Фонд вноертш

 

ОПЙСАН ИЕ 4ОО139

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

М. Кл. В Olj 17/04

В Olj 17/06

Заявлено 07.V11,1971 (¹ 1670901l23-26) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 25.11.1974. Б1оллетень ¹ 7

Дата опубликования описания ЗЛ 11.1974

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изооретений и открытий

УДК 548.55(088.8) Авторы изобретения

Г. И. Дистлер, А. H. Лобачев, В. П. Власов, О. К. Мельников и Н. С. Триодина

Ордена Трудового Красного Знамени институт кристаллографии им. А. В. Шубникова

Заявитель

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ЗАТРАВКАХ

Предмет изобретения

Изобретение может использоваться прн выращивании монокристаллов любыми способами, основанными на применении монокрнсталлических затравок.

Известны способы выращивания монокристаллов на затравках, которые не устраняют дефектности используемых монокристяллических заправок.

Для получения бездефектных монокристяллов с повышенной степенью совершенства реальной структуры предлагается затравки предварительно покрывать грани иными слоями из материалов, отличных от мà1ерпялов затравок. Для более эффективного теплоотвода в начале роста и использования максимальной толщины граничных слоев, обладающих информационными свойствами, в качестве материалов для граничных слоев используют металлы.

Пример 1. Монокристаллы содалитя выращива1от гидротермальным методом через граничные полнкрнс1аллические слои из золота толщиной 1500 Л, нанесенные методом вакуумного испарения.

Пример 2. Монокристаллы сернистого свинца выращивают из газовой фазы через граничные слои из аморфного углерода толщиной 100 Л.

Монокристяллы, выращенные через граничные слон, отличаются более.высокой степенью совершенства структуры и, в частности, характеризуются меньшим количеством мякрои микротрещин, чем выращенные на затравках без граннчны: слоев.

1. Способ выр;пцивания монокристяллов на

15 затравках, отл н ч я ю щ и йс я тем, что, с ILeлью получения бездефектных монокрнсталлов с 110BIIIIIE!lllo!I степенью совершенства реальной структуры, затравки предварительно пOкрывяют граничными слоями из материалов, 20 отличных от материалов затрявок.

2. Способ по п. 1, отличающийся 1ем, что, с целью более эффективного теплоотвода в начале роста и использования максимальной толщины граничных слоев, обладающих

25 информационными свойствами, в качестве материалов для гр ьничных слоев используют металлы.