Способ вакуумной обработки цветного кинескопа

 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к процессам вакуумной обработки цветных кинескопов. Цель изобретения повышение качества вакуумной обработки достигается путем предотвращения поглощения катодом газов, выделившихся в процессе прогрева электронно-оптической системы (ЭОС). Для этого осуществляют прогрев оболочки кинескопа одновременно с откачкой выделяющихся газов, поглощенных деталями кинескопа. Затем прекращают нагрев оболочки и производят предварительное обезгаживание катода путем подачи напряжения на подогреватель катода до достижения катодом температуры 750 950°С. При этой температуре выдерживают 1 2 мин, осуществляют прогрев ЭОС токами высокой частоты и одновременно с нагревом снижают температуру катода до 580 650°С. Затем выполняют активирование катода в стандартном режиме и производят отпайку кинескопа.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам вакуумной обработки цветных кинескопов. Целью изобретения является повышение качества вакуумной обработки за счет предотвращения поглощения катодом газов, выделившихся в процессе прогрева электронно-оптической системы. Сущность изобретения заключается в следующем. Осуществляют прогрев оболочки кинескопа с одновременной откачкой выделяющихся газов, поглощенных элементами, деталями кинескопа, прекращение нагрева оболочки, предварительное обезгаживание катода электронно-оптической системы путем подачи напряжения на подогреватель катода до достижения катодом температуры 750-950^оС и выдерживают при этой температуре 1-2 мин, осуществляют нагрев и прогрев электронно-оптической системы токами высокой частоты и одновременно с нагревом снижают температуру катода до 580-650^оС, затем выполняют активирование катода в стандартном режиме и производят отпайку кинескопа. П р и м е р Производили обработку кинескопа 51ЛК2Ц на линии вакуумной обработки Б.331.40 путем нагрева оболочки до температуры 350-380^оС с одновременной откачкой выделяющихся газов. Подавали на подогреватель катода напряжение до достижения катодом температуры 800^оС и обрабатывали катод в течение 2 мин. Проводили обезгаживание электронно-оптической системы током высокой частоты, снижали температуру катода до 580^оС, которую выдерживали до момента окончания обработки электронно-оптической системы, затем производили активирование катода и отпайку прибора. Использование изобретения позволит повысить эмиссионную способность на 20% и уменьшить брак по виду "мал ток луча" на 0,5%

Формула изобретения

СПОСОБ ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ ЦВЕТНОГО КИНЕСКОПА, включающий прогрев оболочки кинескопа с одновременной откачкой, прекращение прогрева оболочки, нагрев и прогрев электронно-оптической системы токами высокой частоты, активирование катода и отпайку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества, перед нагревом электронно-оптической системы производят предварительное обезгаживание катода при температуре t₁ (^oС), которую выбирают из выражения 750^oС≅t₁≅950^oС, в течение 1-2 мин, одновременно с прогревом электронно-оптической системы снижают температуру катода до значения t₂ величину которого выбирают из выражения 580^oС≅t₂≅650^oС, и прекращают предварительное обезгаживание катода одновременно с окончанием прогрева электронно-оптической системы.