Способ отбраковки интегральных схем

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю в производстве интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение достоверности и уменьшение времени отбраковки интегральных микросхем с дефектами-достигается тем, что осуществляется контроль величины тока на начальном участке вольт-амперной характеристики P-H-переходов интегральной микросхемы при их прямом смещении и тем, что контролируются параметры вольт-амперной характеристики многих параллельно соединенных переходов на кристалле, методика объединения которых через стандартные выводы микросхемы приведена в описании. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 5 G 01 R 31/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А STOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4244586/24-21 (22) 31. 03.87 (46) 30.01.90. Бюл. Г 4 (72) К.П.Шеремет и В.А.Казинов (53) 621 317.799 (088.8) (56) ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия, изд,so стандартов, 1983.

ОСТ 1 1.073 ° 013-83 (Метод - 500 г).

Микросхемы интегральные, методы испытаний, изд-во стандартов, 1983, с.5-6. (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

СХЕМ (57) Изобретение относится к микроИзобретение относится к микро-! электронике, а именно к производству интегральных схем.

Цель изобретения - повышение достоверности и уменьшение времени отбраковки микросхем с дефектами.

На фиг. 1 дана схема подключения интегральной схемы к измерителю вольтамперных характеристик; на фиг. 2примеры подключения выводов интегральной схемы для полупроводниковых структур с различными типами проводимости; на фйг. 3 - примеры вольтамперных характеристик.

Известно, что вольт-амперная характеристика прямо смещенного р-иперехода нелинейна и имеет вид, приведенной на фиг. 3 (поз. 3).

На фиг. 1 приняты следующие обозначения: 1 — интегральная схема; 2

„„SU„„1539696 ., A1

2 электронике, а именно к контролю в производстве интегральных микросхем.

Цель изобретения, - повышение достоверности и уменьшение времени отбраковки интегральных микросхем с дефектами - достигается тем, что осуществляется контроль величины тока на начальном участке вольт-амперной характеристики р-п-переходов интегральной микросхемы при их прямом смещении и тем,что контролируются параметры вольтамперной характеристики многих параллельно соединенных переходов на кристалле, методика объединения которых через стандартные выводы микросхемы приведена в описании. 3 ил. измеритель вольт-амперных характеристик.

В процессе производства интегральных схем на полупроводниковую пластину, являюцуюся основой для формирования структур интегральной схемы, могут попадать различные инородные при- «© меси в виде частиц пыли или остатков © химических элементов от предыдущих CO технологических операций, ведущие Ж к возникновению дефектов. В этом случае вольт-амперная характеристика 4 р-и-переходов имеет на начальном своем участке линейный вид и характеризуется углом 5 наклона, величина которого прямо пропорциональна "загрязненности" р-и-переходов интегральной схемы посторонними примесями, Как правило токи утечки, обусловленные такой "загрязн .нностью, очень невелики и требуют для их обнаружения

1539696 проведения измерения на пределе чувствительности измерителя вольт-амперных характеристик (режим микротоков).

В интегральной микросхеме, имеющей вольт-амперную характеристику 4, в лроцессе ее эксплуатации с течением времени под действием протекающего электрического тока идет процесс деградации структуры р-п-перехода, приводящий к увеличению токов утечки и, в конечном счете, к нарушению работоспособности интегральной схемы. При осуществлении способа для повышения чувствительности и достоверности контролируется вольт-амперная характеристика нескольких р-ипереходов, расположенных по всему кристаллу и соединенных параллельно.

Для этого все выводы интегральной схемы необходимо включить по схеме, составленной с учетом следующих правил: каждый вывод интегральной схемы должен быть подключен к "+" или "-" измерителя вольт-амперной характеристики таким образом, чтобы р-и-переход полупроводниковой структуры, вхо дящей. в состав интегральной схемы и соединенный с этим выводом, был смещен в прямом направлении; между "+" и "-" измерителя вольтамперной характеристики должно быть включено как можно большее количество прямо смещенных р-и-переходов полупроводниковых структур .интегральной схемы; между "+" и "-" измерителя вольтамперной характеристики не должны быть вкпючены структуры интегральной схемы, имеющие линейную вольт-амперную характеристику (например, резисторные делители напряжения).

После соединения выводов интег ральной схемы снимают суммарную вольт-амперную характеристику эквивалентного двухполюсника, получившегося в результате соединения выводов.

При этом о наличии дефектов, в том числе обусловленных "загрязненностью" кристалла, следует судить по

1сравнению с полученным для заведомо

,исправной и надежной микросхемы ве:личиной тока на начальном участке вольт-амперной характеристики эквивалентного двухполюсника в прямом смещении, Превышение тока на начальном участке вольт-амперной характеристики над величиной эталонной микросхемы свидетельствует о ненадежности испытуемой микросхемы и является критерием отбраковки. формула изобретения

Способ отбраковки интегральных схем, заключающийся в том, что выбирают пары выводов контролируемых интегральных схем, между которыми содержатся р-п-переходы, подают на выбранные пары выводов интегральной микросхемы линейно-возрастающее напряжение и регистрируют заданный

30 участок вольт-амперной характеристики, определяют величину информативного параметра, по которому проводят отбраковку дефектных интегральных схем, отличающийся тем, что, с целью повышения достовернос35 ти и уменьшения времени отбраковки, перед началом отбраковки объединяют 1 все выбранные пары выводов.так, чтобы р- и-переходы интегральной схемы были включены параллельно, в качест40 ве заданного участка вольт-амперной характеристики выбирают начальный участок вольт-амперной характеристики р-п-перехода, а в качестве информативного параметра выбирают величи45 ну тока утечки.

1539696

ДцгЗ

Составитель В.Степанкин

Редактор Н.Киштулинец Техред М.Ходвяич = Корректор С.йекмар е ю

Заказ 216 Тираж 547 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по,изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1Ч