Формирователь управляющих токов для доменной памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике. Предлагается формирователь управляющих токов для доменной памяти, обеспечивающий продвижение цилиндрических магнитных доменов в микросхемах доменной памяти. Формирователь содержит мостовую схему из четырех мощных транзисторов, в диагональ которой включена катушка индуктивности. В этот формирователь с целью повышения надежности и устойчивости работы доменной памяти введены резистор, два диода и два коммутатора. При этом резистор обратной связи подключен одним выводом к объединенным эмиттерным выводам первого и второго мощных транзисторов, а другим - к шине питающего напряжения, а диоды включены последовательно в коллекторы третьего и четвертого мощных транзисторов. Предлагаемый формирователь обеспечивает формирование импульсов тока синусоидальной формы для управления продвижением цилиндрических магнитных доменов в микросборках доменной памяти. Применение предлагаемого формирователя в доменной памяти приводит к повышению надежности и устойчивости его работы. Предлагаемый формирователь может быть использован в импульсных устройствах вычислительных средств и устройствах автоматики. 2 ил.

„„SU„„1594602

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (ц G 11 С 11/14

1 б4Оь мс/

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4652373/24-24 (22) 04.01.89 (46) 23.09.90. Бюл. N - 35 (72) Е.В,Горохов, В.A.Äðà÷óê, Э.С.Зиборов, А,M.Èâàíoí, В.И.Косов, А.И.Савельев и С.Б.Торотенков (53) 681.327.6 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 830572, кл. G 11 С 11/)4, 1979, Микросхемы интегральные .К 1602РЦЗ. Руководство по применению, 1987.

Ф (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ УПРАВЛЯЮЩИХ ТОКОВ

ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике. Предлагается формирователь управляющих токов для.доменной памяти, обеспечивающий продвижение цилиндрических магнитных доменов в микросхемах доменной памяти.

Формирователь содержит мостовую схему из четырех мошных транзисторов, в диагональ которой включена катуш- ..

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь- . зовано в цифровых устройствах вычислительных средств и устройствах автоматики специального назначения с повьппенными требованиями к надежности и области устойчивой работы.

Целью изобретения является повышение надежности и. устойчивости доменной памяти.

2 ка индуктивности. В этот формирователь с целью повьппения надежности и устойчивости работы доменной памяти введены резистор, два диода и два коммутатора. При этом резистор обратной связи подключен одним выводом к объединенным эмиттерным выводам первого и второго мощных транзисторов, а другим — к шине питающего напряжения, а диоды включены последовательно в коллекторы третьего и четвертого мощных транзисторов.

Предлагаемый формирователь обеспечивает формирование импульсов тока синусоидальной формы для управления продвижением цилиндрических магнитных доменов в микросборках доменной памяти. Применение предлагаемого формирователя в доменной памяти приводит к повышению надежности и устойчивости его работы. Предлагаемый формирователь может быть использован в импульсных устройствах вычислитель" ных средств и устройствах автоматики.

2 ил.

На фиг,1 приведена структурная, схема формирователя управляющих токов для доменной памяти; на фиг.2— временные диаграммы.

Транзисторы I — 4 фиг.1 образуют мостовую схему, в диагональ которой включен элемент Формирования токов продвижения IPflj в виде катушки 5 индуктивности, Базы соответствующих транзисторов 1 — 4 мостовой схемы

) 594602

5 !

О

55 подключены к выходам согласующих усилителей 6 — 9. Элемент об р ат ной связи на резисторе 10 подключен одним выводом к объединенным эмитте" рам транзисторов 1 и 2. Ограничительные элементы, например, на диодах

11 и 12 включены последовательно в соответствующие коллекторы транзисторов 3 и 4. Два выхода генератора

13 противофазных синусоидальных сигналов подключены к информационным входам соответствующих коммутаторов

14 и 15. Второй вывод резистора 10 соединен с шиной 16 питающего напряжения, Объединенные управляющие входы коммутаторов 14 и 15 подключены к шине 17 сигнала задания режима, Выходы коммутаторов 14 и 15 соединены с входами соответствующих согласующих усилителей 6 — 9.

Формирователь управляющих токов для доменной памяти работает следующим образом, В отсутствие-сигнала Йа шине 17 синусоидальные сигналы с выходов генератора 13 не проходят через коммутаторы 14 и 15, на выходах которых устанавливается нулевой потенциал напряжения, который поддерживает транзисторы 3 и 4, а также транзисторы согласующих усилителей 6 и 7 в закрытом состоянии, в свою очередь, отсутствие коллекторного тока транзисторов согласующих усилителей 6 и

7 поддерживает в закрытом состоянии транзисторы 1 и 2. В этом состоянии ток в катушке 5 отсутствует.

С поступлением сигнала на шину 1У синусоидальные сигналы с выходов ген нератора 13 прохоцят через коммутаторы 14 н 15 и поступают на входы согласующих усилителей 6 - 9, Каждая; положительная полуволна (фиг,2) выходного сигнала коммутатора 14 усили вается согласующим усилителем и в ви" де напряжения отрицательной синусоидапьной полуволны поступает на базу транзистора 1 Под воздействием этой попуволны напряжения транзистор 1 открывается, и в его коллекторе воз" никает ток. Одновременно с положитепьной полуволной выходного напряжения коммутатора 14 на выходе коммутатора 15 появляегся отрицательная полуволна, которая поступает на вхо ды согласующих усилителей 7 и 8 и удерживает транзистор 3 и транзис" тор согласующего усилителя 7,а следовательно, и транзистор z B закрытом состоянии. Поэтому через резистор

10 протекает ток транзистора 1. Из теории транзисторных усилителей известно, что резистор, включенный в эмиттер транзистора, создает в усилителе. отрицательную обратную связь по току, в результате чего ток коллектора транзистора практически точно повторяет форму входного напряжения на его базе, т,е, такой усилитель можно рассматривать как генератор тока. Следовательно, под воздействием напряжения отрицательной полуволны на базе мощного транзистора

1 его коллекторный ток имеет форму синусоидальной полуволны, амплитуда. которой зависит как от.амплитуды полуволны входного напряжения,так и от величины сопротивления резистора 10.

