Многослойное интерференционное покрытие для ламп накаливания
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения многослойных интерференционных покрытий на колбах источников света и на деталях оптических приборов. Целью изобретения является повышение стабильности и воспроизводимости оптических характеристик многослойных интерференционнных покрытий. Покрытие состоит из чередующихся слоев оксида кремния и одного из стехиометрических оксидных соединений составов BA LN<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">4</SB> BA<SB POS="POST">3</SB>LN<SB POS="POST">4</SB>O<SB POS="POST">9</SB> SRLN<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">4</SB> (BA, SR) LN<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">4</SB> (BA, SR) LN<SB POS="POST">4</SB>O<SB POS="POST">9</SB>, где LN - лантаноид. Изменяя в покрытии количество слоев и их оптическую толщину, можно получить любой вид спектральной характеристики пропускания покрытия. Процесс плавления и испарения этих веществ при напылении их на колбу лампы протекает без их разложения. Это обеспечивает стабильность химического состава пленочного покрытия и высокую воспроизводимость его оптических характеристик при отклонении в режимах напыления. 2 ил, 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И OTHPblTHRM
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБ
Н A ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТ (21) 4379456/24-07 (22) 04..01 .88 (46) 15.02.90. Бюл. Р 6 (71) Всесоюзный научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт источников света им. А.Н.Лодыгина (72) А.С.Иванцев, В.Б.Грицкевич, Т.M.Çoðèíà и Н.М.Улькин (53) 621.3.032(088.8) (56) Александров Л.Н., Иванцев А.С.
Многослойные пленочные структуры для источников света, Новосибирск:
Наука, 1981.
Авторское свидетельство СССР
N - 885952, кл, G 02 В 5/28, 1979 ° (54) МНОГОСЛОЙНОЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЕ
ПОКРЫТИЕ ДЛЧ JIAMII НАКАЛИВАНИЯ (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения многослойных интерференционных покрытий на колбах источников света и на деталях оптических
Изобретение относится к электротехнике и может быть испол1.зовано для получения многослойных интерференционных покрытий на колбах источников света и на деталях оптических приборов.
Целью изобретения является повышение стабильности и воспроизводимости оптических характеристик многослойных интерференционных покрытий.
На фиг.1 приведены спектральные зависимости коэффициентов пропускания трехслойных интерференционных покрытий типов, BagYbpOg SiO - BagYb40g
„„Я0„„1543476 А 1 (5!)5 01 К I 32 G 02 В 5/28
2 приборов. Целью изобретения является повыщение стабильности и воспроизводимости оптических характеристик многослойных интерференционных покрытий. Покрытие состоит из чередующихся слоев оксида кремния и одного из стехиометрических оксидных соединений составов Вагап О,; Ваз1n40g>
$г Ln<04, (Ba, Бг)?л О„; (Ba, Sr)Ln Пример 1. Трехслойное интерференционное покрытие ВазУЬ40з — SiO<- ВазУЬ40э Синтез соединения. Иэ смеси 100 мл 0,3-молярного раствора хлорида бария (0,03М, 3,81 г) и 50 мл 1 543476 0,2 Измеряемый параметр Среднее значение параметра для ламп беэ покры" тия с покрытием 12 8,3 12 8,0 99,7 27,1 3150 96 29,? 3280! 0,8-молярного раствора хлорида иттербия (0,02M, 11, 18 r) производит ся осаждение в виде карбонатов (в качестве осадителя используется карбонат аммония). Термообработка высушенного осадка производится при 1200 С в течение 1 ч. Материал для электронно-лучего распыления приготавливается прессованием таблеток под давлени- 10 ем 150 кгс/см и спеканием в вакууме при 1800 С в течение 1 ч. Режим электронно"лучего напыления на установке УРМ3.279.04? (! длЯ длн 15 ВазУЬ40з SiOg Ток эмиссии» А 0,3 Ток электронного луча, 20 мА 60 Напряжение на ускоряющем электроде,кВ )2 8 Давление в ка- 25 мере напыления, мм рт.ст. 10 5 ° 10 Температура подложек, С 250 250 Пример 2. Трехслойное интер- 30 Ференционное покрытие Вапуа04 — Sio Ваоут04 Синтез соединения. Из смеси 100 мл 0,3-молярного раствора хлорида бария (О,ОЗМ, 3,81 r) и 67 мл 0,9-моляр- 35 ного раствора хлорида диспрозия (О,ОЗМ, 8,07 r) производится осаждение B виде карбонатов. После отде.ления и высушивания следует термообработка при 1200 С в течение 1 ч. 10 Материап для электронно-лучевого распыления приготавливается прессованием таблеток под давлением 150 кгс/см и спеканием в вакууме при 1?00 С в течение 1 ч. М Напряжение на лампе, В Ток через лампу, А Потребляемая мощность, Вт Световой поток, лм Световая отдача, лм/Вт Цветовая температура, К Таким путем можно получить и напылить на подложку оксидные соединения составов BaLn<04, Ва 1.п„,Оэ, SrLn 04, (Ва, $г)Еп 04, (Ва, Вг)э Ln40g» где Ln — лантаноид. Изменением оп тич ес к ой толщины и числа слоев в покрытии можно получить практически любой вид спектральной характеристики .пропускания, в .том числе и такой, когда отражается значительная доля ИК-.излучения. По технологии, описанной в примерах, трехслойные покрытия были нанесены на лампы типа КГМН 12-100-3, спектральное распределение мощности излучения которых приведено на Фиг.2. Электрические и световые характеристики ламп с покрытием и без него приведены в таблице. Укаэанные химические соединения характеризуются тем, что процесс их плавления и испарения при нанесении на колбу лампы протекает без разложения, что обеспечивает стабильность химического состава пленочного покрытия и высокую воспроиэводимость его оптических характеристик при отклонениях в режимах напыления, формула изобретения Многослойное интерференционное покрытие для ламп накаливания, состоящее иэ чередующихся олоев оксида кремния и материала с высоким показателем преломления, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью повышения стабильности и воспроизводимости оптических характеристик, в качестве материала с высоким показателем преломления использовано одно из стехио.метрических оксидных соединений сос, тавов BaLn 04, Ba>Ln+0> » SrLn 04; (Ва, Sr) Ln<04, (Ва, Sr) Ln40, где Ln — лант ананд. 1S4347e ЛИ Ь80 590 009 7И ВЯ УОР 1000 иг7 4О ИЮ В06 1090 1266 ФМ ОМ И90 И06 2206 Фиг. я Составитель Н.Семенов Техред JI.Cåðäþêîâà Корректор Т.Малец Редактор Л .Веселовская Тиран 339 Заказ 404 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям н открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Рауаская наб., д..4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. У кгород, ул. Гагарина, 101