Способ получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений

 

Изобретение относится к микроэлектронике, к способу получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений. Цель изобретений повышение качества и надежности золото-алюминиевых микросварных соединений путем исключения образования интерметаллических соединений. В способе напыляют алюминиевую контактную площадку, не нарушая вакуума, формируют промежуточный слой путем напыления никеля толщиной 3000 и проводят термообработку при температуре 530°С в течение 30 мин, после этого проводят термокомпрессионное присоединение золотой проволоки.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения контактных соединений полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Цель изобретения повышение качества и надежности золото-алюминиевых микросварных соединений путем исключения образования интерметаллических соединений. Для эксперементального подтверждения предлагаемого способа были изготовлены модельные образцы тонкопленочной структуры золото-никель-алюминий в трех партиях с толщинами, : Au Ni Al 160 100 360 160 150 330 160 200 330 Образцы подвергались термообработке в камере электронного микроскопа при температурах от 125 до 550оС и одновременно регистрировалось изменение дифракционной картины в режиме просвечивания. Результаты структурного анализа (расшифровка электронограмм) показали, что на начальных этапах термообработки на границах разделов золото-никель, никель-алюминий образуются зоны твердых растворов, которые при дальнейшей термообработке уменьшают диффузионные потоки золота и алюминия, и тем самым исключают фазообразование в системах золото-алюминий, алюминий-никель. Таким образом, способ получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений позволяет исключить взаимодействие золота и алюминия, образование интерметаллидов системы никель-алюминий, на влияя на электрофизические параметры полупроводниковых приборов и ИС, улучшить качество и надежность золото-алюминиевых микросварных соединений.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЕВЫХ МИКРОСВАРНЫХ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий напыление алюминиевой контактной площадки, формирование промежуточного слоя и термокомпрессорное присоединение золотой проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности соединений путем исключения образования интерметаллических соединений, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, формируют промежуточный слой путем напыления никеля толщиной 3000 и проводят термообработку при температуре 530oС в течение 30 мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области создания контактов с малой площадью контакта, а также для образования малых диэлектрических зазоров между поверхностями двух проводящих электродов
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др
Наверх