Одновременно положительная полуволна выходного сигнала коммутатора

14 через согласующий усилитель 9 открывает транзистор 4, в результате чего коллекторный ток транзистора 1 проходит через катушку 5 в прямом направлении (от начала к концу), диод 12 и открытый транзистор 4,замыкаясь на общую шину.

Так как падение напряжения на открытом транзисторе 4 и диоде 12 во много раз меньше напряжения на катушке 5, при анализе напряжения на кол" лекторе транзистора 1 этим падением напряжения можно принебречь.При таком. допущении напряжение на коллекторе транзистора 1 равно напряжению на катушке 5. Сопротивление катушки

5 имеет, в основном, индуктивный ха" рактер, а протекающий через нее ток имеет форму полупериода синусоиды, напряжение на коллекторе транзистора 1 имеет форму полупериода косинусоиды, как производную от полупериода протекающего по катушке 5 синусоидального тока. Поэтому во время второй половины положительной полуволны выходного сигнала коммутатора 14 напряжение на коллекторе транзистора 1 отрицательное (фиг.2). Для того чтобы избежать шунтирования. отрицательного напряжения на коллекторе транзистора 1 инверсно включенным, транзисторам .3, а следовательно, и искажения тока через катушку 5 в его коллекторную цепь включен диод 11, 1594602 6 тить формирование и коммутацию управляющих сигналов, особенно, если это формирование осуществляется дискрете, но-аналоговыми методами.

Во время отрицательных полуволн напряжения на выходе коммутатора 14 транзисторы 1 и 4 закрываются, а присутствующая в это время на выход коммутатора 15 положительная полуволна:напряжения открывает транзисторы 2 и 3, формирует в коллекторе транзистора 2, а следовательно, и в катушке 5, но в обратном направлении, полуволну синусоидального тока аналогично тому, как это производится транзистором 1. Таким образом,. за время одного периода входного синусоидального напряжения в катушке 5 формируются две противоположно направленные полуволны синусоидального тока, что в совокупности составляет полный период синусоидального тока. С каждым последующим периодом входного синусоидального сигнала цикл работы формирователя повторяется до исчезновения сигнала на шине

17. При этом, если начало и окончание сигнала на 1дине 17 совмещать с нулевыми фазами -входного синусоидального сигнала, то работа формирователя обеспечивается без переходных процессов, и ток в катушке 5 точно соответствует целому числу синусоидальных периодов.

Транзисторы 1 - 4 и транзисторы согласующих усилителей 6 — 9 предварительно заперты по базам нулевым смещением и открываются только в мо мент действия положительных полуволн синусоидального напряжения с выходов генератора противоположных синусоидальных сигналов 13 и, следователь" но, отрицательные полуволны синусоидального напряжения с выходов генератора 13 могут отсутствовать, что в ряде случаев может существенно упросФормула изобретения

Формирователь управляющих токов

1О для доменной памяти, содержащий мостовую схему, выполненную на четырех транзисторах, в одну из диагоналей которой включен элемент формирования токов продвижения цилиндрических

15 магнитных доменов в виде катушки индуктивности, и согласующие усилители, выходы которых соединены с соответствующими базами транзисторов мостовой схемы, о т л и ч а ю щ и й2С с я тем, что, с целью повышения надежности и устойчивости доменной памяти, в него введены элемент обратной связи на резисторе, ограничительные элементы, генератор противофазных синусоидальных сигналов и два

2с коммутатора, при этом один вывод резистора подключен к объединенным эмиттерам первого и второго транзисторов мостовой схемы, а другой—

30 к шине питания формирователя, одни выводы ограничительных элементов подключены к коллекторам соответствующих третьего и четвертого транзисторов мостовой схемы, а вторые — к соответствующим выводам катушки индуктивности, выходы генератора противофазных синусоидальных сигналов подключены к HH(bopMBUHGHHbIM входам соответствующих коммутаторов, управляющие

4п входы которых объединены и являются входом задания режима формирователя, а выходы коммутаторов подключены к входам соответствующих усилителей.,)594602 длцаю

-ф ф Й@ФЗ

Аиа 1

brae 4

Хуу

Составитель В.Гордонова

Техред N,Пидык Корректор .Т.Палий

Редактор О. Головач

Заказ 2833

Тираж 493

Подписное

ВНИИХИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина, 101

Формирователь управляющих токов для доменной памяти Формирователь управляющих токов для доменной памяти Формирователь управляющих токов для доменной памяти Формирователь управляющих токов для доменной памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих и логических устройств, носителями информации в которых являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования кодовых последовательностей при контроле доменной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических устройств хранения и обработки информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении и исследовании доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении ЗУ на ЦМД на основе ионно-имплантированных монокристаллических пленок феррит-гранатов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения доменных запоминающих устройств

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для выявления дефектных накопительных регистров при контроле запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх