр >водящие области, расположенные нл поверхностях первой прово?пп«ей об.<пасти и слое диэлектрика, о о fi il ч л ю <и и и с $.1 тем, что, с целью повыщепия надежности элемента памяти, )11 содержит область диэлектрика и четвертуо проводящую область, причем или четвертая прово длщля область расположена нл поверхности об fBcf»f диэлектрика, а область диэлектрика — нл поверхностях первой lfpoBoäÿf1åé области и диэлектрической подложки, или четвертая проводя? ая область расположена на поверхнс сти д??электрич: ск<)й подложки, л область д) ">лектрикB — 1?л поверхности че гвертой проводящей области, а первая iipoвод?<щая область рлсполо><сена на поверхности области диэлектрика. 1494040 Фиг.2 Составитель Б.Венков Техред Л.Сердюкова Корректор И,Горная Редактор М.Келемеш Заказ 4115/47 Тираж 558 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101
